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第二?/p>

 

PN

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填空?/p>

 

1

、若某突?/p>

PN

结的

P

型区的掺杂浓度为

N

A

=1.5×

10

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cm

-3

,则室温下该区的平衡多子

浓度

p

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与平衡少子浓?/p>

n

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)和?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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2

、在

PN

结的空间电荷区中?/p>

P

区一侧带?/p>

 

 

)电荷,

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)电荷。内?/p>

电场的方向是从(

 

 

)区指向?/p>

 

 

)区?/p>

 

3

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当采用耗尽近似时,

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型耗尽区中的泊松方程为

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由此方程可以看出?/p>

掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越?/p>

 

 

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PN

结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越?/p>

 

 

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,内建电场的最大值就越(

 

 

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,势垒电?/p>

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、硅突变结内建电?/p>

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可表为(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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,在室温下的典型值为?/p>

 

 

 

 

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当对

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其势垒区宽度?/p>

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势垒区的势垒高度?/p>

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其势垒区宽度?/p>

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势垒区的势垒高度?/p>

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、在

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n

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与外加电?/p>

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之间的关系可表示?/p>

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11

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PN

结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

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很小,是因为反向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

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、当?/p>

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结外加正向电压时,由

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P

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。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的(

 

 

 

 

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)电流为主;当电压较高时,以

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)电流为主?/p>

 

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、薄基区二极管是?/p>

PN

结的某一个或两个中性区的长度小于(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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。在

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浓度,因此该区总的多子浓度中的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)多子浓度可以忽略?/p>

 

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大注入条件是指注入某区边界附近的

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)多子浓度可以忽略?/p>

 

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、势垒电容反映的?/p>

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)电荷随外加电压的变化率?/p>

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;外加反向电压越高,则势垒电容就越(

 

 

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;少子寿命越长,则扩散电容就越(

 

 

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20

、在

PN

结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较?

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1

、若某突?/p>

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结的

P

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结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

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、当?/p>

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、在

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、薄基区二极管是?/p>

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;外加反向电压越高,则势垒电容就越(

 

 

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、扩散电容反映的?/p>

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)电荷随外加电压的变化率。正

向电流越大,则扩散电容就越(

 

 

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;少子寿命越长,则扩散电容就越(

 

 

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、在

PN

结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较?

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1

、若某突?/p>

PN

结的

P

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N

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、在

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P

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)电荷,

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)电荷。内?/p>

电场的方向是从(

 

 

)区指向?/p>

 

 

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当采用耗尽近似时,

N

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由此方程可以看出?/p>

掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越?/p>

 

 

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4

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PN

结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越?/p>

 

 

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,内建电场的最大值就越(

 

 

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内建电势

V

bi

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,反向饱和电?/p>

I

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,势垒电?/p>

C

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,雪崩击穿电

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、硅突变结内建电?/p>

V

bi

可表为(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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,在室温下的典型值为?/p>

 

 

 

 

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当对

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、在

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电流三部分所组成?/p>

 

11

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PN

结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

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结的反向电流

很小,是因为反向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

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、当?/p>

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结外加正向电压时,由

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,在反向电压下可简化为?/p>

 

 

 

 

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、在

PN

结的正向电流中,当电压较低时,以?/p>

 

 

 

 

)电流为主;当电压较高时,以

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)电流为主?/p>

 

15

、薄基区二极管是?/p>

PN

结的某一个或两个中性区的长度小于(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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。在

薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

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16

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小注入条件是指注入某区边界附近的

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浓度远小于该区的

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浓度,因此该区总的多子浓度中的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)多子浓度可以忽略?/p>

 

17

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大注入条件是指注入某区边界附近的

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、势垒电容反映的?/p>

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)电荷随外加电压的变化率?/p>

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;外加反向电压越高,则势垒电容就越(

 

 

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、扩散电容反映的?/p>

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结的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)电荷随外加电压的变化率。正

向电流越大,则扩散电容就越(

 

 

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;少子寿命越长,则扩散电容就越(

 

 

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20

、在

PN

结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较?

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电子科技大学微电子器件习?- 百度文库
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1

、若某突?/p>

PN

结的

P

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N

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=1.5×

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p0

分别为(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)和?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

2

、在

PN

结的空间电荷区中?/p>

P

区一侧带?/p>

 

 

)电荷,

N

区一侧带?/p>

 

 

)电荷。内?/p>

电场的方向是从(

 

 

)区指向?/p>

 

 

)区?/p>

 

3

?/p>

当采用耗尽近似时,

N

型耗尽区中的泊松方程为

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

?/p>

由此方程可以看出?/p>

掺杂浓度越高,则内建电场的斜率越?/p>

 

 

?/p>

?/p>

 

4

?/p>

PN

结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越?/p>

 

 

?/p>

,内建电场的最大值就越(

 

 

?/p>

?/p>

内建电势

V

bi

就越?/p>

 

 

?/p>

,反向饱和电?/p>

I

0

就越?/p>

 

 

?/p>

,势垒电?/p>

C

T

就越?/p>

 

 

?/p>

,雪崩击穿电

压就越(

 

 

?/p>

?/p>

 

5

、硅突变结内建电?/p>

V

bi

可表为(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

,在室温下的典型值为?/p>

 

 

 

 

)伏

特?/p>

 

6

?/p>

当对

PN

结外加正向电压时?/p>

其势垒区宽度?/p>

?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

势垒区的势垒高度?/p>

?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

7

?/p>

当对

PN

结外加反向电压时?/p>

其势垒区宽度?/p>

?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

势垒区的势垒高度?/p>

?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

8

、在

P

型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度

n

p

与外加电?/p>

V

之间的关系可表示?/p>

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

?/p>

?/p>

P

型区的掺杂浓?/p>

N

A

=1.5×

10

17

cm

-3

,外加电?/p>

V

= 0.52V

?/p>

?/p>

P

型区?/p>

耗尽区边界上的少子浓?/p>

n

p

为(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

9

、当?/p>

PN

结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少?/p>

浓度?/p>

 

 

?/p>

;当?/p>

PN

结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平?/p>

少子浓度?/p>

 

 

?/p>

?/p>

 

10

?/p>

PN

结的正向电流由(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)电流?/p>

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)电流和?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

电流三部分所组成?/p>

 

11

?/p>

PN

结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

PN

结的反向电流

很小,是因为反向电流的电荷来源是?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

12

、当?/p>

PN

结外加正向电压时,由

N

区注?/p>

P

区的非平衡电子一边向前扩散,一?/p>

?/p>

 

 

 

 

?/p>

。每经过一个扩散长度的距离,非平衡电子浓度降到原来的(

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

13

?/p>

PN

结扩散电流的表达式为

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

?/p>

这个表达式在正向电压下可简

化为?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

,在反向电压下可简化为?/p>

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

14

、在

PN

结的正向电流中,当电压较低时,以?/p>

 

 

 

 

)电流为主;当电压较高时,以

?/p>

 

 

 

 

)电流为主?/p>

 

15

、薄基区二极管是?/p>

PN

结的某一个或两个中性区的长度小于(

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

。在

薄基区二极管中,少子浓度的分布近似为?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

?/p>

 

16

?/p>

小注入条件是指注入某区边界附近的

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

浓度远小于该区的

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

浓度,因此该区总的多子浓度中的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)多子浓度可以忽略?/p>

 

17

?/p>

大注入条件是指注入某区边界附近的

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

浓度远大于该区的

?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

?/p>

浓度,因此该区总的多子浓度中的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

)多子浓度可以忽略?/p>

 

18

、势垒电容反映的?/p>

PN

结的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)电荷随外加电压的变化率?/p>

PN

结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越?/p>

 

 

?/p>

;外加反向电压越高,则势垒电容就越(

 

 

?/p>

?/p>

 

19

、扩散电容反映的?/p>

PN

结的?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

)电荷随外加电压的变化率。正

向电流越大,则扩散电容就越(

 

 

?/p>

;少子寿命越长,则扩散电容就越(

 

 

?/p>

?/p>

 

20

、在

PN

结开关管中,在外加电压从正向变为反向后的一段时间内,会出现一个较?



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