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第八?/p>

  

其他半导体效?/p>

 

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、试证明金属的温差电势率?/p>

 

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、下图是用热探针法判断半导体导电类型的实验示意图。试根据图中的提示在电流计上?/p>

 

出电流方向?/p>

 

4

、若两种

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型半导体的电导率之比?/p>

1:1.6

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试计算用这两种半导体组成温差电偶时的温差

电动势率?/p>

(

假设二者的电子迁移率相?/p>

) 

    

解:

 

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、一温差电路中含有一受主浓度?/p>

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型锗,室温下与金属连接并通以

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(设其主要散射机构为长声学波晶格振动

) 

   

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,其电子迁移率为

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,电子有效质量为

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。设其晶格振动以长声学波为主,求室温下的温差电动势率及珀耳帖系数?/p>

 

   

解:

 

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、若?/p>

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型硅样品?/p>

[100]

方向上施加一压应力,该样品电子总数?/p>

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方向?/p>

4

个等价导带底转移?/p>

[100]

方向的两个能谷中。试求样品的电导率变化。设电子

的纵有效质量与横有效质量之比?/p>

5:11

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9

、参照对

Si

的单轴应力压阻效应的分析过程,分?/p>

Ge

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[111]

方向受到压应力时的电导率

变化情况,并仿照式(

8-45

)和?/p>

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)导出适合?/p>

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、试证明金属的温差电势率?/p>

 

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1:1.6

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试计算用这两种半导体组成温差电偶时的温差

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半导体物理学答案 第八?- 百度文库
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、若两种

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型半导体的电导率之比?/p>

1:1.6

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、若?/p>

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的单轴应力压阻效应的分析过程,分?/p>

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[111]

方向受到压应力时的电导率

变化情况,并仿照式(

8-45

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