1.
小于
10
-5
Ω
·
cm
;大?/p>
10
14
Ω
·
cm
?/p>
10
-
2
?/p>
10
9
Ω
·
cm
?/p>
2.
核辐射粒子射?/p>
PN
结区后,通过与半导体的相互作用,损失能量产生电子
-
空穴对。在
外电场作用下,电子和空穴分别向两极漂移,于是在输出回路中形成信号,当电场足够
强时,电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略时,输出信号的幅度与带电粒子在结区
消耗的能量成正比?/p>
3.
金硅面垒
α
半导体探测器?/p>
Ge
?/p>
Li
)探测器?/p>
Si
?/p>
Li
)探测器?/p>
HPGe
探测器;
HgI
2
?
测器?/p>
CdTe
探测器;
CdSe
探测器?/p>
4.
扩散型;面垒型;离子注入?/p>
5.
PN
结加偏压的目的是?/p>
使得
PN
结的传导电流很小?/p>
相当?/p>
PN
结二极管加上反向电压
的情况;内部工作机理是相当于加上反向偏压?/p>
P
区中空穴从结区被吸引到接触点,相
同的是,
N
区中的电子也向结区外移动,那么结区宽度就会变宽?/p>
6.
电荷运动的瞬时涨落?/p>
7.
记录到的脉冲数;入射到探测器灵敏体积内的
γ
光子数?/p>
8.
ε
?
=
?
4
?/p>
·
ε
本征
9.
全能峰内的计数;源发射的
γ
光子数?/p>
10.
前置放大器与探测器的连接方式有交流耦合和直流耦合两种;其中,交流耦合的优点是
探测器和前置放大器的直流工作点互相隔离,设计简单。缺点是由于探测器负载电阻和
耦合电容的存在,增加了分布电容,使得噪声增加,能量分辨率变差。直流耦合的特?/p>
是消除了耦合电容和负载电阻对地的分布电容?/p>
有效地提高信噪比?/p>
对低?/p>
X
射线的探
测尤为重要?/p>
11.
半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏?/p>
这种效应称为半导体探测器
的辐射损伤效应?/p>
辐射损伤是由于入射粒子通过半导体材料撞击原子产生填隙空位对?/p>
起的,它在半导体材料中形成的施主、受主、陷阱等可以作为俘获中心,从而降低载?/p>
子的寿命,影响载流子的收集,而且使电阻率发生变化,材料性能变化会使探测器性能
变坏?/p>
12.
半导体探测器的优点是?/p>
A
电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴所需能量大约比气体中产生一对电子?/p>
离子对少一个数量级,因而电荷数的相对统计涨落也就小很多,能量分辨率高;
B
带电粒子在半导体中形成电离密度要比在气体中形成高大约
3
个数量级?/p>
因而具有高
空间分辨和快时间响应的探测器?/p>
C
测量电离辐射的能量时,线性范围宽?/p>
半导体探测器的缺点是?/p>
A
对辐射损伤效应灵敏,受强辐照后性能变差?/p>
B
常用?/p>
Ge
探测器,要在低温条件下工作,使用不便,限制了应用范围?/p>