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晶圆?/p>

Wafer

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制程工藝學習

 

 

晶圆?/p>

Wafer

)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原?/p>

 

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炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分

 

解过

程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融?/p>

 

后,再利

用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一?/p>

85

公分长,?/p>

76.6

公斤?/p>

8

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硅晶棒,

约需

2

天半时间长成。经研磨、拋光、切片后,即成半导体之原?/p>

 

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光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻

 

下面

的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准?/p>

 

曝光?/p>

显影等程序。小尺寸之显像分辨率,更?/p>

 IC 

制程的进步上,扮演着

 

最关键?/p>

角色。由于光学上的需要,此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此

区为

 

黄光区?/p>

  

 

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技

 

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在半导体的制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻(?/p>

称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,?/p>

藉由电浆能量来驱动反应?/p>

  

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先,电浆会将蚀刻气体分

子分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成

份离子化,使其带有电荷?/p>

  

晶圆系置于带负电的阴极之上,因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向?/p>

极方向前进时,会以垂直角度撞击到晶圆表面。芯片制造商即是运用此特性来

获得绝佳的垂直蚀刻,而后者也是干式蚀刻的重要角色?/p>

  

基本上,随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同,蚀刻由下列?/p>

种模式单独或混会进行?/p>

  

1. 

电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成

份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并

透过抽气动作将其排出?/p>

  

2. 

电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面

材质分子一个个的打击或溅击?/p>

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化学气相沉积是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜

(film)

的技术,所

沉积出的薄膜可能是介电材?/p>

(

绝缘?/p>

)(dielectrics)

、导体、或半导体。在?/p>

行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子的气体,会被导入受到严密

控制的制程反应室内。当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时,会在?/p>

圆表面产生一层固态薄膜。而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源

(

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如热能或无线电频率功?/p>

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CVD

制程产生的薄膜厚度从低于

0.5

微米到数微米都有,不过最重要的是其厚

度都必须足够均匀。较为常见的

CVD

薄膜包括有:

  

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二气化硅(通常直接称为氧化层)

  

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炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分

 

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藉由电浆能量来驱动反应?/p>

  

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获得绝佳的垂直蚀刻,而后者也是干式蚀刻的重要角色?/p>

  

基本上,随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同,蚀刻由下列?/p>

种模式单独或混会进行?/p>

  

1. 

电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成

份之表面材质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并

透过抽气动作将其排出?/p>

  

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电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面

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电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先,电浆会将蚀刻气体分

子分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成

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晶圆系置于带负电的阴极之上,因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向?/p>

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1. 

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晶圆(Wafer) 制程工艺学习 - 百度文库
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电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面

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制程产生的薄膜厚度从低于

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