微电子器件课程复习题

29、某N沟道MOSFET的VT = 1V,β= 6×10-3AV-2，求当VDS = 4V，VGS分别为2V、4V、6V、8V和10V时漏源电导gds之值。

30、某N沟道MOSFET的沟道长度L?2μm，阈电压VT = 1.5V，电子迁移率为320cm2/V.s，试求当外加栅电压VGS = 5V时的饱和区跨导的截止角频率?gm。