新建
上传
首页
助手
最?/div>
资料?/div>
工具

第一章习?/p>

 

1

?/p>

1

.设晶格常数?/p>

a

的一维晶体,导带极小值附近能量为

)

(

k

E

c

?

m

k

k

m

k

k

E

c

2

1

2

2

2

)

(

3

)

(

?/p>

?

?/p>

?/p>

?/p>

 

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

k

m

k

k

E

v

2

2

2

2

3

6

)

(

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

A

14

.

3

,

1

?/p>

?/p>

?

a

a

k

?

,试求:

 

?/p>

1

)禁带宽度;

 

?/p>

2

)导带底电子的有效质量;

 

?/p>

3

)价带顶空穴的有效质量?/p>

 

1

?/p>

2

.在一维情况下?/p>

 

?/p>

1

)利用周期性边界条件证明:表示独立状态的

k

值数目等于晶体的原胞数;

 

?/p>

2

)设电子能量?/p>

*

2

2

2

n

m

k

E

?/p>

?/p>

,并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向,试

证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数?/p>

2

1

*

2

)

(

?/p>

?/p>

E

h

m

E

N

n

?/p>

 

1

?/p>

3

.设硅晶体电子中电子的纵向有效质量为

L

m

,横向有效质量为

t

m

 

?/p>

1

)如果外加电场沿

[100]

方向,试分别写出?/p>

[100]

?/p>

[001]

方向能谷中电子的?/p>

速度?/p>

 

?/p>

2

)如果外加电场沿

[110]

方向,试求出

[100]

方向能谷中电子的加速度和电场之

间的夹角?/p>

 

1

?/p>

4

?/p>

设导带底在布里渊中心?/p>

导带?/p>

c

E

附近的电子能量可以表示为

*

2

2

2

)

(

n

c

m

k

E

k

E

?/p>

?/p>

?/p>

 

式中

*

n

m

是电子的有效质量?/p>

试在二维和三维两种情况下?/p>

分别求出导带附近的状

Ͼλ
新建
上传
首页
助手
最?/div>
资料?/div>
工具

第一章习?/p>

 

1

?/p>

1

.设晶格常数?/p>

a

的一维晶体,导带极小值附近能量为

)

(

k

E

c

?

m

k

k

m

k

k

E

c

2

1

2

2

2

)

(

3

)

(

?/p>

?

?/p>

?/p>

?/p>

 

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

k

m

k

k

E

v

2

2

2

2

3

6

)

(

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

A

14

.

3

,

1

?/p>

?/p>

?

a

a

k

?

,试求:

 

?/p>

1

)禁带宽度;

 

?/p>

2

)导带底电子的有效质量;

 

?/p>

3

)价带顶空穴的有效质量?/p>

 

1

?/p>

2

.在一维情况下?/p>

 

?/p>

1

)利用周期性边界条件证明:表示独立状态的

k

值数目等于晶体的原胞数;

 

?/p>

2

)设电子能量?/p>

*

2

2

2

n

m

k

E

?/p>

?/p>

,并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向,试

证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数?/p>

2

1

*

2

)

(

?/p>

?/p>

E

h

m

E

N

n

?/p>

 

1

?/p>

3

.设硅晶体电子中电子的纵向有效质量为

L

m

,横向有效质量为

t

m

 

?/p>

1

)如果外加电场沿

[100]

方向,试分别写出?/p>

[100]

?/p>

[001]

方向能谷中电子的?/p>

速度?/p>

 

?/p>

2

)如果外加电场沿

[110]

方向,试求出

[100]

方向能谷中电子的加速度和电场之

间的夹角?/p>

 

1

?/p>

4

?/p>

设导带底在布里渊中心?/p>

导带?/p>

c

E

附近的电子能量可以表示为

*

2

2

2

)

(

n

c

m

k

E

k

E

?/p>

?/p>

?/p>

 

式中

*

n

m

是电子的有效质量?/p>

试在二维和三维两种情况下?/p>

分别求出导带附近的状

">
新建
上传
首页
助手
最?/div>
资料?/div>
工具

第一章习?/p>

 

1

?/p>

1

.设晶格常数?/p>

a

的一维晶体,导带极小值附近能量为

)

(

k

E

c

?

m

k

k

m

k

k

E

c

2

1

2

2

2

)

(

3

)

(

?/p>

?

?/p>

?/p>

?/p>

 

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

k

m

k

k

E

v

2

2

2

2

3

6

)

(

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

A

14

.

3

,

1

?/p>

?/p>

?

a

a

k

?

,试求:

 

?/p>

1

)禁带宽度;

 

?/p>

2

)导带底电子的有效质量;

 

?/p>

3

)价带顶空穴的有效质量?/p>

 

1

?/p>

2

.在一维情况下?/p>

 

?/p>

1

)利用周期性边界条件证明:表示独立状态的

k

值数目等于晶体的原胞数;

 

?/p>

2

)设电子能量?/p>

*

2

2

2

n

m

k

E

?/p>

?/p>

,并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向,试

证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数?/p>

2

1

*

2

)

(

?/p>

?/p>

E

h

m

E

N

n

?/p>

 

1

?/p>

3

.设硅晶体电子中电子的纵向有效质量为

L

m

,横向有效质量为

t

m

 

?/p>

1

)如果外加电场沿

[100]

方向,试分别写出?/p>

[100]

?/p>

[001]

方向能谷中电子的?/p>

速度?/p>

 

?/p>

2

)如果外加电场沿

[110]

方向,试求出

[100]

方向能谷中电子的加速度和电场之

间的夹角?/p>

 

1

?/p>

4

?/p>

设导带底在布里渊中心?/p>

导带?/p>

c

E

附近的电子能量可以表示为

*

2

2

2

)

(

n

c

m

k

E

k

E

?/p>

?/p>

?/p>

 

式中

*

n

m

是电子的有效质量?/p>

试在二维和三维两种情况下?/p>

分别求出导带附近的状

Ͼλ">
Ͼλ
Ŀ

半导体器件物理习题与参考文?- 百度文库
新建
上传
首页
助手
最?/div>
资料?/div>
工具

第一章习?/p>

 

1

?/p>

1

.设晶格常数?/p>

a

的一维晶体,导带极小值附近能量为

)

(

k

E

c

?

m

k

k

m

k

k

E

c

2

1

2

2

2

)

(

3

)

(

?/p>

?

?/p>

?/p>

?/p>

 

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

k

m

k

k

E

v

2

2

2

2

3

6

)

(

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

m

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

?/p>

A

14

.

3

,

1

?/p>

?/p>

?

a

a

k

?

,试求:

 

?/p>

1

)禁带宽度;

 

?/p>

2

)导带底电子的有效质量;

 

?/p>

3

)价带顶空穴的有效质量?/p>

 

1

?/p>

2

.在一维情况下?/p>

 

?/p>

1

)利用周期性边界条件证明:表示独立状态的

k

值数目等于晶体的原胞数;

 

?/p>

2

)设电子能量?/p>

*

2

2

2

n

m

k

E

?/p>

?/p>

,并考虑到电子的自旋可以有两种不同的取向,试

证明在单位长度的晶体中单位能量间隔的状态数?/p>

2

1

*

2

)

(

?/p>

?/p>

E

h

m

E

N

n

?/p>

 

1

?/p>

3

.设硅晶体电子中电子的纵向有效质量为

L

m

,横向有效质量为

t

m

 

?/p>

1

)如果外加电场沿

[100]

方向,试分别写出?/p>

[100]

?/p>

[001]

方向能谷中电子的?/p>

速度?/p>

 

?/p>

2

)如果外加电场沿

[110]

方向,试求出

[100]

方向能谷中电子的加速度和电场之

间的夹角?/p>

 

1

?/p>

4

?/p>

设导带底在布里渊中心?/p>

导带?/p>

c

E

附近的电子能量可以表示为

*

2

2

2

)

(

n

c

m

k

E

k

E

?/p>

?/p>

?/p>

 

式中

*

n

m

是电子的有效质量?/p>

试在二维和三维两种情况下?/p>

分别求出导带附近的状



ļ׺.doc޸Ϊ.docĶ

  • 뵼ϰο
  • 꼶ѧȫ 7¡Ӧù㷺ᡢΡԪϰ ̰
  • ּ̼ռƻ
  • רҵθۡһд.
  • 1820184±ҵ忼ᱣϡҵ
  • 2019մȫ𰸡201X桿-ѡwordĵ (4ҳ)
  • ƴ18ۣƣҵ3
  • 2017Ŵ(1)γԿ˲1
  • 㶫ר屾Ա¼ȡ¼ȡͳƱ[1]
  • dz̸ҵڵ⼰Բ

վ

԰ Ͼλ
ϵͷ779662525#qq.com(#滻Ϊ@)