4/13:第三章习题
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位数目。 2. 3.
Nb的晶体结构为bcc,其晶格常数为0.3294nm,密度为8.57g/cm, 试求每10Nb中所含空
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若fcc的Cu中每500个原子会失去一个,其晶格常数为0.3615nm,试求Cu的密度。 MgO的密度为3.58g/cm,其晶格常数为0.42nm,试求每个MgO单位晶胞内所含的Schottky缺陷之数目。
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4. 若在MgF2中溶入LiF,则必须向MgF2中引入何种形式的空位(阴离子或阳离子)?相反,若欲使LiF中溶入MgF2,则需向LiF中引入何种形式的空位(阴离子或阳离子)?
5. 若Fe2O3固溶于NiO中,其质量分数w(Fe2O3)为10%。此时,部分3Ni被(2Fe+□)取代以维持电荷平衡。已知
rO2??0.140nm2+3+
,
rNi2??0.069nm,
rFe3??0.064nm,求1m
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中有多少个阳离子空位数? 6.
某晶体中形成一个空位所需要的激活能为0.32×10
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J。在800℃时,1×10个原子中有一
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个空位,在何种温度时,10个原子中含有一个空位? 7.
已知Al为fcc晶体结构,其点阵常数a=0.405nm,在550℃式的空位浓度为2×10,计算这些空位平均分布在晶体中的平均间距。 8.
在Fe中形成1mol空位的能量为104.675kJ,试计算从20℃升温至 850℃时空位数目增加多少倍?
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9. 假定有一个b在[010]晶向的刃型位错沿着(100)晶面滑动,a)如果有另一个柏氏矢量在[010]
方向,沿着(001)晶面上运动的刃型位错,通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶?b)如果有一个b方向为[100],并在(001)晶面上滑动的螺型位错通过上述位错,试问它将发生扭折还是割阶?
10. 试分析在fcc中,下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型?反应后生成的
新位错能否在滑移面上运动?
a2?101??a?121??a?111?63
11. Ni晶体的错排间距为2000nm,假设每一个错排都是由一个额外的(110)原子面所产生的,
计算其小倾角晶界的?角。
12. 若由于嵌入一额外的(111)面,使得?-Fe内产生一个倾斜1°的小角度晶界,试求错排间
的平均距离。
13. 设有两个?晶粒与一个β相晶粒相交于一公共晶棱,并形成三叉晶界,已知β相所张的两
面角为100°,界面能???为0.31Jm,试求?相与β相的界面能??β。
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