解：图示电路的A1组成同相比例运算电路，A2组成差动运算电路。先求解vO1，再求解vO。
?R3??vO1??1?vI1??R1??vO?? ???R5R5??vO1??1?vI2 ??R4R4??R5R4??R3?R5?????1?v?1?vI2 I1????R1?R4???
??R5?R5?????? ???1?v?v??1?vII1I2????R4?R4???4．一高输入电阻的桥式放大电路如图所示，试写出v= f (δ)的表达式（δ=ΔR/R）。
o
viRviv vo2?vB??i 22R??R2??解：
?RR2?R2R2?????vo??2vo1??1?v???R?Ro2R?4?2??viR1R?1?121??vo1?vA?5．图示电路中，A1，A2，A3均为理想运放。
（1）A1，A2，A3分别组成何种基本运算电路；
（2）列出vO1，vO2，vO的表达式。
6
解：（1）同相比例运算电路、反相求和运算电路、差动运算电路。
vo1?3vi1 vo2??vi2?2vi3 （2）
?100?100vo??2vo1??1?vo2??2(vo1?vo2)??2(3vi1?vi2?2vi3)?50150??I3 的运算结果：vO = f (vI1、vI2、vI3)。
6．试写出图示加法器对v、v、v
I1
I2
解：A2的输出vO2=-(10/5)vI2-(10/100)vI3=-2vI2-0.1vI3 vO=-(100/20)vI1-(100/100)vO2=-5vI1+2vI2+0.1vI3
7．在图示电路中，已知输入电压vi的波形如图（b）所示，当t＝0时，电容C上的电压vC＝0。试画出输出电压vo的波形。
7
1t2vidt?vC( t1)?tRC11当 v为常数时 v??vi( t2?t1)?vC( t1)?-100 vi( t2-t1)?vC( t1)io解：
RC若 t1?0, vC?0, t2?5ms 时 vo??100?5?5?10?3??2.5V vo??若 t1?5ms, vC?-2.5V, t2?15ms 时 vo?-100?(-5)?10?10?3?(?2.5)?2.5V
8．设计一反相放大器，电路如图所示，要求电压增益
Av?voR??2??10 R2?10R1viR1vi?2mA ， R1?0.5kΩ， R2?5kΩ R1Av=vo/vi=-10，当输入电压vi=-1V
时，流过R1和R2的电流小于2mA，求R1和R2的最小值。
解：当 vi??1V 时，有 取 R1?510Ω ，R2?5.1kΩ
第三章 二极管及其基本电路
一、填空题：
1．制作电子器件的常用材料主要采用 硅和锗 。 2．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．本征半导体是指 完全纯净的、结构完整的半导体晶体 。P型半导体中的少子是 电子 ，多子是 空穴 ， N型半导体中的少子是 空穴 ，多子是 电子 。
4．半导体中参与导电的有 两 种载流子，分别是 电子 和 空穴 ，导体中参与导电的有 一 种载流子，是 电子 。
5．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流IS将增大，这是因为此时PN结内部的 B 。
A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小
6．半导体PN结中内电场E，是由 空间电荷区 产生的，当将 反向 电压加在PN结两端时，其PN结内
8
电场E增强。PN结 不易 （不易/容易）导通。
7．二极管导通时，其正向电压应该比门坎电压 高 （高/低），硅管的正向导通电压约为 0.7 V，锗管的正向导通电压约为 0.2 V。
8．稳压管是一种 特殊工艺制造的面接触型硅二极管 二极管。除了用于限幅电路之外，主要用于稳压电路，其稳压性体现在电流增量 很大 ，只引起很小的 电压 变化，此时稳压管应工作于 反向电击穿 区。 9．发光二极管正常工作时，外加 A 电压；而光电二极管正常工作时，外加 B 电压。
A．正向 B．反向 C．击穿
10．某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5V（正向偏置）和－5V（反向偏置）时， 稳压管两端的最终电压分别为 D 。
A. +5V和-5V B. -5V 和+4V C. +4V和-0.7V D. +0.7V和-4V
11．PN结的结电容包括 扩散电容 和 势垒电容 。当在PN结两端施加正向电压时，空间电荷区 将 变窄 ， 扩散 电容将增大。
12．发光二极管是将 电能转换成光能 的器件；而光电二极管是将 光能转换成电能 的器件。
二、已知u＝5sinωt (V)，二
I
极管导通电压UD＝0.7V。试画出uI与
uO的波形，并标出幅值。
三、二极管的正向伏安特性曲线如图所示，室温下测得二极
管中的电流为20mA。试确定二极管的直流电阻RD和动态电阻rd的大小。
解：由图可见，ID=20mA时的UD=0.67V，则直流电阻RD为
9
RD?UD0.67V??33.5Ω ID20mA过ID=20mA处，作一条切线，求切线斜率，可求得动态电阻rd为
rd?
ΔUD0.026V??1.3Ω ΔiD30mA-10mA四、在下面图示电路中，设 uI =12sinωt（V），试分别画出iD、uD和uO的波形（要求时间坐标对齐），并将
二极管电流iD的峰值和其所承受的反向电压峰值标于图中（假定D为理想二极管）。
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