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2.

 

核辐射粒子射?/p>

PN

结区后,通过与半导体的相互作用,损失能量产生电子

-

空穴对。在

外电场作用下,电子和空穴分别向两极漂移,于是在输出回路中形成信号,当电场足够

强时,电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略时,输出信号的幅度与带电粒子在结区

消耗的能量成正比?/p>

 

3.

 

金硅面垒

α

半导体探测器?/p>

Ge

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Li

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Si

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探测器;

HgI

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CdTe

探测器;

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探测器?/p>

 

4.

 

扩散型;面垒型;离子注入?/p>

 

5.

 

PN

结加偏压的目的是?/p>

使得

PN

结的传导电流很小?/p>

相当?/p>

PN

结二极管加上反向电压

的情况;内部工作机理是相当于加上反向偏压?/p>

P

区中空穴从结区被吸引到接触点,相

同的是,

N

区中的电子也向结区外移动,那么结区宽度就会变宽?/p>

 

6.

 

电荷运动的瞬时涨落?/p>

 

7.

 

记录到的脉冲数;入射到探测器灵敏体积内的

γ

光子数?/p>

 

8.

 

ε

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本征

 

9.

 

全能峰内的计数;源发射的

γ

光子数?/p>

 

10.

 

前置放大器与探测器的连接方式有交流耦合和直流耦合两种;其中,交流耦合的优点是

探测器和前置放大器的直流工作点互相隔离,设计简单。缺点是由于探测器负载电阻和

耦合电容的存在,增加了分布电容,使得噪声增加,能量分辨率变差。直流耦合的特?/p>

是消除了耦合电容和负载电阻对地的分布电容?/p>

有效地提高信噪比?/p>

对低?/p>

X

射线的探

测尤为重要?/p>

 

11.

 

半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏?/p>

这种效应称为半导体探测器

的辐射损伤效应?/p>

辐射损伤是由于入射粒子通过半导体材料撞击原子产生填隙空位对?/p>

起的,它在半导体材料中形成的施主、受主、陷阱等可以作为俘获中心,从而降低载?/p>

子的寿命,影响载流子的收集,而且使电阻率发生变化,材料性能变化会使探测器性能

变坏?/p>

 

12.

 

半导体探测器的优点是?/p>

 

A 

电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴所需能量大约比气体中产生一对电子?/p>

离子对少一个数量级,因而电荷数的相对统计涨落也就小很多,能量分辨率高;

 

B 

带电粒子在半导体中形成电离密度要比在气体中形成高大约

3

个数量级?/p>

因而具有高

空间分辨和快时间响应的探测器?/p>

 

C 

测量电离辐射的能量时,线性范围宽?/p>

 

半导体探测器的缺点是?/p>

 

A 

对辐射损伤效应灵敏,受强辐照后性能变差?/p>

 

B 

常用?/p>

Ge

探测器,要在低温条件下工作,使用不便,限制了应用范围?/p>

 

 

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核辐射粒子射?/p>

PN

结区后,通过与半导体的相互作用,损失能量产生电子

-

空穴对。在

外电场作用下,电子和空穴分别向两极漂移,于是在输出回路中形成信号,当电场足够

强时,电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略时,输出信号的幅度与带电粒子在结区

消耗的能量成正比?/p>

 

3.

 

金硅面垒

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半导体探测器?/p>

Ge

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探测器;

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4.

 

扩散型;面垒型;离子注入?/p>

 

5.

 

PN

结加偏压的目的是?/p>

使得

PN

结的传导电流很小?/p>

相当?/p>

PN

结二极管加上反向电压

的情况;内部工作机理是相当于加上反向偏压?/p>

P

区中空穴从结区被吸引到接触点,相

同的是,

N

区中的电子也向结区外移动,那么结区宽度就会变宽?/p>

 

6.

 

电荷运动的瞬时涨落?/p>

 

7.

 

记录到的脉冲数;入射到探测器灵敏体积内的

γ

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8.

 

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9.

 

全能峰内的计数;源发射的

γ

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10.

 

前置放大器与探测器的连接方式有交流耦合和直流耦合两种;其中,交流耦合的优点是

探测器和前置放大器的直流工作点互相隔离,设计简单。缺点是由于探测器负载电阻和

耦合电容的存在,增加了分布电容,使得噪声增加,能量分辨率变差。直流耦合的特?/p>

是消除了耦合电容和负载电阻对地的分布电容?/p>

有效地提高信噪比?/p>

对低?/p>

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射线的探

测尤为重要?/p>

 

11.

 

半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏?/p>

这种效应称为半导体探测器

的辐射损伤效应?/p>

辐射损伤是由于入射粒子通过半导体材料撞击原子产生填隙空位对?/p>

起的,它在半导体材料中形成的施主、受主、陷阱等可以作为俘获中心,从而降低载?/p>

子的寿命,影响载流子的收集,而且使电阻率发生变化,材料性能变化会使探测器性能

变坏?/p>

 

12.

 

半导体探测器的优点是?/p>

 

A 

电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴所需能量大约比气体中产生一对电子?/p>

离子对少一个数量级,因而电荷数的相对统计涨落也就小很多,能量分辨率高;

 

B 

带电粒子在半导体中形成电离密度要比在气体中形成高大约

3

个数量级?/p>

因而具有高

空间分辨和快时间响应的探测器?/p>

 

C 

测量电离辐射的能量时,线性范围宽?/p>

 

半导体探测器的缺点是?/p>

 

A 

对辐射损伤效应灵敏,受强辐照后性能变差?/p>

 

B 

常用?/p>

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探测器,要在低温条件下工作,使用不便,限制了应用范围?/p>

 

 

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PN

结区后,通过与半导体的相互作用,损失能量产生电子

-

空穴对。在

外电场作用下,电子和空穴分别向两极漂移,于是在输出回路中形成信号,当电场足够

强时,电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略时,输出信号的幅度与带电粒子在结区

消耗的能量成正比?/p>

 

3.

 

金硅面垒

α

半导体探测器?/p>

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HgI

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探测器;

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4.

 

扩散型;面垒型;离子注入?/p>

 

5.

 

PN

结加偏压的目的是?/p>

使得

PN

结的传导电流很小?/p>

相当?/p>

PN

结二极管加上反向电压

的情况;内部工作机理是相当于加上反向偏压?/p>

P

区中空穴从结区被吸引到接触点,相

同的是,

N

区中的电子也向结区外移动,那么结区宽度就会变宽?/p>

 

6.

 

电荷运动的瞬时涨落?/p>

 

7.

 

记录到的脉冲数;入射到探测器灵敏体积内的

γ

光子数?/p>

 

8.

 

ε

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9.

 

全能峰内的计数;源发射的

γ

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10.

 

前置放大器与探测器的连接方式有交流耦合和直流耦合两种;其中,交流耦合的优点是

探测器和前置放大器的直流工作点互相隔离,设计简单。缺点是由于探测器负载电阻和

耦合电容的存在,增加了分布电容,使得噪声增加,能量分辨率变差。直流耦合的特?/p>

是消除了耦合电容和负载电阻对地的分布电容?/p>

有效地提高信噪比?/p>

对低?/p>

X

射线的探

测尤为重要?/p>

 

11.

 

半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏?/p>

这种效应称为半导体探测器

的辐射损伤效应?/p>

辐射损伤是由于入射粒子通过半导体材料撞击原子产生填隙空位对?/p>

起的,它在半导体材料中形成的施主、受主、陷阱等可以作为俘获中心,从而降低载?/p>

子的寿命,影响载流子的收集,而且使电阻率发生变化,材料性能变化会使探测器性能

变坏?/p>

 

12.

 

半导体探测器的优点是?/p>

 

A 

电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴所需能量大约比气体中产生一对电子?/p>

离子对少一个数量级,因而电荷数的相对统计涨落也就小很多,能量分辨率高;

 

B 

带电粒子在半导体中形成电离密度要比在气体中形成高大约

3

个数量级?/p>

因而具有高

空间分辨和快时间响应的探测器?/p>

 

C 

测量电离辐射的能量时,线性范围宽?/p>

 

半导体探测器的缺点是?/p>

 

A 

对辐射损伤效应灵敏,受强辐照后性能变差?/p>

 

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核辐射探测复习题第四章半导体探测器答?- 百度文库
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2.

 

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结区后,通过与半导体的相互作用,损失能量产生电子

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外电场作用下,电子和空穴分别向两极漂移,于是在输出回路中形成信号,当电场足够

强时,电子和空穴在结区的复合和俘获可以忽略时,输出信号的幅度与带电粒子在结区

消耗的能量成正比?/p>

 

3.

 

金硅面垒

α

半导体探测器?/p>

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4.

 

扩散型;面垒型;离子注入?/p>

 

5.

 

PN

结加偏压的目的是?/p>

使得

PN

结的传导电流很小?/p>

相当?/p>

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结二极管加上反向电压

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同的是,

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区中的电子也向结区外移动,那么结区宽度就会变宽?/p>

 

6.

 

电荷运动的瞬时涨落?/p>

 

7.

 

记录到的脉冲数;入射到探测器灵敏体积内的

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8.

 

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9.

 

全能峰内的计数;源发射的

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10.

 

前置放大器与探测器的连接方式有交流耦合和直流耦合两种;其中,交流耦合的优点是

探测器和前置放大器的直流工作点互相隔离,设计简单。缺点是由于探测器负载电阻和

耦合电容的存在,增加了分布电容,使得噪声增加,能量分辨率变差。直流耦合的特?/p>

是消除了耦合电容和负载电阻对地的分布电容?/p>

有效地提高信噪比?/p>

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测尤为重要?/p>

 

11.

 

半导体探测器受强辐射照射一段时间以后性能会逐渐变坏?/p>

这种效应称为半导体探测器

的辐射损伤效应?/p>

辐射损伤是由于入射粒子通过半导体材料撞击原子产生填隙空位对?/p>

起的,它在半导体材料中形成的施主、受主、陷阱等可以作为俘获中心,从而降低载?/p>

子的寿命,影响载流子的收集,而且使电阻率发生变化,材料性能变化会使探测器性能

变坏?/p>

 

12.

 

半导体探测器的优点是?/p>

 

A 

电离辐射在半导体介质中产生一对电子、空穴所需能量大约比气体中产生一对电子?/p>

离子对少一个数量级,因而电荷数的相对统计涨落也就小很多,能量分辨率高;

 

B 

带电粒子在半导体中形成电离密度要比在气体中形成高大约

3

个数量级?/p>

因而具有高

空间分辨和快时间响应的探测器?/p>

 

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测量电离辐射的能量时,线性范围宽?/p>

 

半导体探测器的缺点是?/p>

 

A 

对辐射损伤效应灵敏,受强辐照后性能变差?/p>

 

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