霍尔磁敏传感器原理与应用报告

霍尔磁敏传感器原理与应用

一. 引言

随着自动检测控制和信息技术的发展,对传感器的性能要求越来越高,一方面要求尽可能精确,可靠性要求高;另一方面要求价格尽可能廉价。霍尔传感器是一种理想器件。

磁敏传感器,顾名思义就是感知磁性物体的存在或者磁性强度(在有效范围内)这些磁性材料除永磁体外,还包括顺磁材料(铁、钴、 镍及其它们的合金)当然也可包括感知通电(直、交)线包或导线周围的磁场。传统的磁检测中首先被采用的是电感线圈为敏感元件。特点正是无须在线圈中通电,一般仅对运动中的永磁体或电流载体起敏感作用。后来发展为用线圈组成振荡槽路的。 如探雷器, 金属异物探测器,测磁通的磁通计等. (磁通门,振动样品磁强计)。

霍尔传感器是依据霍尔效应制成的器件。

霍尔效应:通电的载体在受到垂直于载体平面的外磁场作用时,则载流子受到洛伦兹力的作用, 并有向两边聚集的倾向,由于自由电子的聚集(一边多一边必然少)从而形成电势差, 在经过特殊工艺制备的半导体材料这种效应更为显著。从而形成了霍尔元件。早期的霍尔效应的材料Insb(锑化铟)。为增强对磁场的敏感度,在材料方面半导体IIIV 元素族都有所应用。近年来,除Insb之外,有硅衬底的,也

有砷化镓的。霍尔器件由于其工作机理的原因都制成全桥路器件,其内阻大约都在150Ω~500Ω之间。对线性传感器工作电流大约在2~10mA左右,一般采用恒流供电法。

Insb与硅衬底霍尔器件典型工作电流为10mA。而砷化镓典型工作电流为2 mA。作为低弱磁场测量,我们希望传感器自身所需的工作电流越低越好。(因为电源周围即有磁场,就不同程度引进误差。另外,目前的传感器对温度很敏感,通的电流大了,有一个自身加热问题。(温升)就造成传感器的零漂。这些方面除外附补偿电路外,在材料方面也在不断的进行改进。

霍尔传感器主要有两大类,一类为开关型器件,一类为线性霍尔器件,从结构形式(品种)及用量、产量前者大于后者。霍尔器件的响应速度大约在1us 量级。

以磁场作为媒介,利用霍尔传感器可以检测多种物理量,如位移、振动、转速、加速度、流量、电流、电功率等。它不仅可以实现非接触测量,并且采用永久磁铁产生磁场,不需附加能源。另外,霍尔传感器尺寸小、价格便宜、应用电路简单、性能可靠,因而获得极为广泛的应用。除了直接利用霍尔传感器外,还利用它开发出各种派生的传感器。

二. 工作原理

1.霍尔效应

通电的导体或半导体,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势的现象。

2.霍尔磁敏传感器工作原理

设霍耳片的长度为l,宽度为w,厚度为d。又设电子以均匀的速度v运动,则在垂直方向施加的磁感应强度B的作用下,它受到洛仑兹力

fL?evBe—电子电量(1.62×10-19C); v—电于运动速度。 同时,作用于电子的电场力

fE?eEH?eVH/w当达到动态平衡时

evB?eVH/wI?jw?d??nevw?dv??I/new?dVH??IB/ned电流密度

VH?IB/ped

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