模拟电路部分习题答案
第二?/p>
晶体二极管及应用电路
2-1
.填?/p>
?/p>
1
?/p>
N
型半导体是在本征半导体中掺入五价元素?/p>
P
型半导体是在本征半导体中掺入
三价元素
?/p>
?/p>
2
)当温度升高时,二极管的反向饱和电流?/p>
增大
?/p>
?/p>
3
?/p>
PN
结的结电容包括势垒电容和扩散电容?/p>
?/p>
4
)晶体管的三个工作区分别?/p>
放大区、截止区和饱和区。在放大电路中,晶体
管通常工作?/p>
放大?/p>
区?/p>
?/p>
5
?/p>
结型场效应管工作在恒流区时,
其栅
-
源间所加电压应?/p>
反偏
?/p>
(正偏?/p>
反偏?/p>
2-2
.判断下列说法正确与否?/p>
?/p>
1
)本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
2
?/p>
P
型半导体带正电,
N
型半导体带负电?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
3
)结型场效应管外加的?/p>
-
源电压应使栅
-
源间的耗尽层承受反向电压,才能保证
R
GS
大的特点?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
4
)只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
5
)晶体管工作在饱和状态时发射极没有电流流过?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
6
)在
N
型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为
P
型半导体?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
7
?/p>
PN
结在无光照、无外加电压时,结电流为零?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
8
)若耗尽?/p>
N
沟道
MOS
场效应管?/p>
U
GS
大于零,则其输入电阻会明显减小?/p>
()
答案?/p>
?/p>
1
)对;温度升高后,载流子浓度会增加,但是对于本征半导体来讲,电子?/p>
空穴的数量始终是相等的?/p>
?/p>
2
)错;对?/p>
P
型半导体?/p>
N
型半导体在没有形?/p>
PN
结时,处于电中性的?/p>
态?/p>
?/p>
3
)对;结型场效应管在栅源之间没有绝缘层,所以外加的?/p>
-
源电压应使栅
-
源间的耗尽层承受反向电压,才能保证
R
GS
大的特点?/p>
?/p>
4
)错;稳压管要进入稳压工作状态两端加反向电压必须达到稳压值?/p>
?/p>
5
)错;晶体管工作在饱和状态和放大状态时发射极有电流流过,只有在?/p>
止状态时没有电流流过?/p>
?/p>
6
)对?/p>
N
型半导体中掺入足够量的三价元素,不但可复合原先掺入的五价
元素,而且可使空穴成为多数载流子,从而形?/p>
P
型半导体?/p>
?/p>
7
)对?/p>
PN
结在无光照、无外加电压时,处于动态平衡状态,扩散电流和漂
移电流相等?/p>
?/p>
8
)错。绝缘栅场效应管因为栅源间和栅漏之间?/p>
SiO2
绝缘层而使栅源间电阻非?/p>
大。因此耗尽?/p>
N
沟道
MOS
场效应管?/p>
U
GS
大于零,有绝缘层故而不影响输入电阻?/p>
2-3
.怎样用万用表判断二极管的正、负极性及好坏?/p>
答:可以利用万用表的电阻挡测量二极管两端电阻,正向时电阻很小,反向时电阻?/p>
大?/p>
2-4
?/p>
二极管电路如?/p>
2-4
图所示,
试判断图中的二极管是导通还是截止?输出电压?/p>
多少?/p>