南昌大学实验报告
基于Multisim的电路仿真实验报告
一、实验目的
利用multisim分析图所示电路中Rb、Rc和晶体管参数变化对Q点、Au、Ri、Ro和Uom的影响。
?二、仿真电路
晶体管采用虚拟晶体管，VCC?12V。
1、当Rc?5k?， Rb?510k?和Rb?1M?时电路图如下（图1）：
图 1
2、当Rb?510k?，Rc?5k?和Rc?10k?时电路图如下（图2）
图 2
3、当Rb?1M?时， Rc?5k?和Rc?10k?时的电路图如下（图3）
图 3
4、当Rb?510k?，Rc?5k?时，?=80，和?=100时的电路图如下（图4）
图 4
三、仿真内容
1. 当Rc?5k?时，分别测量Rb?510k?和Rb?1M?时的UCEQ和Au。由于输出
电压很小，为1mV，输出电压不失真，故可从万用表直流电压（为平均值）档读出静态管压降UCEQ。从示波器可读出输出电压的峰值。 2. 当Rb?510k?时，分别测量Rc?5k?和Rc?10k?时的UCEQ和Au。 3. 当Rb?1M?时，分别测量Rc?5k?和Rc?10k?时的UCEQ和Au。 4. 当Rb?510k?，Rc?5k?时，分别测量β=80，和β=100时的UCEQ和Au。
????四、仿真结果
1、当Rc?5k?，（表1 仿Rb?510k?和Rb?1M?时的UCEQ和Au仿真结果如下表真数据）
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