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变温霍尔效应
摘要
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本实验采用范德堡测试方法,通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随
温度的变化,得到并分析了实验与理论对比的
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曲线,还对电子迁移率与空ç©?/p>
迁移率的比值作了估算ã€?/p>
关键词:
霍耳效应,霍耳系数,半导体,载流子,控温,变温测量ã€?/p>
一、引言
对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场ï¼?/p>
则在垂直于电流和磁场方向上有
一横向电位差出现,这个现象äº?/p>
1879
年为物理学家霍尔所发现,故称为霍尔效应。在
20
世纪的前半个世纪ï¼?/p>
霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展,
特别是在å�?/p>
导体纯度以及杂质种类的一种有力手段,
也可用于研究半导体材料电输运特征ï¼?/p>
至今仍然æ˜?/p>
半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中,采用范德堡测试方法ï¼?/p>
测量样品霍尔系数随温度的变化ã€?/p>
二、实验原ç�?/p>
1
、霍尔效åº?/p>
霍尔效应是一种电流磁效应,如å›?/p>
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所示:
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霍耳效应示意图
当样品通以电流
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,并加一磁场垂直于电流,则在样品的两侧产生一个霍尔电位差ï¼?/p>
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霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作用产生的结果ã€?/p>
2
、一种载流子导电的霍尔系æ•?/p>
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