一、选择题
1.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；
A、电流负反馈 B、电压负反馈 C、直流负反馈 D、交流负反馈
2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真，下半周失真时为____ A ____失真。
A、饱和 B、截止 C、交越 D、频率
3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____ A、5v B、9v C、12v D、8v
4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。 A、β B、β2 C、2β D、1+β
5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是____C____。
A、（B、C、E） B、（C、B、E） C、（E、C、B） D、A、B、C均可
6.集成运放的互补输出级采用 B 。
A、共基接法 B、共集接法 C、共射接法 D、差分接法
7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。
A、正向导通 B、反向截止 C、饱和 D、反向击穿
8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。
A、放射结正偏，集电极正偏 B、放射结正偏，集电极反偏 C、放射结反偏，集电极正偏 D、放射结反偏，集电极反偏
9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为 A 。
A、60 B、61 C、100 D、50
10.射极输出器的特点是 C 。 A、Au＜1，输入电阻小，输出电阻大 B、Au＞1，输入电阻大，输出电阻小 C、Au＜1且 Au≈1，输入电阻大，输出电阻小 D、Au＞1，输入电阻小，输出电阻大
。。。。。
11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。 A.电阻阻值有误差 B.晶体管参数的分散性 C.晶体管参数受温度影响 D.电源电压稳定
12.对于结型场效应管，当| uGS | ＞ | UGS（off） | 时，管子一定工作在 C 。 A、恒流区 B、可变电阻区 C、截止区 D、击穿区
13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。 A、AF=1 B、AF??1 C、AF＞1 D、以上均可以
14.要提高放大器的输入电阻及减小输出电阻，应采用 B 负反馈 A、电流串联 B、电压串联 C、电流并联 D、电压并联
15．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ A ）。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D．PNP 型锗管
16．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D ）。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结型场效应管 C．N沟道增强型MOS管 D．N沟道耗尽型MOS管
17．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。 A．输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大
18.在图示电路中,Ri 为其输入电阻，RS 为常数，为使下限频率fL 降低，应（ D ）。
A．减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小 Ri D. 增大C，增大 Ri
19.如图所示复合管，已知V1的?1 = 30，V2的?2 = 50，则复合后的?约为（ A ）。
A．1500 B.80 C.50 D.30
V1 V2 -4 0 uGS/V iD/mA 5 。。20.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和（ D ）。
A.基本共射放大电路 B.基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路
21.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是（ A ）。 A.积分运算电路 B.微分运算电路 C.过零比较器 D.滞回比较器
RB C Rs us Ri 4题图 7题图 + +VCC
RC uI
O t V + uO _ uo
t
22．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。 a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真
23．稳压二极管稳压时，其工作在( C )，发光二极管发光时，其工作在( A )。
a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区
24．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 A 。 A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零
25．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B 。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
26．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 C 。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响
27．差动放大电路的主要特点是 A 。 A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号； B 既放大差模信号，又放大共模信号
C有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。
28．互补输出级采用射极输出方式是为了使 D 。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强
29．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 C 。 A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻
30．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 B 。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适
31．当信号频率等于放大电路的fL和fH时，放大倍数的数值将下降到中频时的 B 。
A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 32．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 D ，则说明引入的是负反馈。 A输入电阻增大 B输出量增大 C 净输入量增大 D净输入量减小
33．带通滤波器所对应的幅频特性为 C 。
AV A、 A V B、 AVMAX AVMAX
o f f o
AV C、 A V D、 AVMAX AVMAX
f f o o
1．当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的 （ ） 。 A 多数载流子浓度增大 B 少数载流子浓度增大 C 多数载流子浓度减小 D 少数载流子浓度减小
2. 某只硅稳压管的稳定电压Vz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ ）。 A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v
3. 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是（ ）管，处于（ ）。 （ ） A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区
4. 场效应管起放大作用时应工作在其漏极特性的（ ）。 A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区
5. 在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ ）。 A 共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小 B 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小 C 共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大 D 共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大
6. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（ ）。 A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响
7．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（ ），而提高共模抑制比。 A 抑制共模信号； B 抑制差模信号；
C 放大共模信号； D 既抑制共模信号又抑制差模信号；
8．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（ ）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强
9．集成运放电路的实质是一个（ ）的多级放大电路。 A阻容耦合式 B直接耦合式 C 变压器耦合式 D 三者都有
10．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ ）。 A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适
11．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的是负反馈。 A电路稳定性变差 B输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
12、共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其（ ）的特点以获得较高增益。 A 直流电阻大、交流电阻小 B 直流电阻小、交流电阻大
C 直流电阻和交流电阻都小 D 直流电阻大和交流电阻都大