晶体二极管及整流电路练习题
一、选择题：
1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（ ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（ ）。 A.不变 B.变宽 C.变窄 D.无法确定 3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（ ） A. 多数载流子浓度增大 B. 少数载流子浓度增大 C. 多数载流子浓度减小 D. 少数载流子浓度减小 4、PN结反向向偏置时，其内电场被（ ）。
A.削弱 B.增强 C.不变 D.不确定 5、以下所列器件中，（ ）器件不是工作在反偏状态的。 A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管 6、稳压二极管稳压时，其工作在( )，
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定 7、发光二极管发光时，工作在( )。
A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D．不确定 8、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）
A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 等于零 9、稳压二极管是利用PN结的（ ）。
A.单向导电性 B.反向击穿性 C.电容特性 D.正向特性 10、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ ）。
A.反向偏置击穿状态 B.反向偏置未击穿状态 C.正向偏置导通状态 D.正向偏置未导通状态
11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。
A. 正、反向电阻相等 B. 正向电阻大 ，反向电阻小
?12VC. 反向电阻比正向电阻大很多倍 D. 正、反向电阻都等于无
穷大 R0VD112、电路如下图所示，设二极管D1，D2，D3 的正向压降忽略不计，则输出电压uO =（ ）。
6VD2D3?2V+u-OA . －2V B. 0V C. 6V D. 12V 二、判断题：
13、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ）
23、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（ ） 24、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（ ） 25、本征半导体不带电，P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。（ ） 26、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ） 27、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（ ） 28、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ） 29、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（ ）
30、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。（ ）
三、填空题：
13、根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。 14、PN结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。 15、 PN结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。
16、二极管的特性是 ，场效应管是 控制型器件。 17、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。
18、设如右图电路中, D1为硅二极管, D2为锗二极管, 则D1处于 状态, D2处于 状态, 输出电压Uo为 伏。
19、二极管最主要的特性是 。
20、.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、 。
21、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性，稳压管的稳压 作用是利用PN结的 特性。 四、分析作图题： 31、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ＝3V，R的取值合适，uI的波形如图（c）所示。试分别画出uO1和uO2的波形。
32、 需要一单相桥式整流电容滤波电路，电路如图4-16所示。交流电源频率f?50Hz，负载电阻RL=120Ω，要求直流电压Vo=30V试选择整流元件及滤波电容。
v ~ C
图4-16 例4-3的图
2
RL vo 33、上题图所示的单相桥式整流、电容滤波电路。用交流电压表测得变压器副边电压V2 = 20V。 现在用直流电压表测量RL两端的电压Vo，如果出现下列几种情况时，试分析哪些是合理的
哪些表明出了故障并指出原因。
（1）Vo = 28V；（2）Vo = 24V；（3）Vo = 18V；（4）Vo = 9V
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