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摘要?/p>

 

薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用,按照?/p>

成膜方法可分为两大类:物理气相沉?/p>

(PVD)

和化学气相沉积(

CVD

)。等离子

增强型化学气相淀积(

PECVD

)是化学气相淀积的一种,其淀积温度低是它最

突出的优点?/p>

PECVD

淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以?/p>

极佳的台阶覆盖性,

正由于这些优点使其在超大规模集成电路?/p>

光电器件?/p>

MEMS

等领域具有广泛的应用?/p>

本文简要介绍了

PECVD

工艺的种类?/p>

设备结构及其?/p>

艺原理,根据多年对设备维护的经验,介绍了等离子增强型化学气相淀?/p>

?/p>

PECVD

)设备的基本结构,总结了这类设备的常见故障及解决措施?/p>

 

1PECVD

的种?/p>

 

1.1

射频增强等离子体化学气相淀积(

RF-PECVD

?/p>

 

等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时?/p>

利用辉光放电等离子对?/p>

程施加影响,在衬底上制备出多晶薄膜。这种方法是日本科尼卡公司在

1994

?/p>

提出的,其等离子体的产生方法多采用射频法,故称为

RF-PECVD

。其射频?/p>

场采用两种不同的耦合方式,即电感耦合和电容耦合

[1]

?/p>

 

1.2

甚高频等离子体化学气相淀积(

VHF-PECVD

?/p>

 

采用

RF-PECVD

技术制备薄膜时,为了实现低温淀积,必须使用稀释的硅烷?/p>

为反应气体,因此淀积速度有限?/p>

VHF-PECVD

技术由?/p>

VHF

激发的等离子体

比常规的射频产生的等离子体电子温度更低?/p>

密度更大

[2]

?/p>

因而能够大幅度提高

薄膜的淀积速率,在实际应用中获得了更广泛的应用?/p>

 

1.3

介质层阻挡放电增强化学气相淀积(

DBD-PECVD

?/p>

 

DBD-PECVD

是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电(又称介质

阻挡电晕放电或无声放电)

?/p>

这种放电方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电

晕放电的高气压运行特点,正逐渐用于制备硅薄膜中

[3]

?/p>

 

1.4

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相淀积(

MWECR-PECVD

?/p>

 

MWECR-PECVD

是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应,

在真空条件下?/p>

成高活性和高密度的等离子体进行气相化学反应?/p>

在低温下形成优质薄膜的技术?/p>

这种方法的等离子体是由电磁波激发而产生,其常用频率为

2450MHz

,通过?/p>

变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能量和生存寿命,

从而对薄膜

的生成和膜表面的处理机制产生重大影响?/p>

并从根本上决定生成膜的结构?/p>

特?/p>

和稳定?/p>

[4]

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薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用,按照?/p>

成膜方法可分为两大类:物理气相沉?/p>

(PVD)

和化学气相沉积(

CVD

)。等离子

增强型化学气相淀积(

PECVD

)是化学气相淀积的一种,其淀积温度低是它最

突出的优点?/p>

PECVD

淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以?/p>

极佳的台阶覆盖性,

正由于这些优点使其在超大规模集成电路?/p>

光电器件?/p>

MEMS

等领域具有广泛的应用?/p>

本文简要介绍了

PECVD

工艺的种类?/p>

设备结构及其?/p>

艺原理,根据多年对设备维护的经验,介绍了等离子增强型化学气相淀?/p>

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PECVD

)设备的基本结构,总结了这类设备的常见故障及解决措施?/p>

 

1PECVD

的种?/p>

 

1.1

射频增强等离子体化学气相淀积(

RF-PECVD

?/p>

 

等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时?/p>

利用辉光放电等离子对?/p>

程施加影响,在衬底上制备出多晶薄膜。这种方法是日本科尼卡公司在

1994

?/p>

提出的,其等离子体的产生方法多采用射频法,故称为

RF-PECVD

。其射频?/p>

场采用两种不同的耦合方式,即电感耦合和电容耦合

[1]

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1.2

甚高频等离子体化学气相淀积(

VHF-PECVD

?/p>

 

采用

RF-PECVD

技术制备薄膜时,为了实现低温淀积,必须使用稀释的硅烷?/p>

为反应气体,因此淀积速度有限?/p>

VHF-PECVD

技术由?/p>

VHF

激发的等离子体

比常规的射频产生的等离子体电子温度更低?/p>

密度更大

[2]

?/p>

因而能够大幅度提高

薄膜的淀积速率,在实际应用中获得了更广泛的应用?/p>

 

1.3

介质层阻挡放电增强化学气相淀积(

DBD-PECVD

?/p>

 

DBD-PECVD

是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电(又称介质

阻挡电晕放电或无声放电)

?/p>

这种放电方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电

晕放电的高气压运行特点,正逐渐用于制备硅薄膜中

[3]

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1.4

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相淀积(

MWECR-PECVD

?/p>

 

MWECR-PECVD

是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应,

在真空条件下?/p>

成高活性和高密度的等离子体进行气相化学反应?/p>

在低温下形成优质薄膜的技术?/p>

这种方法的等离子体是由电磁波激发而产生,其常用频率为

2450MHz

,通过?/p>

变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能量和生存寿命,

从而对薄膜

的生成和膜表面的处理机制产生重大影响?/p>

并从根本上决定生成膜的结构?/p>

特?/p>

和稳定?/p>

[4]

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薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用,按照?/p>

成膜方法可分为两大类:物理气相沉?/p>

(PVD)

和化学气相沉积(

CVD

)。等离子

增强型化学气相淀积(

PECVD

)是化学气相淀积的一种,其淀积温度低是它最

突出的优点?/p>

PECVD

淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以?/p>

极佳的台阶覆盖性,

正由于这些优点使其在超大规模集成电路?/p>

光电器件?/p>

MEMS

等领域具有广泛的应用?/p>

本文简要介绍了

PECVD

工艺的种类?/p>

设备结构及其?/p>

艺原理,根据多年对设备维护的经验,介绍了等离子增强型化学气相淀?/p>

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PECVD

)设备的基本结构,总结了这类设备的常见故障及解决措施?/p>

 

1PECVD

的种?/p>

 

1.1

射频增强等离子体化学气相淀积(

RF-PECVD

?/p>

 

等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时?/p>

利用辉光放电等离子对?/p>

程施加影响,在衬底上制备出多晶薄膜。这种方法是日本科尼卡公司在

1994

?/p>

提出的,其等离子体的产生方法多采用射频法,故称为

RF-PECVD

。其射频?/p>

场采用两种不同的耦合方式,即电感耦合和电容耦合

[1]

?/p>

 

1.2

甚高频等离子体化学气相淀积(

VHF-PECVD

?/p>

 

采用

RF-PECVD

技术制备薄膜时,为了实现低温淀积,必须使用稀释的硅烷?/p>

为反应气体,因此淀积速度有限?/p>

VHF-PECVD

技术由?/p>

VHF

激发的等离子体

比常规的射频产生的等离子体电子温度更低?/p>

密度更大

[2]

?/p>

因而能够大幅度提高

薄膜的淀积速率,在实际应用中获得了更广泛的应用?/p>

 

1.3

介质层阻挡放电增强化学气相淀积(

DBD-PECVD

?/p>

 

DBD-PECVD

是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电(又称介质

阻挡电晕放电或无声放电)

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这种放电方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电

晕放电的高气压运行特点,正逐渐用于制备硅薄膜中

[3]

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1.4

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相淀积(

MWECR-PECVD

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MWECR-PECVD

是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应,

在真空条件下?/p>

成高活性和高密度的等离子体进行气相化学反应?/p>

在低温下形成优质薄膜的技术?/p>

这种方法的等离子体是由电磁波激发而产生,其常用频率为

2450MHz

,通过?/p>

变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能量和生存寿命,

从而对薄膜

的生成和膜表面的处理机制产生重大影响?/p>

并从根本上决定生成膜的结构?/p>

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和稳定?/p>

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PECVD 的原理与分析 - 百度文库
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薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用,按照?/p>

成膜方法可分为两大类:物理气相沉?/p>

(PVD)

和化学气相沉积(

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)。等离子

增强型化学气相淀积(

PECVD

)是化学气相淀积的一种,其淀积温度低是它最

突出的优点?/p>

PECVD

淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以?/p>

极佳的台阶覆盖性,

正由于这些优点使其在超大规模集成电路?/p>

光电器件?/p>

MEMS

等领域具有广泛的应用?/p>

本文简要介绍了

PECVD

工艺的种类?/p>

设备结构及其?/p>

艺原理,根据多年对设备维护的经验,介绍了等离子增强型化学气相淀?/p>

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PECVD

)设备的基本结构,总结了这类设备的常见故障及解决措施?/p>

 

1PECVD

的种?/p>

 

1.1

射频增强等离子体化学气相淀积(

RF-PECVD

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等离子体化学气相淀积是在低压化学气相淀积的同时?/p>

利用辉光放电等离子对?/p>

程施加影响,在衬底上制备出多晶薄膜。这种方法是日本科尼卡公司在

1994

?/p>

提出的,其等离子体的产生方法多采用射频法,故称为

RF-PECVD

。其射频?/p>

场采用两种不同的耦合方式,即电感耦合和电容耦合

[1]

?/p>

 

1.2

甚高频等离子体化学气相淀积(

VHF-PECVD

?/p>

 

采用

RF-PECVD

技术制备薄膜时,为了实现低温淀积,必须使用稀释的硅烷?/p>

为反应气体,因此淀积速度有限?/p>

VHF-PECVD

技术由?/p>

VHF

激发的等离子体

比常规的射频产生的等离子体电子温度更低?/p>

密度更大

[2]

?/p>

因而能够大幅度提高

薄膜的淀积速率,在实际应用中获得了更广泛的应用?/p>

 

1.3

介质层阻挡放电增强化学气相淀积(

DBD-PECVD

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DBD-PECVD

是有绝缘介质插入放电空间的一种非平衡态气体放电(又称介质

阻挡电晕放电或无声放电)

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这种放电方式兼有辉光放电的大空间均匀放电和电

晕放电的高气压运行特点,正逐渐用于制备硅薄膜中

[3]

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1.4

微波电子回旋共振等离子体增强化学气相淀积(

MWECR-PECVD

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MWECR-PECVD

是利用电子在微波和磁场中的回旋共振效应,

在真空条件下?/p>

成高活性和高密度的等离子体进行气相化学反应?/p>

在低温下形成优质薄膜的技术?/p>

这种方法的等离子体是由电磁波激发而产生,其常用频率为

2450MHz

,通过?/p>

变电磁波光子能量可直接改变使气体分解成粒子的能量和生存寿命,

从而对薄膜

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