东北农业大学网络教育学院
电子技术专科网上作业题
半导体器?/p>
一?/p>
判断?/p>
1
.因为晶体管发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多,所以能用两个二极管反向连接起来代替
晶体管?/p>
(
)
2
.晶体管相当于两个反向连接的二极管,所以基极断开后还可以作为二极管使用?/p>
(
)
3
?/p>
P
型半导体的多数载流子是空穴,因此
P
型半导体带正电?/p>
(
)
4
.当二极管加反向电压时,二极管将有很小的反向电流通过,这个反向电流是?/p>
P
型和
N
型半导体
中少数载流子的漂移运动形成的?/p>
(
)
5
.二极管的电流—电压关系特性可大概理解为反向导通、正向截止的特性?/p>
(
)
6
.当二极管加正向电压时,二极管将有很大的正向电流通过,这个正向电流是?/p>
P
型和
N
型半导体
中多数载流子的扩散运动形成的?/p>
(
)
7
.发射结处于正向偏置的晶体管,则其一定是工作在放大状态?/p>
(
)
8
.一般情况下,晶体管的电流放大系数随温度的增加而减小?/p>
(
)
9
.常温下,硅晶体管的
U
BE
?/p>
0
?/p>
7V
,且随温度升?/p>
U
BE
增加?/p>
(
)
10
.二极管正向动态电阻的大小,随流过二极管电流的变化而变化,是不固定的?/p>
?/p>
?/p>
11
.用万用表识别二极管的极性时,若测的是二极管的正向电阻,那么和标有“十”号的测试棒相连
的是二极管的正极,另一端是负极?/p>
(
)
12
?/p>
N
型半导体是在本征半导体中,加入少量的三价元素构成的杂质半导体?/p>
(
)
13
.在
N
型半导体中,自由电子的数目比空穴数目多得多,故自由电子称为多数载流子,空穴称为少
数载流子?/p>
(
)
14
.一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压?/p>
(
)
15
.晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入
基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流?/p>
(
)
16
.当外加电压为零时,
PN
结的结电容最小?/p>
(
)
17
.当反向电压小于反向击穿电压时.二极管的反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,?/p>
反向电流迅速增大?/p>
(
)
18
?/p>
当晶体管的工作电流小于集电极最大允许电流,
?/p>
U
CE
小于
BU
CEO
时,
晶体管就能安全工作?/p>
(
)
19
.晶体管的电流放大系?/p>
β
值越大,说明该管的电流控制能力越强。所以晶体管?/p>
β
值越大越好?/p>
(
)
20
.场效应管和晶体管一样,均为电流控制元件?/p>
(
)
21
.二极管电压—电流曲线描绘出了电流随时间变化的关系?/p>
(
)
22
.当加在二极管两端的电压一定时,流经二极管的反向电流还会随环境温度的改变而改变?/p>
(
)
23
.基极开路、集电极和发射极之间加有一定电压时的集电极电流,叫晶体管的穿透电流?/p>
(
)