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关于

K

?/p>

 

1. 

应当使用多少?/p>

k

网格?/p>

 

很难一般地回答?/p>

只能给出一般建议?/p>

注意?/p>

一定要检?/p>

k

网格?/p>

首先用较粗糙的网格计算,

接下来用精细的网格计算?/p>

通过比较两次的结果,

决定选用较粗糙的网格?/p>

或是继续进行?/p>

精细网格的计算,

直到达到收敛?/p>

金属体系需要精细的网格?/p>

绝缘体使用很少的

k

点通常?/p>

可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比?/p>

40-60

个)的绝缘体,可能仅需要一个(移动后的?/p>

k

点。另一方面,面心立方的铝可能需

要上万个

k

点以获得好的

DOS

。对于孤立原子或分子的超晶胞,仅需要在

Gamma

点计算。对

于表面(层面)的超晶胞计算,仅需要(垂直于表面)

z

方向上有

1

?/p>

k

点。甚至可以增?/p>

晶格参数

c

,这样即使对精细格点,沿

z

方向上也只产生一?/p>

k

点(产生

k

点后,不要忘?/p>

再把

c

改回?/p>

?/p>

 

2. 

当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入?

 

大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋

-

轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这

时,

时间反演对称性被破坏

?/p>

+k

?/p>

-k

的本征值可能不同)

?/p>

因此决不能加入时间反演对称性?/p>

 

3. 

是否移动

k

网格?(只对某些格子类型有效?/p>

 

“移动”k

网格意味着把所有产生的

k

点增?/p>

(x,x,x)

?/p>

把那些位于高对称?/p>

(或线)

上的

k

点移动到权重更大的一般点上?/p>

通过这种方法

(也即众所周知的“特?/p>

k

点方法”)

可以?/p>

生等密度的,

k

点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时

(通常位于

Gamma

?/p>

X

,或

BZ

边界上的其它点)

,使用移动的网格将不会得到这些高对称?/p>

的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做

SCF

循环,但?/p>

DOS

计算,改用精细的未移动网格?/p>

 

关于

k

空间布点的问题,建议参阅以下文献

Phys.Rev.B 49,16223 (1994)  

 

如何构建缺陷晶体结构

 

晶体结构改成

P1

,然后去掉想抹去的原子就可以?/p>

 

 

?/p>

ms

中如何做空穴

 

对于金属缺陷,是直接剪切一个原子?

 

个人经验?/p>

就是直接把原子去掉就OK?/p>

如果不是正版软件?/p>

有可能出现同时去掉其他同?/p>

置的原子,如果这种情况,就重新定义,问题就不会出现了.还有,一般考虑孔穴的时候,

都要标明哪些原子的迟豫,

具体为什么不知道?/p>

国外的文献有提到?/p>

希望有做空位的一起多

讨论.我Q:18387640?/p>

 

PDOS

选项

 

计算

DOS

时,选择

PDOS

,可以画?/p>

s,p,d

轨道?/p>

DOS

,但无法画出某一个原子的

s,p,d

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关于

PDOS

?/p>

Chart

中求积分的问?/p>

 

在用

Castep

计算?/p>

PDOS

?/p>

,

如何?/p>

Chart

中对曲线局部进行积?/p>

?

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Chart

输出?/p>

cav

格式

,

然后?/p>

excel

中求?/p>

?

 

简单,把数据导出,?/p>

Origin

里作图,程序里有积分微分卷积功能,在数据分析下面。作

图时选取积分范围?/p>

 

 

优化结构

 

算能带一般需要优化结构。如果选择实验的参数,全部固定的话就不需要了

 

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K

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1. 

应当使用多少?/p>

k

网格?/p>

 

很难一般地回答?/p>

只能给出一般建议?/p>

注意?/p>

一定要检?/p>

k

网格?/p>

首先用较粗糙的网格计算,

接下来用精细的网格计算?/p>

通过比较两次的结果,

决定选用较粗糙的网格?/p>

或是继续进行?/p>

精细网格的计算,

直到达到收敛?/p>

金属体系需要精细的网格?/p>

绝缘体使用很少的

k

点通常?/p>

可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比?/p>

40-60

个)的绝缘体,可能仅需要一个(移动后的?/p>

k

点。另一方面,面心立方的铝可能需

要上万个

k

点以获得好的

DOS

。对于孤立原子或分子的超晶胞,仅需要在

Gamma

点计算。对

于表面(层面)的超晶胞计算,仅需要(垂直于表面)

z

方向上有

1

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k

点。甚至可以增?/p>

晶格参数

c

,这样即使对精细格点,沿

z

方向上也只产生一?/p>

k

点(产生

k

点后,不要忘?/p>

再把

c

改回?/p>

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2. 

当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入?

 

大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋

-

轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这

时,

时间反演对称性被破坏

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+k

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-k

的本征值可能不同)

?/p>

因此决不能加入时间反演对称性?/p>

 

3. 

是否移动

k

网格?(只对某些格子类型有效?/p>

 

“移动”k

网格意味着把所有产生的

k

点增?/p>

(x,x,x)

?/p>

把那些位于高对称?/p>

(或线)

上的

k

点移动到权重更大的一般点上?/p>

通过这种方法

(也即众所周知的“特?/p>

k

点方法”)

可以?/p>

生等密度的,

k

点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时

(通常位于

Gamma

?/p>

X

,或

BZ

边界上的其它点)

,使用移动的网格将不会得到这些高对称?/p>

的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做

SCF

循环,但?/p>

DOS

计算,改用精细的未移动网格?/p>

 

关于

k

空间布点的问题,建议参阅以下文献

Phys.Rev.B 49,16223 (1994)  

 

如何构建缺陷晶体结构

 

晶体结构改成

P1

,然后去掉想抹去的原子就可以?/p>

 

 

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ms

中如何做空穴

 

对于金属缺陷,是直接剪切一个原子?

 

个人经验?/p>

就是直接把原子去掉就OK?/p>

如果不是正版软件?/p>

有可能出现同时去掉其他同?/p>

置的原子,如果这种情况,就重新定义,问题就不会出现了.还有,一般考虑孔穴的时候,

都要标明哪些原子的迟豫,

具体为什么不知道?/p>

国外的文献有提到?/p>

希望有做空位的一起多

讨论.我Q:18387640?/p>

 

PDOS

选项

 

计算

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时,选择

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,可以画?/p>

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,但无法画出某一个原子的

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关于

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简单,把数据导出,?/p>

Origin

里作图,程序里有积分微分卷积功能,在数据分析下面。作

图时选取积分范围?/p>

 

 

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算能带一般需要优化结构。如果选择实验的参数,全部固定的话就不需要了

 

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应当使用多少?/p>

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很难一般地回答?/p>

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注意?/p>

一定要检?/p>

k

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首先用较粗糙的网格计算,

接下来用精细的网格计算?/p>

通过比较两次的结果,

决定选用较粗糙的网格?/p>

或是继续进行?/p>

精细网格的计算,

直到达到收敛?/p>

金属体系需要精细的网格?/p>

绝缘体使用很少的

k

点通常?/p>

可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比?/p>

40-60

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k

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要上万个

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点以获得好的

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方向上有

1

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点。甚至可以增?/p>

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方向上也只产生一?/p>

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点后,不要忘?/p>

再把

c

改回?/p>

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2. 

当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入?

 

大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋

-

轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这

时,

时间反演对称性被破坏

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+k

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-k

的本征值可能不同)

?/p>

因此决不能加入时间反演对称性?/p>

 

3. 

是否移动

k

网格?(只对某些格子类型有效?/p>

 

“移动”k

网格意味着把所有产生的

k

点增?/p>

(x,x,x)

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把那些位于高对称?/p>

(或线)

上的

k

点移动到权重更大的一般点上?/p>

通过这种方法

(也即众所周知的“特?/p>

k

点方法”)

可以?/p>

生等密度的,

k

点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时

(通常位于

Gamma

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,或

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边界上的其它点)

,使用移动的网格将不会得到这些高对称?/p>

的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做

SCF

循环,但?/p>

DOS

计算,改用精细的未移动网格?/p>

 

关于

k

空间布点的问题,建议参阅以下文献

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如何构建缺陷晶体结构

 

晶体结构改成

P1

,然后去掉想抹去的原子就可以?/p>

 

 

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中如何做空穴

 

对于金属缺陷,是直接剪切一个原子?

 

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有可能出现同时去掉其他同?/p>

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具体为什么不知道?/p>

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1. 

应当使用多少?/p>

k

网格?/p>

 

很难一般地回答?/p>

只能给出一般建议?/p>

注意?/p>

一定要检?/p>

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首先用较粗糙的网格计算,

接下来用精细的网格计算?/p>

通过比较两次的结果,

决定选用较粗糙的网格?/p>

或是继续进行?/p>

精细网格的计算,

直到达到收敛?/p>

金属体系需要精细的网格?/p>

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k

点通常?/p>

可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比?/p>

40-60

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要上万个

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1

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方向上也只产生一?/p>

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改回?/p>

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2. 

当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入?

 

大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋

-

轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这

时,

时间反演对称性被破坏

?/p>

+k

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-k

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?/p>

因此决不能加入时间反演对称性?/p>

 

3. 

是否移动

k

网格?(只对某些格子类型有效?/p>

 

“移动”k

网格意味着把所有产生的

k

点增?/p>

(x,x,x)

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把那些位于高对称?/p>

(或线)

上的

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点移动到权重更大的一般点上?/p>

通过这种方法

(也即众所周知的“特?/p>

k

点方法”)

可以?/p>

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点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时

(通常位于

Gamma

?/p>

X

,或

BZ

边界上的其它点)

,使用移动的网格将不会得到这些高对称?/p>

的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做

SCF

循环,但?/p>

DOS

计算,改用精细的未移动网格?/p>

 

关于

k

空间布点的问题,建议参阅以下文献

Phys.Rev.B 49,16223 (1994)  

 

如何构建缺陷晶体结构

 

晶体结构改成

P1

,然后去掉想抹去的原子就可以?/p>

 

 

?/p>

ms

中如何做空穴

 

对于金属缺陷,是直接剪切一个原子?

 

个人经验?/p>

就是直接把原子去掉就OK?/p>

如果不是正版软件?/p>

有可能出现同时去掉其他同?/p>

置的原子,如果这种情况,就重新定义,问题就不会出现了.还有,一般考虑孔穴的时候,

都要标明哪些原子的迟豫,

具体为什么不知道?/p>

国外的文献有提到?/p>

希望有做空位的一起多

讨论.我Q:18387640?/p>

 

PDOS

选项

 

计算

DOS

时,选择

PDOS

,可以画?/p>

s,p,d

轨道?/p>

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,但无法画出某一个原子的

s,p,d

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关于

PDOS

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中求积分的问?/p>

 

在用

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计算?/p>

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如何?/p>

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中对曲线局部进行积?/p>

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然后?/p>

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简单,把数据导出,?/p>

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