直拉单晶硅中的位?/p>
1.
简?/p>
尽管单晶硅石晶格最为完整的人工晶体,但是,依然存在晶格缺陷?/p>
晶体硅的缺陷有多种类型。按照缺陷的结构分类,直拉单晶硅中主要存在点缺陷、位
错、层错和微缺陷;
按照晶体生长和加工过程分类,可以分为晶体原生缺陷和二次诱生缺陷。原生缺陷是
指晶体生长过程中引入的缺陷,对于直拉单晶硅而言,主要有点缺陷、位错和微缺陷;?/p>
二次诱生缺陷是指在硅片或器件加工过程中引入的缺陷,除点缺陷和位错以外,层错是?/p>
要可能引入的晶体缺陷?/p>
对于太阳电池用直拉单晶硅,点缺陷的性能研究很少,其对太阳电池性能的影响不?/p>
而知;而普通硅太阳电池工艺的热处理步骤远少于集成电路,所以工艺诱生的层错也比?/p>
少。显然,在太阳电池用直拉单晶硅中,位错是主要的晶体缺陷?/p>
直拉单晶硅位错的引入可以有三种途径?/p>
一是在晶体生长时,由于籽晶的热冲击,会在晶体中引入原生位错。这种位错一旦产
生,
会从晶体的头部向尾部延伸?/p>
甚至能达到晶体的底部?/p>
但是?/p>
如果采用控制良好?/p>
“缩
颈”技术,位错可以在引晶阶段排出晶体硅,所以,集成电路用直拉单晶硅已经能够做到
没有热冲击产生的位错。另外,在晶体生长过程中,如果热场不稳定,产生热冲击,也?/p>
从固液界面处产生位错,延伸进入晶体硅。对于太阳电池用直拉单晶硅,因为晶体生长?