1.
一个容量为
16K
×
32
位的存储器,其地址线和数据线的总和是多少?当选用
下列不同规格的存储芯片时,各需要多少片?/p>
?/p>
P150 7
?/p>
1K
×
4
位,
2K
×
8
位,
4K
×
4
位,
16K
×
1
位,
4K
×
8
位,
8K
×
8
?/p>
解:地址线和数据线的总和
= 14 + 32 = 46
根;
选择不同的芯片时,各需要的片数为:
1K
×
4
:(
16K
×
32
?/p>
/
?/p>
1K
×
4
?/p>
= 16
×
8 = 128
?/p>
2K
×
8
:(
16K
×
32
?/p>
/
?/p>
2K
×
8
?/p>
= 8
×
4 = 32
?/p>
4K
×
4
:(
16K
×
32
?/p>
/
?/p>
4K
×
4
?/p>
= 4
×
8 = 32
?/p>
16K
×
1
:(
16K
×
32
?/p>
/
?/p>
16K
×
1
?/p>
= 1
×
32 = 32
?/p>
4K
×
8
:(
16K
×
32
?/p>
/
?/p>
4K
×
8
?/p>
= 4
×
4 = 16
?/p>
8K
×
8
:(
16K
×
32
?/p>
/
?/p>
8K
×
8
?/p>
= 2
×
4 = 8
?/p>
2.
什么叫刷新?为什么要刷新?说明刷新有几种方法?/p>
?/p>
P150 9
?/p>
解:刷新:对
DRAM
定期进行的全部重写过程;
刷新原因:因电容泄漏而引起的
DRAM
所存信息的衰减需要及时补充,因此安排
了定期刷新操作;
常用的刷新方法有三种:集中式、分散式、异步式?/p>
集中式:
在最大刷新间隔时间内?/p>
集中安排一段时间进行刷新,
存在
CPU
访存?/p>
时间?/p>
分散式:在每个读
/
写周期之后插入一个刷新周期,?/p>
CPU
访存死时间?/p>
异步式:是集中式和分散式的折衷?/p>
3.
一?/p>
8K
×
8
位的动?/p>
RAM
芯片?/p>
其内部结构排列成
256
×
256
形式?/p>
存取周期
?/p>
0.1
μ
s
。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各?/p>
多少?/p>
?/p>
P150 11
?/p>
解:
采用分散刷新方式刷新间隔?/p>
:2ms
?/p>
其中刷新死时间为?/p>
256
×
0.1
μ
s=25.6
μ
s
采用分散刷新方式刷新间隔为:
256
×?/p>
0.1
μ
s+
×
0.1
μ
s
?/p>
=51.2
μ
s
采用异步刷新方式刷新间隔?/p>
:2ms
4.
?/p>
CPU
共有
16
根地址线,
8
根数据线?/p>
并用
(低电平有效?/p>
作访存控制信号,
作读写命令信号(高电平为读,低电平为写)。现有下列存储芯片:
ROM
?/p>
2K
×
8
位,
4K
×
4
位,
8K
×
8
位)?/p>
RAM
?/p>
1K
×
4
位,
2K
×
8
位,
4K
×
8
位),及
74138
译码器和其他门电路(门电路自定)。试从上述规格中选用合适芯片,画出
CPU
和存储芯片的连接图。要求:
?/p>
P151 15
?/p>
?/p>
1
)最?/p>
4K
地址为系统程序区?/p>
4096~16383
地址范围为用户程序区?/p>
?/p>
2
)指出选用的存储芯片类型及数量?/p>
?/p>
3
)详细画出片选逻辑?/p>
解:?/p>
1
)地址空间分配图:
系统程序区(
ROM
?/p>
4KB
):
0000H-0FFFH
用户程序区(
RAM
?/p>
12KB
):
1000H-3FFFH
?/p>
2
)选片?/p>
ROM
:选择
4K
×
4
位芯?/p>
2
片,位并?/p>
RAM
:选择
4K
×
8
位芯?/p>
3
片,字串?/p>
(RAM1
地址范围?/p>
:1000H-1FFFH,RAM2
地址范围?/p>
2000H-2FFFH, RAM3
地址范围?/p>
:3000H-3FFFH)