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(单选题)1: 普通晶闸管是一种单向导电器件，它在电压阻断能力方面的特点是（ ）。 A: 仅具有正向电压阻断能力 B: 仅具有反向电压阻断能力 C: 正、反向电压阻断能力都具备
D: 接入反并联二极管时，正、反向电压阻断能力才都具备 正确答案:
(单选题)2: SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中，按开关频率从低到高依次排列的顺序为（ ）。 A: SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT B: SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT C: GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE D: SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE 正确答案:
(单选题)3: 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，逆变角的变化范围为（ ）。 A: 0°～120° B: 0°～90° C: 90°～180° D: 0°～150° 正确答案:
(单选题)4: 对于可控整流电路，其换流重叠角大小的影响因素，主要包括（ ）。 A: 变压器等效漏感LB B: 直流侧电流Id
C: A、B两个方面都有影响
D: Ud代表的平均值电压的增加量 正确答案:
(单选题)5: 通常电压型PWM逆变器是通过改变（ ）来改变输出基波电压有效值大小的。 A: 直流侧电压Ud B: 调制比
C: 载频三角波频率 D: 正弦调制波频率 正确答案:
(单选题)6: 直流斩波电路是一种（）变换电路。 A: AC/AC B: DC/AC C: DC/DC D: AC/DC 正确答案:
(单选题)7: 晶闸管的三个引出电极分别是（ ）。 A: 阳极、阴极、门极 B: 阳极、阴极、栅极 C: 栅极、漏极、源极 D: 发射极、基极、集电极 正确答案:
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(单选题)8: 单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值应该等于整流前交流电压的（）倍。 A: 1 B: 0.5 C: 0.45 D: 0.9 正确答案:
(单选题)9: 驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口（ ）。 A: 缓冲电路 B: 保护电路 C: 控制电路 D: 滤波电路 正确答案:
(单选题)10: 单相半控桥，带电感性负载，晶闸管的导通角为（ ）。 A: 90° B: 180° C: 120° D: 150° 正确答案:
(单选题)11: 全控器件在开关频率较高时，使器件损耗增加的主要因素是（ ）。 A: 通态损耗 B: 断态损耗 C: 开关损耗 正确答案:
(单选题)12: 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。 A: GTR B: MOSFET C: IGBT 正确答案:
(单选题)13: 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。 A: GTO B: GTR C: MOSFET 正确答案:
(单选题)14: 下列那种器件属于全控器件（ ）。 A: IGBT B: SR C: SCR
D: 双向晶闸管 正确答案:
(单选题)15: 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（ ）。 A: 有源逆变器 B: A/D变换器
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C: D/A变换器 D: 无源逆变器 正确答案:
(单选题)16: 若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（）。 A: 增大三角波幅度 B: 增大三角波频率 C: 增大正弦调制波频率 D: 增大正弦调制波幅度 正确答案:
(单选题)17: 三相全控桥式整流器的换流方式（ ）。 A: 器件换流 B: 负载换流 C: 电网换流 D: 强迫换流 正确答案:
(单选题)18: 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。 A: 三极管 B: 续流二极管 C: 保险丝
D: 电力场效应晶体管 正确答案:
(单选题)19: 在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是（ ）。 A: U B: 0
C: 1.414U2 D: 1.732U2 正确答案:
(单选题)20: 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类，由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为（ ）。 A: 单极型器件 B: 双极型器件 C: 复合型器件 正确答案:
(单选题)1: 普通晶闸管是一种单向导电器件，它在电压阻断能力方面的特点是（ ）。 A: 仅具有正向电压阻断能力 B: 仅具有反向电压阻断能力 C: 正、反向电压阻断能力都具备
D: 接入反并联二极管时，正、反向电压阻断能力才都具备 正确答案:
(单选题)2: SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中，按开关频率从低到高依次排列的顺序为（ ）。 A: SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT B: SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
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C: GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE D: SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE 正确答案:
(单选题)3: 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，逆变角的变化范围为（ ）。 A: 0°～120° B: 0°～90° C: 90°～180° D: 0°～150° 正确答案:
(单选题)4: 对于可控整流电路，其换流重叠角大小的影响因素，主要包括（ ）。 A: 变压器等效漏感LB B: 直流侧电流Id
C: A、B两个方面都有影响
D: Ud代表的平均值电压的增加量 正确答案:
(单选题)5: 通常电压型PWM逆变器是通过改变（ ）来改变输出基波电压有效值大小的。 A: 直流侧电压Ud B: 调制比
C: 载频三角波频率 D: 正弦调制波频率 正确答案:
(单选题)6: 直流斩波电路是一种（）变换电路。 A: AC/AC B: DC/AC C: DC/DC D: AC/DC 正确答案:
(单选题)7: 晶闸管的三个引出电极分别是（ ）。 A: 阳极、阴极、门极 B: 阳极、阴极、栅极 C: 栅极、漏极、源极 D: 发射极、基极、集电极 正确答案:
(单选题)8: 单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值应该等于整流前交流电压的（）倍。 A: 1 B: 0.5 C: 0.45 D: 0.9 正确答案:
(单选题)9: 驱动电路是电力电子器件主电路与哪种电路之间的接口（ ）。 A: 缓冲电路 B: 保护电路
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C: 控制电路 D: 滤波电路 正确答案:
(单选题)10: 单相半控桥，带电感性负载，晶闸管的导通角为（ ）。 A: 90° B: 180° C: 120° D: 150° 正确答案:
(单选题)11: 全控器件在开关频率较高时，使器件损耗增加的主要因素是（ ）。 A: 通态损耗 B: 断态损耗 C: 开关损耗 正确答案:
(单选题)12: 下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）。 A: GTR B: MOSFET C: IGBT 正确答案:
(单选题)13: 比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。 A: GTO B: GTR C: MOSFET 正确答案:
(单选题)14: 下列那种器件属于全控器件（ ）。 A: IGBT B: SR C: SCR
D: 双向晶闸管 正确答案:
(单选题)15: 将直流电能转换为交流电能馈送给交流电网的变流器是（ ）。 A: 有源逆变器 B: A/D变换器 C: D/A变换器 D: 无源逆变器 正确答案:
(单选题)16: 若增大SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是（）。 A: 增大三角波幅度 B: 增大三角波频率 C: 增大正弦调制波频率 D: 增大正弦调制波幅度 正确答案:
(单选题)17: 三相全控桥式整流器的换流方式（ ）。
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A: 器件换流 B: 负载换流 C: 电网换流 D: 强迫换流 正确答案:
(单选题)18: 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。 A: 三极管 B: 续流二极管 C: 保险丝
D: 电力场效应晶体管 正确答案:
(单选题)19: 在大电感负载三相全控桥中，当α=90°时，整流电路的输出是（ ）。 A: U B: 0
C: 1.414U2 D: 1.732U2 正确答案:
(单选题)20: 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可知分类，由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为（ ）。 A: 单极型器件 B: 双极型器件 C: 复合型器件 正确答案: