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向加有均匀磁场B?0.3T，传感器的灵敏度系数为22V/A.?T，试求其输出霍尔电势及载流子浓度。
（q?1.602?10解：UH?RH?19C）
IB?KHIB，式中KH=RH/d称为霍尔片的灵敏度 dIB，式中令ned?3?3所以输出的霍尔电势为UH?22?1?10?0.3?6.6?10，因为UH??RH=-1/（ne），称之为霍尔常数，其大小取决于导体载流子密度,所以浓度
1?10?3?0.3IB?=? UHdq6.6?10?3?0.1?1.602?10?193．磁电式传感器与电感式传感器有何不同？
解：磁敏式传感器是通过磁电作用将被测量（如振动、位移、转速等）转换成电信号的一种传感器。磁电感应式传感器也称为电动式传感器或感应式传感器。磁电感应式传感器是利用导体和磁场发生相对运动产生电动式的，它不需要辅助电源就能把被测对象的机械量转换成易于测量的电信号，是有源传感器。
电感式传感器是利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量、、重量、振动等转换成线圈自感量L或互感量M的变化，再由测量电路转换为电压或电流的变化量输出的装置。
4．霍尔元件在一定电流的控制下，其霍尔电势与哪些因素有关？ 解：根据下面这个公式可以得到
LUH?KHIBf()
bL和宽度b有关。
，霍尔电势还与磁感应强度B, KH为霍尔片的灵敏度,霍尔元件的长度
第七章
1．什么是热电势、接触电势和温差电势？
解：两种不同的金属A和B构成的闭合回路，如果将它们的两个接点中的一个进行加热，
使其温度为T，而另一点置于室温T0中，则在回路中会产生的电势就叫做热电势。由于两种不同导体的自由电子密度不同而在接触处形成的电动势叫做接触电势。温差电势（又称汤姆森电势）是同一导体的两端因其温度不同而产生的一种热电势。
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2．说明热电偶测温的原理及热电偶的基本定律。
解：热电偶是一种将温度变化转换为电量变化的装置，它利用传感元件的电磁参数随温度变化的特征来达到测量的目的。通常将被测温度转换为敏感元件的电阻、磁导或电势等的变化，通过适当的测量电路，就可由电压电流这些电参数的变化来表达所测温度的变化。 热电偶的基本定律包括以下三种定律：
1）中间导体定律：在热电偶回路中，只要中间导体两端的温度相同，那么接入中间导体后，对热电偶的回路的总电势无影响。
2）参考电极定律：如果导体C热电极作为参考电极，并已知标准电极与任意导体配对时的
热电势，那么在相同结点温度（T,T0）下，任意两导体A、B组成的热电偶，其电势可由下式求得EAB(T,T0)?EAC(T,T0)?ECB(T,T0)
3）中间温度定律：在热电偶回路中，两接点温度为T，T0时的热电势，等于该热电偶在接
点T、Ta和Ta、T0时的热电势之和，即EAB(T,T0)?EAB(T,Ta)?EAB(Ta?T0)
3． 已知在其特定条件下材料A与铂配对的热电势EA?Pt(T，To)?13.967mV，材料B与铂配对的热电势EB?Pt(T，To)?8.345mV，试求出此条件下材料A与材料B配对后的热电势。 解：根据热电偶基本定律中的参考电极定律可知，当结点温度为T，T0时，用导体A，B组成的热电偶的热电动势等于AC热电偶和CB热电偶的热电动势的代数和，即：
EAB(T,T0)?EAC(T,T0)?ECB(T,T0)?EAC?T,T0??EBC(T,T0)?13.976?8.345?5.631mV
4．Pt100和Cu50分别代表什么传感器？分析热电阻传感器测量电桥之三线、四线连接法的主要作用。
解：Pt100代表铂热电阻传感器，Cu50代表铜热电阻传感器。三线制可以减小热电阻与测量仪表之间连接导线的电阻因环境温度变化所引起的测量误差。四线制可以完全消除引线电阻对测量的影响，用于高精度温度检测。工业用铂电阻测温常采用三线制和四线制连接法。 5．将一只灵敏度为0.08mv/℃ 的热电偶与毫伏表相连,已知接线端温度为50℃,毫伏表的输出为60 mv, 求热电偶热端的温度为多少? 解：T?60?750C 0.086．试比较热电阻与热敏电阻的异同。
解：热电阻将温度转换为电阻值大小的热电式传感器,热电阻传感器是利用导体的电阻值随温度变化而变化的原理进行测温的。热电阻传感器的测量精度高；有较大的测量范围，它可测量－200～500℃的温度；易于使用在自动测量和远距离测量中。热电阻由电阻体、保护套
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和接线盒等部件组成。其结构形式可根据实际使用制作成各种形状。
热敏电阻是由一些金属氧化物，如钴、锰、镍等的氧化物，采用不同比例的配方，经高温烧结而成，然后采用不同的封装形式制成珠状、片状、杆状、垫圈状等各种形状。热敏电阻具有以下优点：①电阻温度系数大，灵敏度高；②结构简单；③电阻率高，热惯性小；但它阻值与温度变化呈非线性，且稳定性和互换性较差。
第八章
1．什么是光电效应，依其表现形式如何分类，并予以解释。 解：光电效应首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电转换元件变换成电信号,光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类：
a)在光线作用下，能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应; b)受光照的物体导电率
1发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。 R2．分别列举属于内光电效应和外光电效应的光电器件。 解：外光电效应，如光电管、光电倍增管等。
内光电效应，如光敏电阻、光电池和光敏晶体管等。
3．简述CCD的工作原理。
解：CCD的工作原理如下：首先构成CCD的基本单元是MOS电容器，如果MOS电容器中的半导体是P型硅，当在金属电极上施加一个正电压时，在其电极下形成所谓耗尽层，由于电子在那里势能较低，形成了电子的势阱，成为蓄积电荷的场所。CCD的最基本结构是一系列彼此非常靠近的MOS电容器，这些电容器用同一半导体衬底制成，衬底上面覆盖一层氧化层，并在其上制作许多金属电极，各电极按三相（也有二相和四相）配线方式连接。CCD的基本功能是存储与转移信息电荷，为了实现信号电荷的转换：必须使MOS电容阵列的排列足够紧密，以致相邻MOS电容的势阱相互沟通，即相互耦合；控制相邻MOC电容栅极电压高低来调节势阱深浅，使信号电荷由势阱浅的地方流向势阱深处；在CCD中电荷的转移必须按照确定的方向。 4．说明光纤传输的原理。
解：光在空间是直线传播的。在光纤中，光的传输限制在光纤中，并随光纤能传送到很远的距离，光纤的传输是基于光的全内反射。当光纤的直径比光的波长大很多时，可以用几何光学的方法来说明光在光纤内的传播。设有一段圆柱形光纤，它的两个端面均为光滑的平面。当光线射入一个端面并与圆柱的轴线成θi角时，根据斯涅耳（Snell）光的折射定律，在光纤内折射成θj，然后以θk角入射至纤芯与包层的界面。若要在界面上发生全反射，则纤芯与界面的光线入射角θk应大于临界角φc（处于临界状态时，θr=90o），即:
?k??c?arcsinn2 n1
且在光纤内部以同样的角度反复逐次反射，直至传播到另一端面。
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5．光纤传感器常用的调制原理有哪些？
解：1）强度调制原理2）相位调制原理3）频率调制原理4）偏振调制原理 6．红外线的最大特点是什么？什么是红外传感器？
解：红外线的最大特点是具有光热效应，可以辐射热量，它是光谱中的最大光热效应区。能将红外辐射量的变化转换为电量变化的装置称为红外探测器或红外传感器。红外传感器一般由光学系统、探测器、信号调理电路及显示系统等组成。
7．光敏电阻、光电池、光敏二极管和光敏三极管在性能上有什么差异，它们分别在什么情况下选用最合适？
解：光敏电阻
（1） 伏安特性：在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏安特性。光敏电阻在一定的电压范围内，其I-U曲线为直线，说明其阻值与入射光量有关，而与电压、电流无关。在给定的偏压情况下，光照度越大，光电流也就越大；在一定光照度下，加的电压越大，光电流越大，没有饱和现象。光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的，耗散功率又和面积以及散热条件等因素有关。
（2）光谱特性：光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性，亦称为光谱响应。光敏电阻的灵敏度是不同的。从图中可见硫化镉光敏电阻的光谱响应的峰值在可见光区域，常被用作光度量测量（照度计）的探头。而硫化铅光敏电阻响应于近红外和中红外区，常用做火焰探测器的探头。
（3）光照特性：由于光敏电阻的光照特性呈非线性，因此不宜作为测量元件，一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。
（4）温度特性：光敏电阻受温度的影响较大。当温度升高时，它的暗电阻和灵敏度都下降。 温度变化影响光敏电阻的光谱响应，尤其是响应于红外区的硫化铅光敏电阻受温度影响更大。 光敏二极管
（1）光谱特性：一般来讲，锗管的暗电流较大，因此性能较差，故在可见光或探测赤热状态物体时，一般都用硅管。但对红外光进行探测时，锗管较为适宜。 （2）伏安特性：光敏晶体管的光电流比相同管型的二极管大上百倍。
（3）温度特性：从特性曲线可以看出，温度变化对光电流影响很小，而对暗电流影响很大，所以在电子线路中应该对暗电流进行温度补偿，否则将会导致输出误差。 光电池
（1）光谱特性：光电池对不同波长的光的灵敏度是不同的。光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池在0.8μm附近，硒光电池在0.5μm附近。可见硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。
（2）光照特性：光电池在不同光照度下，光电流和光生电动势是不同的，它们之间的关系就是光照特性。短路电流在很大范围内与光照强度成线性关系，开路电压（负截电阻RL无限大时）与光照度的关系是非线性的，并且当照度在2000 lx时就趋于饱和了。因此光把电
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