计班计算机组成原理复习重点(白中英版)

计算机组成原理课程总结&复习考试要点

一、考试以讲授过的教材中的内容为主,归纳要点如下:

第1章 -第2章 计算机概念 运算方法和运算器

(一)学习目标

1.了解计算机的分类和应用。 2.掌握计算机的软、硬件构成。 3.掌握计算机的层次结构。

3.掌握数的原码、反码、补码的表示方法。

4.掌握计算机中数据的定点表示和浮点表示方法,并熟练掌握各种表示方法下所能表示的数据的范围。 5.理解定点加法原理及其判断溢出的方法。 6.了解计算机定点乘法、除法的实现方法。 7.了解浮点加法,乘法,除法的实现方法。 8.理解ALU运算器的工作原理及其扩展方法。 (二)第1章学习内容

第一节 计算机的分类和应用

要点:计算机的分类,计算机的应用。 第二节 计算机的硬件和软件

要点:了解计算机的硬件构成及各部分的功能;了解计算机的软件分类和发展演变。 第三节 计算机系统的层次结构

要点:了解计算机系统的层次结构。 (三)第2章学习内容

第一节 数据和文字的表示方法

要点:△定点数的表示方法,及其在原码、反码和补码表示下的数值的范围;△○浮点数的表示方法及其不同表示格式下数据的表示范围;常见汉字和字符的几种表示方法;

第二节 定点加法、减法运算

要点:△补码加、减法及其溢出的检测方法;二进制加法器和十进制加法器的逻辑构成。 第三节 定点乘法运算

要点:原码并行乘法原理;不带符号的阵列乘法器;补码并行乘法原理;○直接补码阵列乘法器。 第四节 定点除法运算

要点:理解原码除法原理以及并行除法器的构成原理。 第五节 多功能算术/逻辑运算单元

要点:△74181并行进位运算器;74182进位链;△○多位ALU的扩展。 第六节 浮点运算运算和浮点运算器

要点:了解浮点加/减;浮点乘/除原理。 浮点存储: 。

解:将16进制数展开后,可得二制数格式为

0 100 00010011 0110 0000 0000 0000 0000 S 阶码(8位) 尾数(23位) 包括隐藏位1的尾数

1.M=1.011 0110 0000 0000 0000 0000=1.011011 于是有

x=(-1)S×1.M×2e=+(1.011011)×23=+1011.011=(11.375)10

2. 将数(20.59375)10转换成754标准的32位浮点数的二进制存储格式。 解:首先分别将整数和分数部分转换成二进制数: 20.59375=10100.10011

然后移动小数点,使其在第1,2位之间 4

e=4于是得到:

最后得到32位浮点数的二进制存储格式为: 41A4C000)16

3. 假设由S,E,M三个域组成的一个32位二进制字所表示的非零规格化浮点数x,真值表示为(非IEEE754标准):问:它所表示的规格化的最大正数、最小正数、最大负数、最小负数是多少? (1)最大正数

0 1111 1111 111 1111 1111 1111 1111 1111 x=[1+(1-2-23)]×2127 (2)最小正数

000 000 000000 000 000 000 000 000 000 00 x=1.0×2-128 (3)最小负数

111 111 111111 111 111 111 111 111 111 11 x=-[1+(1-2-23)]×2127 (4)最大负数

100 000 000000 000 000 000 000 000 000 00 x=-1.0×2-128

4.用源码阵列乘法器、补码阵列乘法器分别计算xXy。

(1)x=11000 y=11111 (2) x=-01011 y=11001

=(-1)s×(1.M)×2E-128

x(1)原码阵列

x = 0.11011, y = -0.11111 符号位: x0⊕y0 = 0⊕1 = 1 [x]原 = 11011, [y]原 = 11111 [x*y]原 = 1, 11 0100 0101 带求补器的补码阵列

[x]补 = 0 11011, [y]补 = 1 00001 乘积符号位单独运算0⊕1=1

尾数部分算前求补输出│X│=11011,│y│=11111 (2) 原码阵列

x = -0.11111, y = -0.11011 符号位: x0⊕y0 = 1⊕1 = 0 [x]补 = 11111, [y]补 = 11011 1 1 1 1 1 *1 1 0 1 1 [x*y]补 = 0,11010,00101 1 1 1 1 1 带求补器的补码阵列 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 补 = 1 00101 [x]补 = 1 00001, [y] 1 1 1 1 1 乘积符号位单独运算1⊕1=0

1 1 1 1 1 尾数部分算前求补输出│ 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 X│=11111,│y│=11011

1 1 1 1 1 *1 1 0 1 1 5. 计算浮点数x+y、x-y 1 1 1 1 1 -100

x = 2-101*(-0.010110), y = 2*0.010110 1 1 1 1 1 浮 = 11011,-0.010110 0 0 0 0 0 [x] 1 1 1 1 1 [y]浮= 11100,0.010110 1 1 1 1 1 Ex-Ey = 11011+00100 = 11111 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 [x]浮= 11100,1.110101(0) 规格化处理: 0.101100 阶码 11010 x+y= 0.101100*2-6

规格化处理: 1.011111 阶码 11100 x-y=-0.100001*2-4

6. 设过程段 Si所需的时间为τi,缓冲寄存器的延时为τl,线性流水线的时钟周期定义为 τ=max{τi}+τl=τm+τl 流水线处理的频率为 f=1/τ。

一个具有k 级过程段的流水线处理 n 个任务需要的时钟周期数为Tk=k+(n-1),

所需要的时间为: T=Tk × τ

而同时,顺序完成的时间为:T=n×k×τ k级线性流水线的加速比: *Ck = TL = n·k Tk k+(n-1)

第3章 多层次存储器

一、学习目标

1.了解存储器的不同分类及其各自的特点。

2.理解SRAM和DRAM存储单元的构成及其存储原理。 3.掌握存储器的扩展及其与CPU的连接。

4.了解SRAM和DRAM的不同特点,掌握DRAM的刷新方法。

5.了解高性能主存储器、闪速存储器、高速存储器的特点和工作原理。 6.掌握CACHE存储器的基本原理及其地址映射过程。 二、学习内容

第一节 存储器概述

要点:存储器的分类,存储器的分级结构。 第二节 随机读写存储器

要点:SRAM基本存储元的存储原理;△SRAM芯片的组成及其逻辑结构;△○SRAM的扩展;

△○SRAM与CPU的连接;理解DRAM基本存储元的存储原理;△DRAM芯片的组成及其逻辑结构;△DRAM的刷新;了解EDRAM芯片的构成及工作原理;了解闪存的工作原理及其特点。

第三节 只读存储器和闪速存储器

要点:了解只读存储器的工作原理;了解闪存的工作原理及其特点。 第四节 高速存储器

要点:了解高速存储器的特点;了解双端口存储器的原理;了解多模块交叉存储器;相联存储器。 第五节 Cache存储器

要点:了解Cache的功能;△○掌握主存Cache的地址映射:全相联方式、组相联方式和直接相联方式。 *闪存:高性能、低功耗、高可靠性以及移动性

编程操作:实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“1”状态,这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子,从而使存储元改写成“0”状态。如果某存储元仍保持“1”状态,则控制栅就不加正电压。如图(a)表示编程操作时存储元写0、写1的情况。实际上编程时只写0,不写1,因为存储元擦除后原始状态全为1。要写0,就是要在控制栅C上加正电压。一旦存储元被编程,存储的数据可保持100年之久而无需外电源。

读取操作:控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存1,可认为浮空栅不带负电,控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存0,可认为浮空栅带负电,控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量,晶体管不能开启导通。当MOS晶体管开启导通时,电源VD提供从漏极D到源极S的电流。读出电路检测到有电流,表示存储元中存1,若读出电路检测到无电流,表示存储元中存0

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