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半导体技术论文高分子材料论文?/p>

 

半导体材料的发展现状

 

?/p>

 

?/p>

 

在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷?/p>

铟、磷化镓等称为第二代半导体材?/p>

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓、碳化硅和金刚石?/p>

称为第三代半导体材料?/p>

本文介绍了三代半导体的性质比较?/p>

应用领域?/p>

国内外产业化现状

和进展情况等?/p>

 

 

 

 

关键?/p>

 

半导体材?/p>

;

多晶?/p>

;

单晶?/p>

;

砷化?/p>

;

氮化?/p>

 

 

 

 

1 

前言

 

 

 

 

半导体材料是指电阻率?/p>

10

7

Ω·cm~10

-3

Ω·cm

?/p>

界于金属和绝缘体之间的材料?/p>

半导?/p>

材料是制作晶体管?/p>

集成电路?/p>

电力电子器件?/p>

光电子器件的重要基础材料

[1]

?/p>

支撑着通信?/p>

计算机?/p>

信息家电与网络技术等电子信息产业的发展?/p>

电子信息产业规模最大的是美国和?/p>

本,

?/p>

2002

年的销售收入分别为

3189

亿美元和

2320

亿美?/p>

[2]

?/p>

近几年来?/p>

我国电子信息

产品以举世瞩目的速度发展?/p>

2002

年销售收入以

1.4

亿人民币居全球第

3

位,比上年增?/p>

20%

,产业规模是

1997

年的

2.5

倍,居国内各工业部门首位

[3]

。半导体材料及应用已成为

衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志?/p>

 

 

 

 

半导体材料的种类繁多,按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体

;

按组成元素分为一元、二元、三元、多元等

;

按晶态可分为多晶、单晶和非晶

;

按应用方式可

分为体材料和薄膜材料?/p>

大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料?/p>

这些称为

?/p>

体材?/p>

?

相对应的

?/p>

薄膜材料

?/p>

是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的,

具有显著减少

?/p>

?/p>

材料

?/p>

难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结,能用于制造三?/p>

电路等优点?/p>

许多新型半导体器件是在薄膜上制成的,

制备薄膜的技术也在不断发展?/p>

薄膜

材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等?/p>

 

 

 

 

在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷化铟、磷

化镓?/p>

砷化铟?/p>

砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓?/p>

碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材?/p>

[4]

。上述材料是目前主要应用的半导体?/p>

料,三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。本文沿用此分类进行介绍?/p>

 

 

 

 

2 

主要半导体材料性质及应?/p>

 

 

 

 

材料的物理性质是产品应用的基础,表

1

列出了主要半导体材料的物理性质及应用情

?/p>

[5]

。表中禁带宽度决定发射光的波长,禁带宽度越大发射光波长越?/p>

(

蓝光发射

);

禁带?/p>

度越小发射光波长越长?/p>

其它参数数值越高,

半导体性能越好?/p>

电子迁移速率决定半导体低

压条件下的高频工作性能,饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能?/p>

 

 

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半导体技术论文高分子材料论文?/p>

 

半导体材料的发展现状

 

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?/p>

 

在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷?/p>

铟、磷化镓等称为第二代半导体材?/p>

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓、碳化硅和金刚石?/p>

称为第三代半导体材料?/p>

本文介绍了三代半导体的性质比较?/p>

应用领域?/p>

国内外产业化现状

和进展情况等?/p>

 

 

 

 

关键?/p>

 

半导体材?/p>

;

多晶?/p>

;

单晶?/p>

;

砷化?/p>

;

氮化?/p>

 

 

 

 

1 

前言

 

 

 

 

半导体材料是指电阻率?/p>

10

7

Ω·cm~10

-3

Ω·cm

?/p>

界于金属和绝缘体之间的材料?/p>

半导?/p>

材料是制作晶体管?/p>

集成电路?/p>

电力电子器件?/p>

光电子器件的重要基础材料

[1]

?/p>

支撑着通信?/p>

计算机?/p>

信息家电与网络技术等电子信息产业的发展?/p>

电子信息产业规模最大的是美国和?/p>

本,

?/p>

2002

年的销售收入分别为

3189

亿美元和

2320

亿美?/p>

[2]

?/p>

近几年来?/p>

我国电子信息

产品以举世瞩目的速度发展?/p>

2002

年销售收入以

1.4

亿人民币居全球第

3

位,比上年增?/p>

20%

,产业规模是

1997

年的

2.5

倍,居国内各工业部门首位

[3]

。半导体材料及应用已成为

衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志?/p>

 

 

 

 

半导体材料的种类繁多,按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体

;

按组成元素分为一元、二元、三元、多元等

;

按晶态可分为多晶、单晶和非晶

;

按应用方式可

分为体材料和薄膜材料?/p>

大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料?/p>

这些称为

?/p>

体材?/p>

?

相对应的

?/p>

薄膜材料

?/p>

是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的,

具有显著减少

?/p>

?/p>

材料

?/p>

难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结,能用于制造三?/p>

电路等优点?/p>

许多新型半导体器件是在薄膜上制成的,

制备薄膜的技术也在不断发展?/p>

薄膜

材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等?/p>

 

 

 

 

在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷化铟、磷

化镓?/p>

砷化铟?/p>

砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓?/p>

碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材?/p>

[4]

。上述材料是目前主要应用的半导体?/p>

料,三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。本文沿用此分类进行介绍?/p>

 

 

 

 

2 

主要半导体材料性质及应?/p>

 

 

 

 

材料的物理性质是产品应用的基础,表

1

列出了主要半导体材料的物理性质及应用情

?/p>

[5]

。表中禁带宽度决定发射光的波长,禁带宽度越大发射光波长越?/p>

(

蓝光发射

);

禁带?/p>

度越小发射光波长越长?/p>

其它参数数值越高,

半导体性能越好?/p>

电子迁移速率决定半导体低

压条件下的高频工作性能,饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能?/p>

 

 

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半导体技术论文高分子材料论文?/p>

 

半导体材料的发展现状

 

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在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷?/p>

铟、磷化镓等称为第二代半导体材?/p>

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓、碳化硅和金刚石?/p>

称为第三代半导体材料?/p>

本文介绍了三代半导体的性质比较?/p>

应用领域?/p>

国内外产业化现状

和进展情况等?/p>

 

 

 

 

关键?/p>

 

半导体材?/p>

;

多晶?/p>

;

单晶?/p>

;

砷化?/p>

;

氮化?/p>

 

 

 

 

1 

前言

 

 

 

 

半导体材料是指电阻率?/p>

10

7

Ω·cm~10

-3

Ω·cm

?/p>

界于金属和绝缘体之间的材料?/p>

半导?/p>

材料是制作晶体管?/p>

集成电路?/p>

电力电子器件?/p>

光电子器件的重要基础材料

[1]

?/p>

支撑着通信?/p>

计算机?/p>

信息家电与网络技术等电子信息产业的发展?/p>

电子信息产业规模最大的是美国和?/p>

本,

?/p>

2002

年的销售收入分别为

3189

亿美元和

2320

亿美?/p>

[2]

?/p>

近几年来?/p>

我国电子信息

产品以举世瞩目的速度发展?/p>

2002

年销售收入以

1.4

亿人民币居全球第

3

位,比上年增?/p>

20%

,产业规模是

1997

年的

2.5

倍,居国内各工业部门首位

[3]

。半导体材料及应用已成为

衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志?/p>

 

 

 

 

半导体材料的种类繁多,按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体

;

按组成元素分为一元、二元、三元、多元等

;

按晶态可分为多晶、单晶和非晶

;

按应用方式可

分为体材料和薄膜材料?/p>

大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料?/p>

这些称为

?/p>

体材?/p>

?

相对应的

?/p>

薄膜材料

?/p>

是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的,

具有显著减少

?/p>

?/p>

材料

?/p>

难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结,能用于制造三?/p>

电路等优点?/p>

许多新型半导体器件是在薄膜上制成的,

制备薄膜的技术也在不断发展?/p>

薄膜

材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等?/p>

 

 

 

 

在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷化铟、磷

化镓?/p>

砷化铟?/p>

砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓?/p>

碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材?/p>

[4]

。上述材料是目前主要应用的半导体?/p>

料,三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。本文沿用此分类进行介绍?/p>

 

 

 

 

2 

主要半导体材料性质及应?/p>

 

 

 

 

材料的物理性质是产品应用的基础,表

1

列出了主要半导体材料的物理性质及应用情

?/p>

[5]

。表中禁带宽度决定发射光的波长,禁带宽度越大发射光波长越?/p>

(

蓝光发射

);

禁带?/p>

度越小发射光波长越长?/p>

其它参数数值越高,

半导体性能越好?/p>

电子迁移速率决定半导体低

压条件下的高频工作性能,饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能?/p>

 

 

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半导体技术论文高分子材料论文半导体材料的发展现状(? - 百度文库
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半导体技术论文高分子材料论文?/p>

 

半导体材料的发展现状

 

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在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷?/p>

铟、磷化镓等称为第二代半导体材?/p>

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓、碳化硅和金刚石?/p>

称为第三代半导体材料?/p>

本文介绍了三代半导体的性质比较?/p>

应用领域?/p>

国内外产业化现状

和进展情况等?/p>

 

 

 

 

关键?/p>

 

半导体材?/p>

;

多晶?/p>

;

单晶?/p>

;

砷化?/p>

;

氮化?/p>

 

 

 

 

1 

前言

 

 

 

 

半导体材料是指电阻率?/p>

10

7

Ω·cm~10

-3

Ω·cm

?/p>

界于金属和绝缘体之间的材料?/p>

半导?/p>

材料是制作晶体管?/p>

集成电路?/p>

电力电子器件?/p>

光电子器件的重要基础材料

[1]

?/p>

支撑着通信?/p>

计算机?/p>

信息家电与网络技术等电子信息产业的发展?/p>

电子信息产业规模最大的是美国和?/p>

本,

?/p>

2002

年的销售收入分别为

3189

亿美元和

2320

亿美?/p>

[2]

?/p>

近几年来?/p>

我国电子信息

产品以举世瞩目的速度发展?/p>

2002

年销售收入以

1.4

亿人民币居全球第

3

位,比上年增?/p>

20%

,产业规模是

1997

年的

2.5

倍,居国内各工业部门首位

[3]

。半导体材料及应用已成为

衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志?/p>

 

 

 

 

半导体材料的种类繁多,按化学组成分为元素半导体、化合物半导体和固溶体半导体

;

按组成元素分为一元、二元、三元、多元等

;

按晶态可分为多晶、单晶和非晶

;

按应用方式可

分为体材料和薄膜材料?/p>

大部分半导体材料单晶制片后直接用于制造半导体材料?/p>

这些称为

?/p>

体材?/p>

?

相对应的

?/p>

薄膜材料

?/p>

是在半导体材料或其它材料的衬底上生长的,

具有显著减少

?/p>

?/p>

材料

?/p>

难以解决的固熔体偏析问题、提高纯度和晶体完整性、生长异质结,能用于制造三?/p>

电路等优点?/p>

许多新型半导体器件是在薄膜上制成的,

制备薄膜的技术也在不断发展?/p>

薄膜

材料有同质外延薄膜、异质外延薄膜、超晶格薄膜、非晶薄膜等?/p>

 

 

 

 

在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料

;

将砷化镓、磷化铟、磷

化镓?/p>

砷化铟?/p>

砷化铝及其合金等称为第二代半导体材料

;

而将宽禁?/p>

(Eg>2.3eV)

的氮化镓?/p>

碳化硅、硒化锌和金刚石等称为第三代半导体材?/p>

[4]

。上述材料是目前主要应用的半导体?/p>

料,三代半导体材料代表品种分别为硅、砷化镓和氮化镓。本文沿用此分类进行介绍?/p>

 

 

 

 

2 

主要半导体材料性质及应?/p>

 

 

 

 

材料的物理性质是产品应用的基础,表

1

列出了主要半导体材料的物理性质及应用情

?/p>

[5]

。表中禁带宽度决定发射光的波长,禁带宽度越大发射光波长越?/p>

(

蓝光发射

);

禁带?/p>

度越小发射光波长越长?/p>

其它参数数值越高,

半导体性能越好?/p>

电子迁移速率决定半导体低

压条件下的高频工作性能,饱和速率决定半导体高压条件下的高频工作性能?/p>

 

 



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