?/p>
VASP
进行
Partial Charge
分析实例
VASP Version : 4.6
在这篇文章中,我将首先介?/p>
Partial
Charge
的概念,以及如何?/p>
VASP
具体的计?/p>
Partial
Charge
。首先,所谓的
Partial Charge
是针对与
Total Charge
来说的,指的是某个能量范围?/p>
某个
K
点或者某个特定的态所对应的电荷密度。在文献中最常见的是价带顶部,导带底部,
表面态或者局域态所对应?/p>
Partial Charge
?/p>
通过分析这些态所对应?/p>
Partial Charge
?/p>
可以?/p>
到体系的一些性质?/p>
比如局域态具体的是局域在哪个原子上等?/p>
我将通过具体的例子说明如
何用
VASP
进行
Partial Charge Analysis
?/p>
进行
Partial Charge Analysis
的第一步是进行自洽的计算,得到体系的电子结构。这一步的?/p>
算采用通常?/p>
INCAR
?/p>
KPOINTS
文件。在自洽计算结束后,我们需要保?/p>
WAVECAR
文件?/p>
(通过?/p>
INCAR
文件中设?/p>
LWAVE=TRUE
实现?/p>
在这个例子中?/p>
假设我们需要计算一个硅?/p>
米线的导带和价带?/p>
Partial Charge
。硅纳米线的结构如下?/p>
第二步是画出能带结构,以决定你需要画哪条能带的那?/p>
K
点的态所对应?/p>
Partial
Charge
?/p>
关于具体如何?/p>
VASP
画能带,请参见用
VASP4.6
计算晶体硅能带实例一文。我们得到硅?/p>
米线的能带结构如下:
画能带时有些小技巧。你可以用一些支持列模块的编辑器,如
UltraEdit
,将
OUTCAR
里的?/p>
?/p>
K
点所对应的本征值粘贴到
Origin
中?/p>
这一步完成后?/p>
?/p>
Origin
中做一个矩阵转置,
然后
?/p>
K
点坐标贴到第一列,并将其设?/p>
X
坐标。如此画出来的基本上就是能带图了。在
Origin
中可以通过设置纵轴范围来更加清楚的区分费米能级附近的各条能带?/p>
如上的硅纳米线所?/p>
应的能带结构图如下:
决定画哪条能带,或者那些感兴趣?/p>
K
点之后,有如下几种方法计算不同的
Partial
Charge
?/p>
如果你希望计算价带顶端的
Partial Charge
?/p>
则需要首先通过能带结构图确定价带的能带标号?/p>
需要注意,进行
Partial Charge
分析必须要保留有自洽计算?/p>
WAVECAR
才可以?/p>
第一?/p>
Partial Charge
分析?/p>
INCAR
ISTART =
1
job
: 0-new
1-cont
2-samecut
ICHARG =
1
charge: 1-file 2-atom 10-const
LPARD=.TRUE.
IBAND= 20 21 22 23
KPUSE= 1 2 3 4
LSEPB=.TRUE.
LSEPK=.TRUE.
这样?/p>
INCAR
给出的是指定能带,指?/p>
K
点所对应?/p>
Partial
Charge
。分析导带、价带等?/p>
Partial Charge
特性,通常采用的都是这种模式?/p>
第二?/p>
Partial Charge
分析?/p>
INCAR
ISTART =
1
job
: 0-new
1-cont
2-samecut
ICHARG =
1
charge: 1-file 2-atom 10-const
LPARD=.TRUE.
EINT = -10.3 -5.1
LSEPB=.FALSE.
LSEPK=.FALSE.
这样?/p>
INCAR
给出的是在能量之间的
Partial Charge
?/p>
这种模式适合于分析某个能量区间内?/p>
波函数的性质?/p>
第三?/p>
Partial Charge
分析?/p>
INCAR
ISTART =
1
job
: 0-new
1-cont
2-samecut