常用半导体器件
一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（√） （2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（×） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（×）
（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（×） （5）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（√）
二、选择正确答案填入空内。
（1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿
（3）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （4）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A C 。
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管
（5）在本征半导体中加入 A 元素可形成N型半导体，加入 C 元素可形成P型半导体。
A. 五价 B. 四价 C. 三价
（6）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小
（7）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100
三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
图T1.3
四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4
所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
图T1.4
五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。
图T1.5
六．测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表T1.6所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态 (截止区、恒流区、可变电阻区)，并填入表内。
表T1.6
管 号 UGS（th）/V T1 T2 T3 4 －4 －4 －5 3 6 1 3 0 3 10 5 US/V UG/V UD/V 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区
基本放大电路
一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1） 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。(√ )
（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，(√)它只能放大交流信号。(× ) （3）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，(√)它只能放大直流信号。(×) （4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。(×) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。( √ )
（6）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。( × )
（7）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。(√ )
（8）当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。( × )
二、现有基本放大电路：
A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路。根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1kΩ至2kΩ，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 A ，第二级应采用 A 。
（2）要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第一级应采用 D ，第二级应采用 A 。
（3）要求输入电阻为100kΩ～200kΩ，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 B ，第二级应采用 A 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10MΩ，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 D ，第二级应采用 B 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且Au>1000，输出电阻Ro＜100，第一级应采用 C ，第二级应采用 B 。
三、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率 B.输入电压频率不变，改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化
（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 B ，而低频信号作