Chap1
绪论
1
?/p>
IC
产品从设计到芯片产品的产业链流程,了解步?/p>
从设计、制造、封装、测试到芯片产品
?/p>
设计:从系统设计到版图设?/p>
?/p>
制造:
掩模版(光罩版?/p>
Mask
)制?/p>
?/p>
对每层版图都要制作一层掩模版,实际是光刻工序的次数;
除金属层外,一?/p>
CMOS
电路至少需?/p>
10
层以上掩模版
晶圆制造(光刻?/p>
?/p>
Wafer Manufacturing
?/p>
?/p>
封装:先进行晶圆切割?/p>
封装可以满足以下几个需要:
封装给予芯片机械支撑?/p>
封装协助芯片向周围环境散热,保护芯片免受化学腐蚀?/p>
封装引脚可以提供芯片在整机中的有效焊?/p>
封装方式?/p>
DIP
?/p>
PGA
?/p>
BGA
?/p>
测试?/p>
?/p>
中测(晶圆测试?/p>
Wafer Testing
?/p>
:晶圆制造完成后的测?/p>
?/p>
成测(成品测试?/p>
Final
Testing
?/p>
:芯片封装完成后的测试,需对每个芯片进行测
?/p>
2
?/p>
IC
设计中需要考虑的因?/p>
满足功能要求?/p>
满足性能要求:速度、功耗(稍加展开论述?/p>
?/p>
降低芯片成本:设计成本,制造成本,测试成本(采用可测试性设计(
DFT
)方法)
延长芯片使用寿命;缩短芯片面市时间(
Time-to-Market
?/p>
Chap3
逻辑门单?/p>
1
、逻辑门时延的等效电阻时延估算模型
2
、能够根据逻辑表达式画?/p>
CMOS
静态逻辑门电路(
Transistor-level
?/p>
2-NAND
?/p>
2-NOR
的电路实?/p>
+
b
a
out
时延
d
t
= -(
n
R
+
L
R
)
L
C
ln0.5=0.69
L
n
C
R
转换时间
f
t
= -(
n
R
+
L
R
)
L
C
ln0.9=2.2
L
n
C
R
下拉网络
NOMS
的等效电?/p>
n
R
;上拉网?/p>
NOMS
的等效电?/p>
p
R