4/13：第三章习题
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位数目。 2. 3.
Nb的晶体结构为bcc，其晶格常数为0.3294nm，密度为8.57g/cm, 试求每10Nb中所含空
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若fcc的Cu中每500个原子会失去一个，其晶格常数为0.3615nm，试求Cu的密度。 MgO的密度为3.58g/cm,其晶格常数为0.42nm，试求每个MgO单位晶胞内所含的Schottky缺陷之数目。
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4. 若在MgF2中溶入LiF，则必须向MgF2中引入何种形式的空位（阴离子或阳离子）？相反，若欲使LiF中溶入MgF2，则需向LiF中引入何种形式的空位（阴离子或阳离子）？
5. 若Fe2O3固溶于NiO中，其质量分数w(Fe2O3)为10%。此时，部分3Ni被（2Fe+□）取代以维持电荷平衡。已知
rO2??0.140nm2+3+
，
rNi2??0.069nm，
rFe3??0.064nm，求1m
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中有多少个阳离子空位数？ 6.
某晶体中形成一个空位所需要的激活能为0.32×10
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J。在800℃时，1×10个原子中有一
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个空位，在何种温度时，10个原子中含有一个空位？ 7.
已知Al为fcc晶体结构，其点阵常数a=0.405nm，在550℃式的空位浓度为2×10，计算这些空位平均分布在晶体中的平均间距。 8.
在Fe中形成1mol空位的能量为104.675kJ，试计算从20℃升温至 850℃时空位数目增加多少倍？
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9. 假定有一个b在[010]晶向的刃型位错沿着（100）晶面滑动，a)如果有另一个柏氏矢量在[010]
方向，沿着（001）晶面上运动的刃型位错，通过上述位错时该位错将发生扭折还是割阶？b)如果有一个b方向为[100]，并在（001）晶面上滑动的螺型位错通过上述位错，试问它将发生扭折还是割阶？
10. 试分析在fcc中，下列位错反应能否进行?并指出其中三个位错的性质类型？反应后生成的
新位错能否在滑移面上运动？
a2?101??a?121??a?111?63
11. Ni晶体的错排间距为2000nm，假设每一个错排都是由一个额外的（110）原子面所产生的，
计算其小倾角晶界的?角。
12. 若由于嵌入一额外的（111）面，使得?-Fe内产生一个倾斜1°的小角度晶界，试求错排间
的平均距离。
13. 设有两个?晶粒与一个β相晶粒相交于一公共晶棱，并形成三叉晶界，已知β相所张的两
面角为100°，界面能???为0.31Jm，试求?相与β相的界面能??β。
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