（ ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 （ ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 （ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是n0p0=ni2。 （ ）PN结空间电荷区宽度随反偏电压的增大而减小。 （ ）MOSFET只有一种载流子（电子或空穴）传输电流。 （ ）平衡PN结中费米能级处处相等。
（ ）双极性晶体管的放大作用是在工作在饱和区。
（ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α、β值，就必须提高发射结的注入系数和基区输运系数。
（ ）金属与N型半导体接触，如果金属的功函数大于半导体的功函数则形成欧姆接触，反之形成肖特基势垒接触。
（ ）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，双极型晶体管的发射极和集电极也是可以互换的。
1．下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ）
A金属 B 半导体 C 绝缘体 D超导体
2．受主杂质电离后向半导体提供（ ）
A 空穴 B 电子 C质子 D中子
3．硅中非平衡载流子的复合主要依靠（ ）
A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 D直接和间接复合
4．衡量电子填充能级水平的是（ ）
A 施主能级 B 费米能级 C受主能级 D 缺陷能级
5．室温下，半导体Si中掺硼的浓度为1014cm3，同时掺有浓度为1.1×1015cm
－
－3
的磷，则空穴浓度约为（ ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K时，ni≈2×1017cm-3）
A 1014cm-3 B 1015cm-3 C 1010cm-3 D 105cm-3
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6．MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS为半导体表面电
势；qVB=Ei-EF）
A VS=VB B VS=2VB C VS=0
7．晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ ）
A．较厚 B．较薄 C．很薄
8． pn结反偏状态下，空间电荷层的宽度随外加电压数值增加而（ ）。
A．展宽 B．变窄 C．不变
9．平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ）
A 发射区 B 基区 C 集电区
10．栅电压为零，沟道不存在，加上一个负电压才能形成电子沟道，该MOSFET
为（ ）
A. P沟道增强型 B. P沟道耗尽型 C. N沟道增强型 D. N沟道耗尽型
三、简答（每题5分，共30分） *半导体中的电荷输运机理？
半导体中存在两种基本的电荷输运机理，一种称谓载流子的漂移，漂移引起的载流子流动与外加电场有关；另一种电荷输运现象称谓载流子的扩散，它是由杂质浓度梯度引起的（或理解为有“扩散力”存在引起的电荷输运）。
*费米能级随掺杂浓度是如何变化的？
?E?EFi?利用n0?niexp?F??kT??E?EFi?p0?niexp??F?可分别求出： kT???n??p?EF?EFi?kTln?0?;EFi?EF?kTln?0??ni??ni??6? 如果掺杂浓度Na??ni，且Na??Nd利用（5）式得到，p0?Na；
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如果掺杂浓度Nd??ni，且Nd??Na利用（4）式得到，n0?Nd； 带入（6）式得：
?N??N?EF?EFi?kTln?d?;EFi?EF?kTln?a??ni??ni??7? 所以，随着施主掺杂浓度Nd的增大，N型半导体的费米能级EF远离本征费米能级EFi向导带靠近；同样，随着受主掺杂浓度Na的增大，P型半导体的费米能级
EF远离本征费米能级EFi向价带靠近。
*解释空间电荷区（或称耗尽区）
冶金结的两边的P区和N区，由于存在载流子浓度梯度而形成了空间电荷区或耗尽区。该区内不存在任何可移动的电子或空穴。N区内的空间电荷区由于存在着施主电离杂质而带正电，P区内的空间电荷区由于存在着受主电离杂质而带负电。
*解释空间电荷区的内建电场
空间电荷区的内建电场方向由N型空间电荷区指向P型空间电荷区。
*解释空间电荷区的内建电势差
空间电荷区两端的内建电势差维持着热平衡状态，阻止着N区的多子电子向P区扩散的同时，也阻止着P区的多子空穴向N区扩散。
*什么是空间电荷区复合电流和产生电流，它们是怎么产生的？
正偏压PN结空间电荷区边缘处的载流子浓度增加，以致；pn>ni2。这些过量载流子穿越空间电荷区，使得载流子浓度可能超过平衡值。因而在空间电荷区中这些过量载流子会有复合，所产生的电流叫做空间电荷区复合电流。
反偏压下PN结空间电荷区pn 《半导体器件物理》（A）卷 第 3 页 共 12 页