第八?/p>
其他半导体效?/p>
1
、试证明金属的温差电势率?/p>
F
M
qE
T
k
2
2
?/p>
?/p>
?
?/p>
2
、求室温下载流子浓度?/p>
10
16
cm
-3
?/p>
n
型锗?/p>
p
型锗的温差电势率?/p>
解:
n
型半导体的温差电动势率为
?/p>
?
?
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
2
3
ln
D
C
n
N
N
q
k
?/p>
p
型半导体的温差电动势率为
?/p>
?/p>
?
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
2
3
ln
A
V
p
N
N
q
k
?/p>
3
、下图是用热探针法判断半导体导电类型的实验示意图。试根据图中的提示在电流计上?/p>
出电流方向?/p>
4
、若两种
n
型半导体的电导率之比?/p>
1:1.6
?/p>
试计算用这两种半导体组成温差电偶时的温差
电动势率?/p>
(
假设二者的电子迁移率相?/p>
)
解:
5
、一温差电路中含有一受主浓度?/p>
10
16
cm
-3
?/p>
p
型硅。设冷端?/p>
0
?/p>
,热端为
50
?/p>
,求?/p>
贝克电压的大小?/p>
解:
T
kT
E
E
q
k
V
F
?/p>
?/p>
?
?
?
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?
2
3
E
6
、空穴密度为
10
16
cm
-3
?/p>
p
型锗,室温下与金属连接并通以
1A
的电流,求接头处吸收?
放出的珀耳帖热量?/p>
(设其主要散射机构为长声学波晶格振动
)
解:
I
q
kT
q
E
E
Q
F
C
?/p>
?/p>
?/p>
?
?
?/p>
?
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
2
3
7
、电导率?/p>
2000
S/cm
?/p>
n
?/p>
PbTe
,其电子迁移率为
6000cm
2
?/p>
(V·
s)
,电子有效质量为
0.29m
0
。设其晶格振动以长声学波为主,求室温下的温差电动势率及珀耳帖系数?/p>
解:
8
、若?/p>
n
型硅样品?/p>
[100]
方向上施加一压应力,该样品电子总数?/p>
10
%将?/p>
[010]
?/p>
[001]
方向?/p>
4
个等价导带底转移?/p>
[100]
方向的两个能谷中。试求样品的电导率变化。设电子
的纵有效质量与横有效质量之比?/p>
5:11
?/p>
9
、参照对
Si
的单轴应力压阻效应的分析过程,分?/p>
Ge
?/p>
[111]
方向受到压应力时的电导率
变化情况,并仿照式(
8-45
)和?/p>
8-46
)导出适合?/p>
Ge
?/p>
?/p>
?/p>
l
?/p>
?/p>
?/p>
t
的表达式?/p>
电流?/p>
-
?/p>
?/p>
+
p
电流?/p>
+
?/p>
?/p>
-
n