剖面图:
1
、初始氧?/p>
为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质层的厚?/p>
取决于注入和退火的掩蔽需要?/p>
2.
阱区光刻?/p>
是该?/p>
n
阱硅?/p>
CMOS
集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻?/p>
若采用典型的常规
湿法光刻工艺,应该包括:涂胶,前烘,压板,曝光,显影,定影,坚膜,腐蚀?/p>