材料制备科学与技术
晶格：空间点阵可以看成在三个坐标方向上无数平行坐标轴的平面彼此相交所形成的格点的集合体，这些集合体是一些网络，称为晶格。
晶胞：空间点阵可分成无数等同的平行六面体，每个平行六面体称为晶胞。 熔盐生长方法（助熔剂法或高温溶液法,简称熔盐法）:是在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。
蒸发沉积（蒸镀）: 对镀膜材料加热使其气化沉积在基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。
溅射沉积（溅射）:用高能粒子轰击靶材，使靶材中的原子溅射出来，沉积在基底表面形成薄膜的方法。
离子镀：在镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层的镀膜技术,改善膜层性能。
外延：在单晶衬底上生长同类单晶体（同质外延），或者生长具有共格或半共格异类单晶体抑制外延的技术。 同质外延: 外延层与衬底具有相同或近似的化学组成，但两者中掺杂剂或掺杂浓度不同的外延。 异质外延: 外延层和衬底不是同种材料的外延.
溅射镀膜：用动能为几十电子伏的粒子束照射沉积材料表面，使表面原子获得入射粒子所带的一部分能量并脱离靶体后，在一定条件下沉积在基片上，这种镀膜方法称为溅射镀膜。
化学气相沉积（CVD）：在一个加热的基片或物体表面上，通过一个或几种气态元素或化合物产生的化学反应，而形成不挥发的固态膜层或材料过程称为化学气相沉积。
化学溶液镀膜法：指在溶液中利用化学反应或电化学原理在基体材料表面上沉积成膜的一种技术。
化学镀：利用还原剂从所镀物质的溶液中以化学还原作用，在镀件的固液两相界面上析出和沉积得到镀层的技术。 阳极氧化法：铝、钽、钛、铌、钒等阀型金属，在相应的电解液中作阳极，用石墨或金属本身作阴极，加上合适的直流电压时，会在这些金属的表面上形成硬而稳定的氧化膜，这个过程称为阳极氧化，此法制膜称为阳极氧化法。 液相外延(LPE):指含溶质的溶液（或熔体）借助过冷而使溶质在衬底上以薄膜形式进行外延生长的方法。
分子束外延（MBE）：以蒸镀为基础发展起来的超薄层材料生长新技术，是是超高真空条件下的精控蒸发技术。 作业题如下：
晶体缺陷：实际晶体中原子规则排列遭到破坏而偏离理想结构的区域。可分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。 点缺陷：是最简单的晶体缺陷，它是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。
缺陷形成能：它的数值可以直接反应特定缺陷形成的难易程度，材料合成环境对于缺陷形成的影响，以及复合缺陷体系的稳定性等等。
位错能（或位错的应变能）：晶体中位错的存在会引起点阵畸变，导致能量增高，这种增加的能量称为位错的应变能，包括位错的核心能量和弹性应变能量。
柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别）,形成所谓的“柯氏气团”。 位错反应：就是位错的合并与分解，即晶体中不同柏氏矢量的位错线合并为一条位错或一条位错线分解成两条或多条柏氏矢量不同的位错线。
过冷度：通常的熔体生长系统中，其中温度T略低于熔点Tm，亦即具有一定的过冷度。
界面能位垒：在表面能作用下，界面面积有缩小的趋势，便产生了附加压力，称界面能位垒
均匀成核：在亚稳相系统中空间各点出现稳定相的几率都是相同的，称为均匀成核
非均匀成核：在亚稳相系统中稳定相优先出现在系统中的某些局部，称为非均匀成核
自发形核：液态金属绝对纯净，无任何杂质，也不和型壁接触，靠自身形成晶核核心的形核方式
非自发形核：靠液相中某些外来难熔质点或固体表面作为晶核核心的形核方式 成核率：单位时间，单位体积内能够发展成为晶体的晶核数，并以I表示 平衡分配系数：指在固液两相体系达平衡状态时，溶质在两相中的浓度的比值。
平衡凝固：在一定的压力条件下，凝固体系的温度、成分完全由相应合金的品平衡相图规定，此理想状态下的凝固过程成分过冷：由于在不平衡凝固时，液相中溶质分布不均匀在正常温度梯度下也会引起过冷（由于成分不均匀引起的过冷）
成分偏析：在不平衡凝固过程中，固相中溶质浓度分布不均匀使晶体中化学成分不均匀的现象。
宏观偏析：在不存在成分过冷且晶体以平面方式生长时，先结晶部分地溶质浓度低，后结晶部分溶质浓度高，晶体各宏观区域化学成分不均匀的现象。 胞状偏析：在小的成分过冷度条件下，晶体以胞状生长时，先结晶的凸出部分溶质含量低，被排出的溶质向周围扩散在侧向富集，最后结晶，因而晶胞内部溶质浓度低，胞界部位富集溶质，形成胞状偏析。
树枝状偏析：当成分过冷很大，晶体以树枝状方式生长时，先结晶的枝晶主干部分溶质含量低，后结晶的枝晶外周部分富集溶质，形成树枝状偏析。 居里乌尔夫定律：有热力学可知，在恒温恒压下，一定体积的晶体与溶液或熔体处于平衡态时，它所具有的形态（平衡形态）应使其总的表面能降至最少，在趋于平衡态时，晶体将调整自己的形态。以便使自己的表面能降低至最少。 奇异面：表面能级图上能量曲面上出现极小值的点所对应的晶面称为奇异面 邻位面：取向在奇异面附近的晶面 非奇异面：其他取向的晶面
g与界面层中晶体相原子成分X的函数关系：?界面的吉布斯自由能的变化 表面熔化温度;在温度低时光滑界面上的粗糙是很小的，虽然它随温度增加而增加，但不快；但温度增加到某一临界值TC时，界面的粗糙度突然增加，此时随温度增加粗糙度增加很快。这个临界值TC称为表面熔化温度。
特姆金模型;即扩散界面模型，又称多层界面模型。利用这种模型可以确定热平衡条件下界面的层数，并根据非平衡状态下界面自由能的变化推测出界面相变熵对界面结构的影响
面扩散激活能：指吸附分子能够面扩散所必须具有的能量 面扩散距离(定向迁移率)：无规则漂移在给定方向的迁移为XS
恒定的晶面生长过程中给定面指数的晶面运动轨迹为直线。 1次成键。?弗兰克运动学第一定律：密度不变的台阶群就是给定指数的晶面，亦即倾角 2气相生长方法可分三类 。
3气相生长中的输运过程中压力的分类：当时，分子运动主要由扩散确定; 当对流控制。
45水热法的生长装置：6熔盐法生长晶体在停止生长后把晶体与残余物的溶液分离的方法：7从熔体中生长单晶的典型方法大致有：1法）；2、逐驱熔化法（水平区熔法、浮区法、基座法、焰熔法）。其中晶体提拉法中的加热方式有电阻加热、高频感应加热、激光加热、电子束加热、等离子体加热、弧光成像加热。B-S方法中坩埚下降法有垂直式和水平式。 8薄膜材料的制备方法从学科上分为三种方式。 9薄膜的生长过程可分为3种类型：。