模拟电子技术试题及答案
练习一
一、填?/p>
(16
?/p>
)
1.
半导体二极管的主要特性就?/p>
___________
?/p>
2.
三极管工作在放大区时
,
发射结为
____
偏置
,
集电结为
_____
偏置
;
工作在饱与区时发射结?/p>
___
偏置
,
集电结为
____
偏置?/p>
3.
当输入信号频率为
fL
?/p>
fH
?/p>
,
放大倍数的幅值约下降为中频时?/p>
__
?/p>
,
或者就是下降了
__dB,
此时与中频时相比
,
放大倍数的附加相移约?/p>
_____
?/p>
4.
为提高放大电路输入电阻应引入
___
反馈
;
为降低放大电路输出电?/p>
,
应引?/p>
_____
反馈?/p>
5.
乙类功率放大电路?/p>
,
功放晶体管静态电?/p>
ICQ =____
、静态时的电源功?/p>
PDC =______
。这类功放的能量转换效率在理想情况下
,
可达?/p>
_____,
但这种功放有
______
失真?/p>
6.
在串联型稳压电路?/p>
,
引入了——负反馈
;
为了正常稳压
,
调整管必须工作在
____
区域?/p>
二、选择正确答案填空
(24
?/p>
)
1.
在某放大电路?/p>
,
测的三极管三个电极的静态电位分别为
0 V,-10 V,-9
?/p>
3 V,
则这只三极管就是
( )
?/p>
A.NPN
型硅?/p>
B.NPN
型锗?/p>
C.PNP
型硅?/p>
D.PNP
型锗?/p>
2.
某场效应管的转移特性如图1所?/p>
,
该管?/p>
( )
?/p>
A.P
沟道增强?/p>
MOS
?/p>
B.P
沟道结型场效应管
C.N
沟道增强?/p>
MOS
?/p>
D.N
沟道耗尽?/p>
MOS
?/p>
3.
在图?/p>
2
差分放大电路?/p>
,
?/p>
uI = 20 mV,
则电路的
( )
?/p>
A.
差模输入电压?/p>
10 mV,
共模输入电压?/p>
10 mV
?/p>
B.
差模输入电压?/p>
10 mV,
共模输入电压?/p>
20 mV
?/p>
C.
差模输入电压?/p>
20 mV,
共模输入电压?/p>
10 mV
?/p>
D.
差模输入电压?/p>
20 mV,
共模输入电压?/p>
20 mV
?/p>
4.
通用型集成运放的输入级采用差动放大电?/p>
,
这就是因为它?/p>
( )
?/p>
A.
输入电阻?/p>
B.
输出电阻?/p>
C.
共模抑制比大
D.
电压放大倍数?/p>
5.
在图示电路中
,Ri
为其输入电阻
,RS
为常?/p>
,
为使下限频率
fL
降低
,
?/p>
( )
?/p>
A.
减小
C,
减小
Ri B.
减小
C,
增大
Ri
C.
增大
C,
减小
Ri D.
增大
C,
增大
Ri
6.
如图所示复合管
,
已知
V1
?/p>
b1 = 30,V2
?/p>
b2 = 50,
则复合后?/p>
b
约为
( )
?/p>
A.1500 B.80 C.50 D.30
7.RC
桥式正弦波振荡电路由两部分电路组?/p>
,
?/p>
RC
串并联选频网络?/p>
( )
?/p>
A.
基本共射放大电路
B.
基本共集放大电路
C.
反相比例运算电路
D.
同相比例运算电路
8.
已知某电路输入电压与输出电压的波形如图所?/p>
,
该电路可能就?/p>
( )
?/p>
A.
积分运算电路
B.
微分运算电路
C.
过零比较?/p>
D.
滞回比较?/p>
三、两级放大电路如图所?/p>
,
已知三极管的参数
:V1
?/p>
b1
?/p>
rbe1,V2
?/p>
b2
?/p>
rbe2,
电容
C1
?/p>
C2
?/p>
CE
在交流通路中可视为短路?/p>
1.
分别指出
V1
?/p>
V2
的电路组?/p>
;
2.
画出图示电路简化的
H
参数微变等效电路
;
3.
计算中频电压放大倍数
Au,
输入电阻
Ri
与输出电?/p>
Ro
?/p>
(12
?/p>
)