电工学第一章习题

一、填空题：

1. PN结的单向导电性指的是。

2. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为V和V。 3. 晶体三极管有两个PN结，分别是和，分三个区域区、区和区。

4. 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为状态。

5. 物质按导电能力强弱可分为、和。

6. 本征半导体掺入微量的三价元素形成的是型半导体，其多子为。

7. 某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为极，管脚“2”为极，管脚“3”为极，且属于材料型三极管。

8.电阻始终是元件。电容和电感是元件，它们不消耗电能。电容可以把电能转换成存储和释放；电感可以把电能转换成存储和释放。

9.当晶体管处在放大状态时，发射结，集电结。对于PNP型晶体管来说，集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足，对于NPN型晶体管来说，集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足。

10.对于某一元件，关联参考方向下，如果P<0，则该元件(吸收或发出)功率，（消耗或提供）电能，起（负载或电源）作用。 11. 电路如图所示，欲使电压源输出功率为零，则电阻R为____, 所吸收功率为______W。

12.电路一般由、、和控制装置四个部分组成。

13电路中某点的电位与参考点的选择，两点间的电压与参考点的选择。 14.电路通常有、和三种状态。

15. 电路图上标示的电流、电压方向称为，假定某元件是负载时，该元件两端的电压和通过元件的电流方向应为方向。

二、选择题

16.晶体管能实现放大的内部结构条件是（）。 A.两个背靠背的PN结 B.空穴和电子都参与了导电 C.有三个掺杂浓度不一样的域

D.发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，并且基区很薄，集电结面积比发射结大 17.已知图 1所示电路中的 US =10 V， IS = 13 A。电阻 R1 和 R2 消耗的功率由 ( )供给。 (a) 电压源 (b) 电流源

18.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（）。

(A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率

(C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗

19.关于电位下列说法不正确的是( )。

A、参考点的电位为零,VX某点电位为正，说明该点电位比参考点高； B、参考点的电位为零,VX某点电位为负，说明该点电位比参考点低。 C 、选取不同的参考点，电路中各点的电位也将随之改变；

D、电路中两点间的电压值是固定的，与零电位参考点的选取有关。 20.图中a、b间的等效电阻??????为：（） A）2Ω； B）6Ω； C）14Ω。

21.电路如图所示, US为独立电压源, 若外电路不变, 仅电阻R变化时, 将会引起 ( )

A. 端电压U的变化 B. 输出电流I的变化

C. 电阻R支路电流的变化 D. 上述三者同时变化

22.电流源开路时，该电流源内部（）。 A．有电流，有功率损耗 B．无电流，无功率损耗 C．有电流，无功率损耗

23.稳压二极管工作在伏安特性的（） A、死区

B、正向导通区 C、反向截止区 D、反向击穿区

24.如图一所示，电源E1=6V，E2=12V，电阻R1=R2=R3=R4=R5，那么电阻R3两端的电压为（）

A、6V B、4.5V C、4V D、2V

三、简答题

25.如何判断元件在电路中起负载作用还是电源作用。

26. 简述电压源的特性。

27.简述晶体管处于放大状态时具有的电压电流特性。

28.试总结晶体三极管分别工作在放大、饱和、截止三种工作状态时，三极管中的两个PN结所具有的特点。

四.判断题

29. 理想电流源输出恒定的电流，其输出端电压由内电阻决定。（）

30. 电压是产生电流的根本原因。因此电路中有电压必有电流。（） 31. 绝缘体两端的电压无论再高，都不可能通过电流。（） 32. 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。（） 33. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。（）

五、计算题

34.应用等效电源的变换，化简下图所示的各电路。