第二?/p>
PN
?/p>
填空?/p>
1
、若某突?/p>
PN
结的
P
型区的掺杂浓度为
N
A
=1.5×
10
16
cm
-3
,则室温下该区的平衡多子
浓度
p
p0
与平衡少子浓?/p>
n
p0
分别为(
)和?/p>
?/p>
?/p>
2
、在
PN
结的空间电荷区中?/p>
P
区一侧带?/p>
)电荷,
N
区一侧带?/p>
)电荷。内?/p>
电场的方向是从(
)区指向?/p>
)区?/p>
3
?/p>
当采用耗尽近似时,
N
型耗尽区中的泊松方程为
?/p>
?/p>
?/p>
由此方程可以看出?/p>
掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越?/p>
?/p>
?/p>
4
?/p>
PN
结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越?/p>
?/p>
,内建电场的最大值就越(
?/p>
?/p>
内建电势
V
bi
就越?/p>
?/p>
,反向饱和电?/p>
I
0
就越?/p>
?/p>
,势垒电?/p>
C
T
就越?/p>
?/p>
,雪崩击穿电
压就越(
?/p>
?/p>
5
、硅突变结内建电?/p>
V
bi
可表为(
?/p>
,在室温下的典型值为?/p>
)伏
特?/p>
6
?/p>
当对
PN
结外加正向电压时?/p>
其势垒区宽度?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
势垒区的势垒高度?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
7
?/p>
当对
PN
结外加反向电压时?/p>
其势垒区宽度?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
势垒区的势垒高度?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
8
、在
P
型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度
n
p
与外加电?/p>
V
之间的关系可表示?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
P
型区的掺杂浓?/p>
N
A
=1.5×
10
17
cm
-3
,外加电?/p>
V
= 0.52V
?/p>
?/p>
P
型区?/p>
耗尽区边界上的少子浓?/p>
n
p
为(
?/p>
?/p>
9
、当?/p>
PN
结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少?/p>
浓度?/p>
?/p>
;当?/p>
PN
结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平?/p>
少子浓度?/p>
?/p>
?/p>
10
?/p>
PN
结的正向电流由(
)电流?/p>
?/p>
)电流和?/p>
?/p>
电流三部分所组成?/p>
11
?/p>
PN
结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是?/p>
?/p>
?/p>
PN
结的反向电流
很小,是因为反向电流的电荷来源是?/p>
?/p>
?/p>
12
、当?/p>
PN
结外加正向电压时,由
N
区注?/p>
P
区的非平衡电子一边向前扩散,一?/p>
?/p>
?/p>
。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的(
?/p>
?/p>
13
?/p>
PN
结扩散电流的表达式为
?/p>
?/p>
?/p>
这个表达式在正向电压下可简
化为?/p>
?/p>
,在反向电压下可简化为?/p>
?/p>
?/p>
14
、在
PN
结的正向电流中,当电压较低时,以?/p>
)电流为主;当电压较高时,以
?/p>
)电流为主?/p>
15
、薄基区二极管是?/p>
PN
结的某一个或两个中性区的长度小于(
?/p>
。在
薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为?/p>
?/p>
?/p>
16
?/p>
小注入条件是指注入某区边界附近的
?/p>
?/p>
浓度远小于该区的
?/p>
?/p>
浓度,因此该区总的多子浓度中的?/p>
)多子浓度可以忽略?/p>
17
?/p>
大注入条件是指注入某区边界附近的
?/p>
?/p>
浓度远大于该区的
?/p>
?/p>
浓度,因此该区总的多子浓度中的?/p>
)多子浓度可以忽略?/p>
18
、势垒电容反映的?/p>
PN
结的?/p>
)电荷随外加电压的变化率?/p>
PN
结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越?/p>
?/p>
;外加反向电压越高,则势垒电容就越(
?/p>
?/p>
19
、扩散电容反映的?/p>
PN
结的?/p>
)电荷随外加电压的变化率。正
向电流越大,则扩散电容就越(
?/p>
;少子寿命越长,则扩散电容就越(
?/p>
?/p>
20
、在
PN
结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较?