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数集复习笔记

 

By 

潇然

 

2018.6.29 

 

名词解释专项

 

摩尔定律

:一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍?/p>

 

传播延时

:一个门的传播延?/p>

t

p

定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示

一个信

号通过一个门时所经历的延?/p>

?/p>

定义为输入和输出波形?/p>

50%

翻转点之间的时间

?/p>

由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同,所以需定义两个传播延时?/p>

t

pLH

定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间,?/p>

t

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则为输出由高至低翻转

的响应时间?/p>

传播延时

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定义为这两个时间?/p>

平均?/p>

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设计规则

?/p>

设计规则?/p>

指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规?/p>

?/p>

它们包括图形允许的最

小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求?/p>

定义设计规则

的目的是为了能够很容易地

把一个电路概念转换成硅上的几何图?/p>

?/p>

设计规则?/p>

作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口,或者说是他们之间的协议?/p>

 

速度饱和效应

:对于长?/p>

MOS

管,载流子满足公式:

υ

 = -

μξ

(x)

。公式表明载流子的?

度正比于电场,且这一关系与电场强度值的大小无关。换言之,载流子的?/p>

移率是一个常数。然而在(水平方向)

电场强度很高

的情况下,载流子不再

符合这一线性模型。当沿沟道的电场达到某一临界?/p>

ξ

c

时,载流子的速度

将由?/p>

散射效应

(即载流子间的碰撞)而趋于饱和?/p>

 

时钟抖动?/p>

在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化?/p>

即时钟周期在每个不同的周

期上可以缩短或加长?/p>

 

逻辑综合

?/p>

逻辑综合的任务是

产生一个逻辑级模型的结构描述

?/p>

这一模型可以用许多不同的

方式来说明,

?/p>

状态转移图

?/p>

状态图?/p>

电路?/p>

?/p>

布尔表达?/p>

?/p>

真值表

?/p>

HDL

描述?/p>

 

噪声容限

:为了使一个门?/p>

稳定性较?/p>

并且?/p>

噪声干扰不敏?/p>

,应当使?/p>

0

”和?/p>

1

”的区间

越大越好?/p>

一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限

NM

L

和高电平噪声容限

NM

H

来度量的,它们分?/p>

量化了合法的?/p>

0

”和?/p>

1

”的范围?/p>

并确定了

噪声的最大固

定阈?/p>

?/p>

 

               

NM

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V

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- 

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潇然

 

2018.6.29 

 

名词解释专项

 

摩尔定律

:一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍?/p>

 

传播延时

:一个门的传播延?/p>

t

p

定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示

一个信

号通过一个门时所经历的延?/p>

?/p>

定义为输入和输出波形?/p>

50%

翻转点之间的时间

?/p>

由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同,所以需定义两个传播延时?/p>

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定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间,?/p>

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则为输出由高至低翻转

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平均?/p>

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设计规则

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设计规则?/p>

指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规?/p>

?/p>

它们包括图形允许的最

小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求?/p>

定义设计规则

的目的是为了能够很容易地

把一个电路概念转换成硅上的几何图?/p>

?/p>

设计规则?/p>

作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口,或者说是他们之间的协议?/p>

 

速度饱和效应

:对于长?/p>

MOS

管,载流子满足公式:

υ

 = -

μξ

(x)

。公式表明载流子的?

度正比于电场,且这一关系与电场强度值的大小无关。换言之,载流子的?/p>

移率是一个常数。然而在(水平方向)

电场强度很高

的情况下,载流子不再

符合这一线性模型。当沿沟道的电场达到某一临界?/p>

ξ

c

时,载流子的速度

将由?/p>

散射效应

(即载流子间的碰撞)而趋于饱和?/p>

 

时钟抖动?/p>

在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化?/p>

即时钟周期在每个不同的周

期上可以缩短或加长?/p>

 

逻辑综合

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逻辑综合的任务是

产生一个逻辑级模型的结构描述

?/p>

这一模型可以用许多不同的

方式来说明,

?/p>

状态转移图

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状态图?/p>

电路?/p>

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布尔表达?/p>

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真值表

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描述?/p>

 

噪声容限

:为了使一个门?/p>

稳定性较?/p>

并且?/p>

噪声干扰不敏?/p>

,应当使?/p>

0

”和?/p>

1

”的区间

越大越好?/p>

一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限

NM

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和高电平噪声容限

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来度量的,它们分?/p>

量化了合法的?/p>

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”的范围?/p>

并确定了

噪声的最大固

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2018.6.29 

 

名词解释专项

 

摩尔定律

:一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍?/p>

 

传播延时

:一个门的传播延?/p>

t

p

定义了它对输入端信号变化的响应有多快。它表示

一个信

号通过一个门时所经历的延?/p>

?/p>

定义为输入和输出波形?/p>

50%

翻转点之间的时间

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由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同,所以需定义两个传播延时?/p>

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定义为这个门的输出由低至高翻转的响应时间,?/p>

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则为输出由高至低翻转

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平均?/p>

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设计规则

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设计规则?/p>

指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规?/p>

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它们包括图形允许的最

小宽度以及在同一层和不同层上图形之间最小间距的限制与要求?/p>

定义设计规则

的目的是为了能够很容易地

把一个电路概念转换成硅上的几何图?/p>

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设计规则?/p>

作用就是电路设计者和工艺工程师之间的接口,或者说是他们之间的协议?/p>

 

速度饱和效应

:对于长?/p>

MOS

管,载流子满足公式:

υ

 = -

μξ

(x)

。公式表明载流子的?

度正比于电场,且这一关系与电场强度值的大小无关。换言之,载流子的?/p>

移率是一个常数。然而在(水平方向)

电场强度很高

的情况下,载流子不再

符合这一线性模型。当沿沟道的电场达到某一临界?/p>

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时,载流子的速度

将由?/p>

散射效应

(即载流子间的碰撞)而趋于饱和?/p>

 

时钟抖动?/p>

在芯片的某一个给定点上时钟周期发生暂时的变化?/p>

即时钟周期在每个不同的周

期上可以缩短或加长?/p>

 

逻辑综合

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逻辑综合的任务是

产生一个逻辑级模型的结构描述

?/p>

这一模型可以用许多不同的

方式来说明,

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状态转移图

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噪声容限

:为了使一个门?/p>

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并且?/p>

噪声干扰不敏?/p>

,应当使?/p>

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”和?/p>

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”的区间

越大越好?/p>

一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限

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并确定了

噪声的最大固

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摩尔定律

:一个芯片上的晶体管数目大约每十八个月增长一倍?/p>

 

传播延时

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由于一个门对上升和下降输入波形的响应时间不同,所以需定义两个传播延时?/p>

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指导版图掩膜设计的对几何尺寸的一组规?/p>

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速度饱和效应

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散射效应

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逻辑综合

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一个门对噪声的灵敏度是由低电平噪声容限

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