芯片质量与可靠性测试
质量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以说是IC产品的生 命，好的品质，长久的耐力往往就是一颗优秀IC产品的竞争力所在。在做产品 验证时我们往往会遇到三个问题，验证什么，如何去验证，哪里去验证，这就 是what, how , where 的问题了。
解决了这三个问题，质量和可靠性就有了保证，制造商才可以大量地将产 品推向市场，客户才可以放心地使用产品。本文将目前较为流行的测试方法加 以简单归类和阐述，力求达到抛砖引玉的作用。
Quality 就是产品性能的测量，它回答了一个产品是否合乎SPEC的要求， 是否符合各项性能指标的问题；Reliability则是对产品耐久力的测量，它回答了 一个产品生命周期有多长，简单说，它能用多久的问题。所以说Quality解决的 是现阶段的问题，Reliability解决的是一段时间以后的问题。
知道了两者的区别，我们发现，Quality的问题解决方法往往比较直接，设 计和制造单位在产品生产出来后，通过简单的测试，就可以知道产品的性能是 否达到SPEC 的要求，这种测试在IC的设计和制造单位就可以进行。相对而 言，Reliability的问题似乎就变的十分棘手，这个产品能用多久，who knows? 谁 会能保证今天产品能用，明天就一定能用？为了解决这个问题，人们制定了各 种各样的标准，如
MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101
等等，这些标准林林总总，方方面面，都是建立在长久以来IC设计，制造和使用的经验 的基础上，规定了IC测试的条件，如温度，湿度，电压，偏压，测试方法等，获得标准 的测试结果。这些标准的制定使得IC测试变得不再盲目，变得有章可循，有法可依， 从而很好的解决的what，how的问题。而Where的问题，由于Reliability的测试需要 专业的设备，专业的器材和较长的时间，这就需要专业的测试单位。这种单位提供专业 的测试机台，并且根据国际标准进行测试，提供给客户完备的测试报告，并且力求准确的 回答Reliability的问题
在简单的介绍一些目前较为流行的Reliability的测试方法之前，我们先来认 识一下IC产品的生命周期。典型的IC产品的生命周期可以用一条浴缸曲线 （Bathtub Curve）来表示，如图所示
Region (I) 被称为早夭期（Infancy period）
这个阶段产品的 failure rate 快速下降，造成失效的原因在于IC设计和生 产过程中的缺陷；
Region (II) 被称为使用期（Useful life period）
在这个阶段产品的failure rate保持稳定，失效的原因往往是随机的，比如 EOS，温度变化等等；
Region (III) 被称为磨耗期（Wear-Out period）
在这个阶段failure rate 会快速升高，失效的原因就是产品的长期使用所造 成的老化等。
认识了典型IC产品的生命周期，我们就可以看到，Reliability的问题就是 要力图将处于早夭期failure的产品去除并估算其良率，预计产品的使用期，并 且找到failure的原因，尤其是在IC生产，封装，存储等方面出现的问题所造成 的失效原因。
下面就是一些 IC Product Level reliability test items
>Robustness test items ESD, Latch-up
对于Robustness test items 听到的ESD，Latch-up 问题，有很多的精彩的说 明，这里就不再锦上添花了。下面详细介绍其他的测试方法。
>Life test items
EFR, OLT (HTOL), LTOL
EFR: Early fail Rate Test
Purpose: 评估工艺的稳定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的 产品。
Test condition: 在特定时间内动态提升温度和电压对产品进行测试 Failure Mechanisms：材料或工艺的缺陷包括诸如氧化层缺陷，金属刻镀， 离子玷污等由于生产造成的失效 Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准 MIT-STD-883E Method 1015.9 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101
HTOL/ LTOL：High/ Low Temperature Operating Life
Purpose: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 Test condition: 125?C，1.1VCC, 动态测试
Failure Mechanisms：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子 玷污等
Reference： 简单的标准如下表所示，125?C条件下1000小时测试通过 IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150?C 测试保证使用 8年，2000小时保证使用28年。
125?C 150?C 1000 hrs 4 years 8 years 2000 hrs 8 years 28 years
具体的测试条件和估算结果可参考以下标准 MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101
>Environmental test items
PRE-CON, THB, HAST, PCT, TCT, TST, HTST, Solderability Test, Solder Heat Test
PRE-CON: Precondition Test
Purpose: 模拟IC在使用之前在一定湿度，温度条件下存储的耐久力，也就 是IC从生产到使用之间存储的可靠性。 Test Flow:
Step 1: SAM (Scanning Acoustic Microscopy) Step 2: Temperature cycling
- 40?C(or lower) ~ 60?C(or higher) for 5 cycles to simulate shipping conditions Step 3: Baking
At minimum 125?C for 24 hours to remove all moisture from the package Step 4: Soaking
Using one of following soak conditions
-Level 1: 85?C / 85%RH for 168 hrs （多久都没关系）
-Level 1: 85?C / 60%RH for 168 hrs （一年左右） -Level 1: 30?C / 60%RH for 192 hrs （一周左右） Step5: Reflow
240?C (- 5?C) / 225?C (-5?C) for 3 times (Pb-Sn) 245?C (- 5?C) / 250?C (-5?C) for 3 times (Lead-free) * choose according the package size
Failure Mechanisms: 封装破裂，分层
Reference：具体的测试条件和估算结果可参考以下标准 JESD22-A113-D EIAJED- 4701-B101