48、要降低基极电阻rbb?，应当（ ）基区掺杂浓度，（ ）基区宽度。 49、无源基区重掺杂的目的是（ ）。
50、发射极增量电阻re的表达式是（ ）。室温下当发射极电流为1mA时，re =（ ）。 51、随着信号频率的提高，晶体管的??、??的幅度会（ ），相角会（ ）。 52、在高频下，基区渡越时间?b对晶体管有三个作用，它们是：（ ）、
（ ）和（ ）。
53、基区渡越时间?b是指（ ）。当基区宽度加倍时，基区
渡越时间增大到原来的（ ）倍。
54、晶体管的共基极电流放大系数??随频率的（ ）而下降。当晶体管的??下降到
（ ）时的频率，称为?的截止频率，记为（ ）。
55、晶体管的共发射极电流放大系数??随频率的（ ）而下降。当晶体管的??下降
1?0时的频率，称为?的（ ）到，记为（ ）。 256、当f??f?时，频率每加倍，晶体管的??降到原来的（ ）；最大功率增益Kpmax降
到原来的（ ）。
57、当（ ）降到1时的频率称为特征频率fT。当（ ）降到1时的频率称为最高
振荡频率fM。
58、当??降到（ ）时的频率称为特征频率fT。当Kpmax降到（ ）时的频率称为最高
振荡频率fM。
59、晶体管的高频优值M是（ ）与（ ）的乘积。
60、晶体管在高频小信号应用时与直流应用时相比，要多考虑三个电容的作用，它们是
（ ）电容、（ ）电容和（ ）电容。
61、对于频率不是特别高的一般高频管，?ec中以（ ）为主，这时提高特征频率fT的主
要措施是（ ）。
62、为了提高晶体管的最高振荡频率fM ，应当使特征频率fT（ ），基极电阻rbb（，? ）
集电结势垒电容CTC（ ）。
63、对高频晶体管结构上的基本要求是：（ ）、（ ）、（ ）和
（ ）。
64、N沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中
的载流子是（ ）。
65、P沟道MOSFET的衬底是（ ）型半导体，源区和漏区是（ ）型半导体，沟道中
的载流子是（ ）。
66、当VGS?VT时，栅下的硅表面发生（ ），形成连通（ ）区和（ ）区的导电
沟道，在VDS的作用下产生漏极电流。
67、N沟道MOSFET中，VGS越大，则沟道中的电子就越（ ），沟道电阻就越（ ），漏
极电流就越（ ）。
68、在N沟道MOSFET中，VT?0的称为增强型，当VGS?0时MOSFET处于（ ）
状态；VT?0的称为耗尽型，当VGS?0时MOSFET处于（ ）状态。
69、由于栅氧化层中通常带（ ）电荷，所以（ ）型区比（ ）型区更容易发生反型。 70、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ，应使衬底掺杂浓度NA（ ），使栅氧化层
厚度Tox（ ）。
71、N沟道MOSFET饱和漏源电压VDsat的表达式是（ ）。当VDS?VDsat时，
MOSFET进入（ ）区，漏极电流随VDS的增加而（ ）。
72、由于电子的迁移率?n比空穴的迁移率?p（ ），所以在其它条件相同时，（ ）沟道
MOSFET的IDsat比（ ）沟道MOSFET的大。为了使两种MOSFET的IDsat相同，应当使N沟道MOSFET的沟道宽度（ ）P沟道MOSFET的。
73、当N沟道MOSFET的VGS?VT时，MOSFET（ ）导电，这称为（ ）导电。 74、对于一般的MOSFET，当沟道长度加倍，而其它尺寸、掺杂浓度、偏置条件等都不
IsD（ ）变时，其下列参数发生什么变化：VT（ ）、、Ron（ ）、gm（ ）。 ta75、由于源、漏区的掺杂浓度（ ）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结
的耗尽区主要向（ ）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（ ）。
76、MOSFET的跨导gm的定义是（ ），它反映了（ ）对（ ）的
控制能力。
77、为提高跨导gm的截止角频率?gm，应当（ ）?，（ ）L ，（ ）VGS。 78、阈电压VT的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，VT变（ ）。
79、在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（ ），而在短沟道MOSFET
中，漏极电流的饱和则是由于（ ）。
80、为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，
其沟道宽度应（ ），栅氧化层厚度应（ ），源、漏区结深应（ ），衬底掺杂浓度应（ ）。
二、问答题
1、简要叙述PN结空间电荷区的形成过程。 2、什么叫耗尽近似？什么叫中性近似？
3、什么叫突变结？什么叫单边突变结？什么叫线性缓变结？分别画出上述各种PN结的
杂质浓度分布图、内建电场分布图和外加正向电压及反向电压时的少子浓度分布图。 4、PN结势垒区的宽度与哪些因素有关？
5、写出PN结反向饱和电流I0的表达式，并对影响I0的各种因素进行讨论。
6、PN结的正向电流由正向扩散电流和势垒区复合电流组成。试分别说明这两种电流随外加正向电压的增加而变化的规律。当正向电压较小时以什么电流为主？当正向电压较大时以什么电流为主？
7、什么是小注入条件？什么是大注入条件？写出小注入条件和大注入条件下的结定律，并讨论两种情况下中性区边界上载流子浓度随外加电压的变化规律。 8、在工程实际中，一般采用什么方法来计算PN结的雪崩击穿电压？ 9、简要叙述PN结势垒电容和扩散电容的形成机理及特点。
10、当把PN结作为开关使用时，在直流特性和瞬态特性这两方面，PN结与理想开关相比有哪些差距？引起PN结反向恢复过程的主要原因是什么？
11、画出NPN晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的少子分布图。 画出NPN晶体管在饱和状态、截止状态、放大状态和倒向放大状态时的能带图。 12、画出共基极放大区晶体管中各种电流的分布图，并说明当输入电流IE经过晶体管变成输出电流IC时，发生了哪两种亏损？
13、倒向晶体管的电流放大系数为什么小于正向晶体管的电流放大系数？
14、提高基区掺杂浓度会对晶体管的各种特性，如 ?、?、?、CTE、BVEBO、Vpt、VA、rbb?等产生什么影响？
15、减薄基区宽度会对晶体管的上述各种特性产生什么影响？
16、先画出双极晶体管的理想的共发射极输出特性曲线图，并在图中标出饱和区与放大区的分界线，然后再分别画出包括厄尔利效应和击穿现象的共发射极输出特性曲线图。