1.(
判断?/p>
)DRAM
上电时存储单元的内容是全
但电容的大小不是?/p>
0
,?/p>
Flash
上电时存储单元的内容是全
1
?/p>
(4
Q
(带电量)或
U
(电压)决定的,即:
C=εS/4πkd
。其中,
ε
是一个常数,
S
为电容极
板的正对面积?/p>
d
为电容极板的距离?/p>
k
则是?/p>
电力常量。而常见的平行板电容器
?/p>
)
A.
正确
B.
错误
FLASH
可保?/p>
电容?/p>
C=εS/d.
?/p>
ε
为极板间介质的介电常数,
S
为极板面积,
d
为极板间的距离?/p>
?/p>
3
电容器的电势能计算公式:
E=CU^2/2=QU/2
2.(
判断?/p>
)
眼图可以用来分析高速信号的码间
干扰、抖动、噪声和衰减?/p>
(4
?/p>
)
A.
正确
B.
错误
10.(
单选题
)8086CPU
内部包括哪些单元
(4
?/p>
)
A.ALU,EU
3.(
判断?/p>
)
以太网交换机将冲突域限制在每?/p>
端口,提高了网络性能?/p>
(4
?/p>
)
B.ALU,BIU
A.
正确
C.EU,BIU
B.
错误
D.ALU,EU,BIU
4.(
判断?/p>
)
放大电路的输出信号产生非线性失
80x86
从功能上分执行单?/p>
EU(Execution Unit)
?/p>
和总线接口单元
BIU(Bus Interface Unit)
,执?/p>
单元?/p>
8
?/p>
16
位通用寄存器,
1
?/p>
16
位标志寄?/p>
器,
1
?/p>
16
位暂存寄存器?/p>
1
?/p>
16
位算术逻辑?/p>
?/p>
ALU
?/p>
EU
控制电路组成?/p>
真是由于电路中晶体管的非线性引起的?/p>
(4
?/p>
)
A.
正确
B.
错误
5.(
判断?/p>
)1
?/p>
8
位二进制补码?/p>
0000_0001,-
总线接口单元?/p>
4
?/p>
16
位段寄存?/p>
?/p>
CS,DS,SS,ES
?/p>
?/p>
1
?/p>
16
位的指令指针寄存器,
1
个与
EU
通信的内部暂存器?/p>
1
个指令队列,
1
?/p>
计算
20
位物理地址的加法器
?/p>
及总线控制电路?/p>
成?/p>
1
?/p>
8
位二进制补码?/p>
1111_1111
?/p>
(4
?/p>
)
A.
正确
B.
错误
6.(
判断?/p>
)
洗衣机,电冰箱等家用电器都使?/p>
三孔插座,是因为如果不接地,家用电器?/p>
不能工作的?/p>
(4
?/p>
)
11.(
单选题
)
为了避免
50Hz
的电网电压干扰放
大器,应该用那种滤波器:
(4
?/p>
)
A.
带阻滤波?/p>
A.
正确
B.
错误
7.(
判断?/p>
)
十进制数?/p>
0x5a
?/p>
0xa5
的同或运
B.
带通滤波器
算结果为?/p>
0x00
?/p>
(4
?/p>
)
C.
低通滤波器
A.
正确
D.
高通滤波器
B.
错误
12.(
单选题
)
关于
SRAM
?/p>
DRAM
,下面说话正
确的是:
(4
?/p>
)
8.(
判断?/p>
)
硅二极管的正向导通压降比锗二?/p>
管的?/p>
(4
?/p>
)
A.SRAM
需要定时刷新,否则数据会丢?/p>
B.DRAM
使用内部电容来保存信?/p>
C.SRAM
的集成度高于
DRAM
A.
正确
B.
错误
9.(
单选题
)
一空气平行板电容器,两级间距为
D.
只要不掉点,
DRAM
内的数据不会丢失
【解析?/p>
SRAM
?/p>
DRAM
都是随机存储器,机器掉电
后,两者的信息都将丢失。它们的最大区别就是:
DRAM
是用电容有无电荷来表示信?/p>
0
?/p>
1
,为?/p>
止电容漏电而导致读取信息出错,需要周期性地
给电容充电,即刷新;?/p>
SRAM
是利用触发器的两
个稳态来表示信息
0
?/p>
1
,所以不需要刷新。另外,
SRAM
的存取速度?/p>
DRAM
更高,常用作高速缓冲存
d
,充电后板间电压?/p>
u
。然后将电源断开?/p>
在平板间平行插入一厚度?/p>
d/3
的金属板?/p>
此时电容器原板间电压变为
(4
?/p>
)
A.U/3
B.2U/3
C.3U/4
D.
不变