电力电子技术试?/p>
?/p>
1
?/p>
电力电子器件
1.
电力电子器件一般工作在
__
开?/p>
__
状态?/p>
2.
在通常情况下,
电力电子器件功率损耗主要为
__
通态损?/p>
__
?/p>
而当器件开关频率较高时?/p>
功率损耗主要为
__
开?/p>
损?/p>
__
?/p>
3.
电力电子器件组成的系统,一般由
__
控制电路
__
?/p>
_
驱动电路
_
?/p>
_
主电?/p>
_
三部分组成,由于电路中存在电压和
电流的过冲,往往需添加
_
保护电路
__
?/p>
4.
按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况?/p>
电力电子器件可分?/p>
_
单极型器?/p>
_
?/p>
_
双极型器?/p>
_
?/p>
_
复合?/p>
器件
_
三类?/p>
5.
电力二极管的工作特性可概括?/p>
_
承受正向电压导通,承受反相电压截止
_
?/p>
6.
电力二极管的主要类型?/p>
_
普通二极管
_
?/p>
_
快恢复二极管
_
?/p>
_
肖特基二极管
_
?/p>
7.
肖特基二极管的开关损?/p>
_
小于
_
快恢复二极管的开关损耗?/p>
8.
晶闸管的基本工作特性可概括?/p>
__
正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止
__
?/p>
9.
对同一晶闸管,维持电流
IH
与擎住电?/p>
I
L
在数值大小上?/p>
I
L
__
大于
__
IH
?/p>
10.
晶闸管断态不重复电压
UDSM
与转折电?/p>
Ubo
数值大小上应为?/p>
UDSM
_
大于
__
Ubo
?/p>
11.
逆导晶闸管是?/p>
_
二极?/p>
_
与晶闸管
_
反并?/p>
_
(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件?/p>
12.
GTO
?/p>
__
多元集成
__
结构是为了便于实现门极控制关断而设计的?/p>
13.
MOSFET
的漏极伏安特性中的三个区域与
GTR
共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系?/p>
其中前者的
截止区对应后者的
_
截止?/p>
_
、前者的饱和区对应后者的
__
放大?/p>
__
、前者的非饱和区对应后者的
_
饱和?/p>
__
?/p>
14.
电力
MOSFET
的通态电阻具?/p>
__
?/p>
__
温度系数?/p>
15.
IGBT
的开启电?/p>
UGE
?/p>
th
)随温度升高?/p>
_
略有下降
__
,开关速度
__
小于
__
电力
MOSFET
?/p>
16.
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质?/p>
可将电力电子器件分为
_
电压驱动?/p>
_
?/p>
_
电流驱动
?/p>
_
两类?/p>
17.
IGBT
的通态压降在
1/2
?/p>
1/3
额定电流以下区段具有
__
?/p>
___
温度系数?/p>
?/p>
1/2
?/p>
1/3
额定电流以上区段具有
__
?/p>
___
温度系数?/p>
18.
在如下器件:电力二极管(
Power
Diode
)、晶闸管?/p>
SCR
)、门极可关断晶闸管(
GTO
)、电力晶体管?/p>
GTR
)?/p>
电力场效应管(电?/p>
MOSFET
)、绝缘栅双极型晶体管?/p>
IGBT
)中,属于不可控器件的是
_
电力二极?/p>
__
,属于半?/p>
型器件的?/p>
__
晶闸?/p>
_
,属于全控型器件的是
_
GTO
?/p>
GTR
、电?/p>
MOSFET
?/p>
IGBT _
;属于单极型电力电子器件?/p>
?/p>
_
电力
MOSFET
_
?/p>
属于双极型器件的?/p>
_
电力二极管?/p>
晶闸管?/p>
GTO
?/p>
GTR
_
?/p>
属于复合型电力电子器件得?/p>
__
IGBT
_
;在可控的器件中,容量最大的?/p>
_
晶闸?/p>
_
,工作频率最高的?/p>
_
电力
MOSFET
,属于电压驱动的?/p>
电力
MOSFET
?/p>
IGBT _
,属于电流驱动的?/p>
_
晶闸管?/p>
GTO
?/p>
GTR _
?/p>