?和Ri； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的Au （3）求出Ro。
解：（1）IBQ≈32.3μA，IEQ≈2.61 mA，UCEQ≈7.17V；
??（2）RL??: Ri?Rb//?rbe?(1??)Re??110kΩ Au(1??)Rc?0.996
rbe?(1??)Re(1??)Rc//RL?0.992rbe?(1??)(Re//RL)??RL?3kΩ: Ri?Rb//?rbe?(1??)(Re//RL)??76kΩ Au（3）Ro?Re//(Rs//Rb)?rbe?37Ω
1??二、共基电路如图所
设?＝49，Rs＝0，RL输入电阻和输出电阻。
解：rbe?200?(1?49)示。射极电路里接入一恒流源，＝∞。试确定电路的电压增益、
26?1500Ω?1.5kΩ 1???Rc?163 R?rbe?30Ω R?R?5kΩ Auiocrbe1??三、按要求填写下表
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连接方式（e、c、b） 电路名称 公共极 输入极 输出极 共射电路 共集电路 共基电路 e c b b b e c e c 性能比较（大、中、小） ? Au大 小 大 ? AiRi 中 大 小 Ro 大 小 大 其它 针对固定式偏置电路 大 大 小 频带宽 §4.6
一、判断图4.6.1所示各两级放大电路中，T1和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电容
对于交流信号均可视为短路。 答：
（a）共射——共基；（b）共射——共射；（c）共集——共基。
§4.7
一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。 A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化
（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作用时放大倍数数值
降的原因是 A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在
B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适
（3）当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 B 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 A 。
A.3dB B.4dB C.5dB
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?与U?相位关系是 C 。 （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ fL时，Uoi A.＋45?
B.－90? C.－135?
?与U?的相位关系是 C 。 当f ＝ fH时，Uoi A.－45? B.－135? C.－225?
?的表达式并确定电路的中频增益Ausm、上限频二、已知某共射放大电路的波特图如下图所示，试写出Au率fH、下限频率fL。
题4.7.2图
??解： Au?100?1??10??ff???????1?j1?j1?j1?j???57?????f??f??2.5?10??10??
Ausm=100 ， fH≈2.5×105Hz ， fL≈10Hz
??三、已知某放大电路的增益表达式为Au?32，试画出其波特图。并确定电路的中频增
?10??f???1?1?j?5???j f10????fH=105Hz ， fL=10Hz
益Ausm、上限频率fH、下限频率fL。 解：Ausm=32
，
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第五章 场效应管放大电路
一、填空题：
1． FET有两种主要类型即（MOSFET） 和（JFET），FET是利用（电场效应）来控制其电流大小的半导体器件。
2．在MOSFET中，从导电载流子的带电极性来看，有（N沟道）管和（P沟道）管之分；而按照导电沟道形成机理不同NMOS管和PMOS管又各有（增强）型和（耗尽）型两种。因此，MOSFET有四种：（增强型N沟道管））、（增强型P沟道管））、（耗尽型N沟道管）和（耗尽型P沟道管）。 3．结型场效应管发生预夹断后，管子将进入（恒流）区工作。 4．增强型PMOS管的开启电压（小于零）。
5．当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（增大）。 6． 当UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（结型管）、（耗尽型MOS管）。
二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
1．结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证栅极电流iG≈0。（ √ ） 2．若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ × ）
3．增强型MOSFET由于栅极与源极、漏极均无电接触，故称绝缘栅极。那么，耗尽型MOSFET的栅极将是不绝缘的。（ × ）
4．开启电压是耗尽型FET的参数，而夹断电压是增强型MOSFET的参数。（ × ）
三、绝缘栅场效应管漏源特性曲线如图题（a）~（d）所示。说明图（a）~（d）曲线对应何种类型的场效应管。根据图中曲线粗略地估计：开启电压UT、夹断电压UP和漏极电流IDSS或IDO的数值。
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解： 图(a)：增强型N沟道MOS管，UT ≈3V，IDO≈3mA； 图(b)：增强型P沟道MOS管，UT ≈-2V，IDO≈2mA； 图(c)：耗尽型型P沟道MOS管，UP ≈2V，IDSS≈2mA； 图(d)：耗尽型型N沟道MOS管，UP ≈-3V，IDSS≈3mA。 四、试写出以下FET符号所代表的管子类型。
五、已知场效应管的输出特性曲线如图所示，画出它在饱和区的转移特性曲线。
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