芯片可靠性测试
质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就是what, how , where 的问题了。
? ?解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。
? ?Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求，是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。
? ?知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各种各样的标准，如 ? ?? ?MIT-STD-883E Method 1005.8 ? ?? ?JESD22-A108-A ? ?? ?EIAJED- 4701-D101 等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依，从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的回答Reliability的问题
在简单的介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认识一下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线（Bathtub Curve）来表示，如图所示
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——仅供参考
Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）。这个阶段产品的 failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生产过程中的缺陷；
Region (II) 被称为使用期（Useful life period）。 在这个阶段产品的failure rate保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如EOS，温度变化等等；
Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）。在这个阶段failure rate 会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造成的老化等。
? ?认识了典型IC产品的生命周期，我们就可以看到，Reliability的问题就是要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率，预计产品的使用期，并且找到failure的原因，尤其是在IC生产，封装，存储等方面出现的问题所造成的失效原因。 ?? ?下面就是一些 IC Product Level reliability test items ? >Robustness test items ESD, Latch-up ? ?? ?对于Robustness test items 听到的ESD，Latch-up 问题，有很多的精彩的说明，这里就不再锦上添花了。下面详细介绍其他的测试方法。 ? >Life test items ? ? ?? ?? ???EFR, OLT (HTOL), LTOL ? ?? ?? ? EFR:? ?Early fail Rate Test Purpose:??评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的产品。 Test condition:??在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 Failure Mechanisms：材料或工艺的缺陷包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀，离子玷污等由于生产造成的失效 Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准 ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???MIT-STD-883E Method 1015.9 ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???JESD22-A108-A ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???EIAJED- 4701-D101
? ? HTOL/ LTOL：High/ Low Temperature Operating Life Purpose:??评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 Test condition:??125?C，1.1VCC, 动态测试
Failure Mechanisms：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等
——仅供参考
? ? Reference：? ? 简单的标准如下表所示，125?C条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150?C 测试保证使用8年，2000小时保证使用28年。
? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?125?C? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? 150?C ? ?? ?? ?? ? 1000 hrs? ?? ?? ?? ?? ?? ???4 years? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ? 8??years ? ?? ?? ?? ? 2000 hrs? ?? ?? ?? ?? ?? ???8 years? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?28 years
? ?? ?? ?? ?具体的测试条件和估算结果可参考以下标准 ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???MIT-STD-883E Method 1005.8 ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???JESD22-A108-A ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???EIAJED- 4701-D101
? >Environmental test items ???PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test, ? ?? ?? ?? ?? ???Solder Heat Test ? ??? ? ?? ???PRE-CON: Precondition Test ? ?? ? ? ? Purpose: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就是IC从生产到使用之间存储的可靠性。 ? ? Test Flow:? ? ? ?? ?? ?? ?? ?? ???Step 1:??SAM (Scanning Acoustic Microscopy) ? ?? ?? ?? ?? ?? ???Step 2:??Temperature cycling ? ?? ?? ? - 40?C(or lower) ~ 60?C(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditions ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???Step 3: Baking
? ?? ?? ? At minimum 125?C for 24 hours to remove all moisture from the package ? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ???Step 4: Soaking ? ?? ?? ? Using one of following soak conditions
? ?? ?? ?? ?? ? -Level 1: 85?C / 85%RH for 168 hrs （多久都没关系）
? ?? ?? ?? ?? ? -Level 1: 85?C / 60%RH for 168 hrs （一年左右）? ?? ?? ?? ?? ?? ?
——仅供参考