《电路电子技术》复习题
1、计算图P1所示各电路，K打开时及闭合时的Ua、Ub及Uab。
图P1
2、电路如图P2所示，求Ux、Ix和电压源电流、电流源电压。
图P2
3、在图P3所示电路中，试求受控源提供的电流以及功率。 4、电路如图P4所示，若Us=－19.5 V，U1=1 V，试求R。
图P3 图P4
5、求图P5所示各二端网络的输入电阻Ri。
图P5
6、求图P6所示电路中的电流I及电压U1。
图P6
7、求图P7所示电路的输入电阻Ri。
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《电路电子技术》复习题
图P7 8、电路如图P8所示，用叠加定理求Ix。 9、电路如图P9所示，用叠加定理求Ix。
图P8 图P9
10、图P10所示电路中，各电源均在t=0时开始作用于电路，求uL(t)、iL(t)。已知电容电压初始值为零。 11、电路如图P11所示，已知uC(0)=0，求uC(t)，t≥0。
图P10 图P11
12、图P12所示电路中，施加于电路的电流源电流为is(t)=8cost－11sint A，已知u(t)=sint+2cost V，求iR(t)、iC(t)、iL(t)以及L并绘出相量图。
13、正弦稳态电路如图P13所示，已知uS(t)?2002cos(1000t??4)V。
?、U?和I?，并绘相量图； (1) 求Uabbc(2) 求uab、ubc和i；
(3) 计算uab和ubc间的相位差。
图P12 图P13
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《电路电子技术》复习题
14、图P14电路中，假定D都为理想二极管，设u2=12sinωt(V)，试分别画出UD和U0的波形,并标明各波形
的峰值。
++ R ++++5.0k RDD R 5.0k DDUUUUUU 1 1 1 2 1I o I 1 o I o
5.0V ---5.0V (a) (b) 图P14
--6V (c) 8V -15、画出图P15所示电路在 0≤t≤10ms时的输出电压波形，假定二极管为理想二极管。
R ui(t)V 200Ω + 500ΩD30 uo(t)ui(t)20 R - 5V10 - t(mS) 0 10 图P15
16、图P16电路中稳压管DZ1和DZ2的稳压值分别是8V和6V，正向压降为0．7V, ui=3+10Sinωt(V)，试画出uz和u0的波形.
R R
2kΩ 1kΩ + + + +
DDuuuu
DD- - - -
1 + 2 z1 i o i z1 o z2 z2 (a) (b)
R R Ω + + + + 500Ω 10kDD uuuuDD - - - -
(c) (d) 图P16
17、在某电子电路中，测得三个晶体管各电极电位如表P17所示，请问它们是硅管还是锗管?是NPN还是PNP 管 ? 1，2，3各是哪一电极(B、C、E) ? 表P17 z1 z1 i o i o z2 z2 甲 管 2 3 乙 管 1 4 - 3 -
丙 管 1 3.2 2 9 3 3．9 各电极对公 1 共端电位(V) -4 B C E 锗 （硅）管 NPN(PNP) 2 9.8 3 10 3．3 -8 《电路电子技术》复习题
18、表P18中列出了各晶体管电极对地实测数据，请分析各管： (1) 是锗管还是硅管 ? (2) 是PNP还是NPN ?
(3) 是处于放大、截止、饱和还是倒置状态，或是损坏了? 表P18 型 号 UB(V) UC(V) UE(V) 锗或硅 NPN或 PNP 工作 状态 3DK2B 3AX31C 3AG24 3DG8C 3AK20 3AD6A 3DG6B 2．73 2．3 2．0 －0．3 －5．0 0 3．0 0 12．0 －1．8 －3．0 －2．5 3．5 3CK2B 5．3 5．3 6．0 －12．3 15．74 －6．0 －18．0 15．0 3．5 －12．0 20．0 19、已知场效应管电路和场效应管的输出特性曲线如图P19所示，
当ui电压为1V、2V、3V、4V四种情况时MOS管的工作状态如何? 12V i（mA） 6k RU=4V 4
3 3．5V u2 +
3．0V u1 2．5V - 2．0V u（V） 0 12 4 8 16 图Ｐ19
20、放大电路如图Ｐ20示，电路中的电容器对输入交流信号可视为短路，根据构成放大电路的原则，试说明下面的各种电路对交流信号有无放大作用， 要说明其理由。 +V +V+V RRR DD GSo I DSCC CC CC C C C u u i i RB RB RB T uo ui T C uo ui T VBB uo (a) (b) (c) VCVCC C1 T RL T ui uo RB uo C2 RB +VCC T C2 RC RB RB C1 RC uo us C3R(d) (e) - 4 - VDD (f) VDD Rg1 RD RD C2 《电路电子技术》复习题
图Ｐ20
21、放大电路如图P21（a）所示。试按照给定参数，在图P21（b）中： （1） 画出直流负载线；
（2） 定出Q点（设VBEQ=0.7V）； （3） 画出交流负载线；
（4） 画出对应于iB 由0~100μA变化时，vCE的变化范围，并由此计算不失真输出电压Vo（正弦电压有
效值）。
图P21
22、图P22所示为场效应管的转移特性曲线。试问：IDSS、VP值为多大？ （1）根据给定曲线，估算当iD=1.5mA和iD=3.9mA时，gm约为多少？
di（2）根据gm的定义：gm?D，计算vGS= -1V和vGS= -3V时相对
dvGS应的gm值。
图
图P22
23、在图P23所示的放大电路中，三极管的β＝40，rbe＝0.8kΩ，VBE＝0.7V，各电容都足够大。试计算：
(1) 电路的静态工作点；
?V?(2) 求电路的中频源电压放大倍数Avs?o； ?Vs(3) 求电路的最大不失真输出电压幅值。
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