关于
K
?/p>
1.
应当使用多少?/p>
k
网格?/p>
很难一般地回答?/p>
只能给出一般建议?/p>
注意?/p>
一定要检?/p>
k
网格?/p>
首先用较粗糙的网格计算,
接下来用精细的网格计算?/p>
通过比较两次的结果,
决定选用较粗糙的网格?/p>
或是继续进行?/p>
精细网格的计算,
直到达到收敛?/p>
金属体系需要精细的网格?/p>
绝缘体使用很少的
k
点通常?/p>
可以。小单胞需要精细格点,大单胞很可能不需要。因此:单位晶胞内原子数很多(比?/p>
40-60
个)的绝缘体,可能仅需要一个(移动后的?/p>
k
点。另一方面,面心立方的铝可能需
要上万个
k
点以获得好的
DOS
。对于孤立原子或分子的超晶胞,仅需要在
Gamma
点计算。对
于表面(层面)的超晶胞计算,仅需要(垂直于表面)
z
方向上有
1
?/p>
k
点。甚至可以增?/p>
晶格参数
c
,这样即使对精细格点,沿
z
方向上也只产生一?/p>
k
点(产生
k
点后,不要忘?/p>
再把
c
改回?/p>
?/p>
2.
当体系没有出现时间反演对称操作时,是否加入?
大多数情况下的回答是“是”,只有包含自旋
-
轨道耦合的自旋极化(磁性)计算除外。这
时,
时间反演对称性被破坏
?/p>
+k
?/p>
-k
的本征值可能不同)
?/p>
因此决不能加入时间反演对称性?/p>
3.
是否移动
k
网格?(只对某些格子类型有效?/p>
“移动”k
网格意味着把所有产生的
k
点增?/p>
(x,x,x)
?/p>
把那些位于高对称?/p>
(或线)
上的
k
点移动到权重更大的一般点上?/p>
通过这种方法
(也即众所周知的“特?/p>
k
点方法”)
可以?/p>
生等密度的,
k
点较少的网格。通常建议移动。只有一点注意:当对半导体的带隙感兴趣时
(通常位于
Gamma
?/p>
X
,或
BZ
边界上的其它点)
,使用移动的网格将不会得到这些高对称?/p>
的点,因此得到的带隙和预期结果相比或大或小。这个问题的解决:用移动的网格做
SCF
循环,但?/p>
DOS
计算,改用精细的未移动网格?/p>
关于
k
空间布点的问题,建议参阅以下文献
Phys.Rev.B 49,16223 (1994)
如何构建缺陷晶体结构
晶体结构改成
P1
,然后去掉想抹去的原子就可以?/p>
?/p>
ms
中如何做空穴
对于金属缺陷,是直接剪切一个原子?
个人经验?/p>
就是直接把原子去掉就OK?/p>
如果不是正版软件?/p>
有可能出现同时去掉其他同?/p>
置的原子,如果这种情况,就重新定义,问题就不会出现了.还有,一般考虑孔穴的时候,
都要标明哪些原子的迟豫,
具体为什么不知道?/p>
国外的文献有提到?/p>
希望有做空位的一起多
讨论.我Q:18387640?/p>
PDOS
选项
计算
DOS
时,选择
PDOS
,可以画?/p>
s,p,d
轨道?/p>
DOS
,但无法画出某一个原子的
s,p,d
?/p>
关于
PDOS
?/p>
Chart
中求积分的问?/p>
在用
Castep
计算?/p>
PDOS
?/p>
,
如何?/p>
Chart
中对曲线局部进行积?/p>
?
?/p>
Chart
输出?/p>
cav
格式
,
然后?/p>
excel
中求?/p>
?
简单,把数据导出,?/p>
Origin
里作图,程序里有积分微分卷积功能,在数据分析下面。作
图时选取积分范围?/p>
优化结构
算能带一般需要优化结构。如果选择实验的参数,全部固定的话就不需要了