学院
姓名
学号
任课老师
考场教室
__________
选课?/p>
/
座位?/p>
………密………封………线………以………内………答………题………无………效…?/p>
?/p>
1
?/p>
?/p>
6
?/p>
电子科技大学
2010 - 2011
学年?/p>
?/p>
学期?/p>
?/p>
考试
B
?/p>
课程名称:微电子工艺
考试形式?/p>
开?/p>
考试日期?/p>
20
?/p>
?/p>
?/p>
考试时长?/p>
120
分钟
课程成绩构成:平?/p>
10
%
?/p>
期中
%
?/p>
实验
%
?/p>
期末
90
%
本试卷试题由
?/p>
部分构成,共
4
页?/p>
题号
一
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
合计
得分
一、简答题(共
72
分,?/p>
12
题,每题
6
分)
1
?/p>
名词解释:集成电路、芯片的关键尺寸以及摩尔定律
集成电路:多个电子元件,如电阻、电容、二极管和三极管等集成在基片上形成的具有确定芯片?/p>
能的电路?/p>
关键尺寸:硅片上的最小特征尺?/p>
摩尔定律:每?/p>
12
个月?/p>
18
个月,芯片上集成的晶体管数目增加一倍,性能增加一?/p>
2
?/p>
MOS
器件中使用什么晶面方向的硅片,双极型器件呢?请分别给出原因?/p>
MOS
?/p>
<100>
Si/SiO
2
界面态密度低;双极:
<111>
生长快,成本?/p>
3
?/p>
倒掺杂工艺中,为形成
p
阱和
n
阱一般分别注入什么离子?为什么一般形?/p>
P
阱所需的离子注入能
量远小于形成
n
阱所需的离子注入能量?
PMOS
管一般做?/p>
p
阱还?/p>
n
阱中?/p>
P
阱:?/p>
B
?/p>
N
阱:?/p>
P
?/p>
B
离子远比
P
离子要轻,所以同样注入深度,?/p>
P
所需能量?/p>
PMOS
管做?/p>
n
阱中
4
?/p>
解释质量输运限制
CVD
工艺和反应速度限制
CVD
工艺的区别,哪种工艺依赖于温度,为什?/p>
LPCVD
淀积的薄膜?/p>
APCVD
淀积的薄膜更均匀?/p>
质量输运限制
CVD
:反应速率不能超过传输到硅片表面的反应气体的传输速率?/p>
反应速度限制
CVD
:淀积速度受到硅片表面反应速度的限制,依赖于温度?/p>
LPCVD
工作于低压下,反应气体分子具有更大的平均自由程,反应器内的气流条件不重要,只要控
制好温度就可以大面积均匀成膜?/p>
?/p>
?/p>