龙源期刊?/p>
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硅片清洗技术进?/p>
作者:江海?/p>
来源:《硅谷?/p>
2008
年第
19
?/p>
[
摘要
]
在分析抛光硅片表面沾污类型的基础上,对目前硅片主要清洗方法的工作原理、清
洗效果、适用范围等特点进行研究,重点研究硅片激光干法清洗原理和特点?/p>
[
关键?/p>
]
硅片
沾污类型
清洗
激光干法清?/p>
中图分类号:
TN604
文献标识码:
A
文章编号?/p>
1671
?/p>
7597
?/p>
2008
?/p>
1010199
?/p>
02
一、序言
半导体硅作为现代电子工业的基础材料己有半个世纪的历史,随着亚微米及深亚微米超大
规模集成电路
(ULSI)
遵循着
?/p>
摩尔定律
?/p>
迅速发展,设计线宽急剧减小,基体表面的亚微米污?/p>
足以导致大量缺陷产生并对生产领域造成一系列影响,给硅片表面质量提出了越来越苛刻的要
求。硅片表面的颗粒、有机物、金属、吸附分子、微粗糙度、自然氧化层等严重影响器件?/p>
能,清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。因此,硅片清洗技术成?/p>
硅晶片加工和超大规模集成电路工艺研究的一大热点。本文在分析硅片表面污染物基础上,?/p>
硅片目前流行的清洗工艺原理作概述,并介绍其最新进?/p>
[1]
?/p>
二、硅片加工表面污染类?/p>
在硅片加工及器件制造过程中,所有与硅片接触的外部媒介都是硅片沾污的可能来源。这
主要包括以下几方面:硅片加工成型过程中的污染、环境污染、水造成的污染、试剂带来的?/p>
染、工业气体带来的污染、工艺本身带来的污染、人体造成的污染等。其污染主要有以下几?/p>
类型
[1]
:(
1
)颗粒沾污;?/p>
2
)有机物沾污;(
3
)金属离子沾污;?/p>
4
)自然氧化层沾污?/p>
三、硅片清洗的主要方法