工艺对氧化锌压敏电阻器性能的影?/p>
氧化锌压敏电阻器的工艺流程如下图所示(能量型压敏电阻器除外?/p>
?/p>
称料
—?/p>
混料
—?/p>
喷雾干燥
—?/p>
压片
—?/p>
排胶
—?/p>
烧结
—?/p>
刷银
—?/p>
烧银
—?/p>
焊接
—?/p>
粉涂
—?/p>
固化
—?/p>
印字
—?/p>
测试
—?/p>
拔片或反?/p>
?/p>
能量型氧化锌压敏电阻器的工艺流程如下图所示:
称料
—?/p>
混料
—?/p>
喷雾干燥
—?/p>
压片
—?/p>
排胶
—?/p>
烧结
—?/p>
喷玻璃胶
—?/p>
回火
—?/p>
研磨
—?/p>
溅射铝电?/p>
—?/p>
测试
?/p>
氧化锌压敏电阻器的性能决定于配方和工艺,工艺对性能的影响叙述如下?/p>
1
?/p>
混料
如混料不均匀?/p>
各处的组分有差异?/p>
各处的电性能和物理性能也就不同?/p>
会导致压敏电
阻器的耐浪涌电流能力差。短波大电流冲击时,压敏电阻器工作在线性区(回升区?/p>
,各?/p>
温度的差异会导致内应力的产生
(温度低的区域热膨胀小会阻碍温度高区域的膨胀从而导?/p>
应力的产生)
,应力大时会产生微裂纹甚至整个瓷体破裂,从而使压敏电阻器失效。长波较
大电流冲击时?/p>
压敏电阻器工作在非线性区?/p>
电压稍微增大会引起电流的大幅上升?/p>
组分?/p>
均匀会导致低电阻的导电通道的存在,
引起电流集中?/p>
电流大温度高又会使得电阻进一步下
降电流进一步增大,
导致局部过热而形成贯穿孔
(也可能因温度差异产生内应力导致瓷体?/p>
裂)
?/p>
2
?/p>
压片
压片工艺的重要参数是压片厚度和压片重量。压片会影响陶瓷片的厚度,而压敏电压正
比于两电极间的晶界数,所以压片会影响压敏电压值,从而影?/p>
V/I
特性曲线和漏电流。如
压片时某一处未完全填满
(一般是边缘处形成凹坑)
或粉体堆积密度低?/p>
会在这些区域形成
低电阻的导电通道从而降低耐浪涌电流能力,
严重时会因烧结时收缩不同导致陶瓷片在边缘
裂开?/p>
为了获得特性一致的产品?/p>
压片的控制至关重要,
特别是对压敏电压范围要求很窄?/p>
型号?/p>
3
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排胶
排胶的重要参数是装填密度,温度曲线和气体流量曲线。如装填密度过大,粘合剂挥发
或燃烧时(约
150-400
℃阶段)气体流量不足及温度过低,瓷体中有残余粘合剂存在,会导
致烧结后的瓷体存在微裂纹甚至开裂。有微裂纹的压敏电阻器的耐浪涌电流能力大为下降?/p>
前阶段如升温过快?/p>
水分挥发及粘合剂反应过剧?/p>
会导致气孔率高,瓷体的机械强度低,?/p>
浪涌电流能力下降?/p>
4
?/p>
烧结
烧结是最为重要的一道工序,会影响晶粒大小,瓷片厚度,相组成和微观结构,所以对
所有性能都有很大的影响?/p>
烧结的重要参数是最高烧成温度,
最高温度下的保温时间及降温
速率。压敏效应是在降温阶段形成的,降温速度越快,晶界层越薄,晶界势垒越低,压敏?/p>
压越低,漏电流越大;反之,降温速度越慢,晶界层越厚,晶界势垒越高,压敏电压也高?/p>
漏电流越小。烧成温度越高,晶粒越大,压敏电压越低。烧成温度越高(低于
1350
℃)
,施
主进入晶格及一些杂质在晶界偏析越彻底,锌空位越高(高温下原子运动加剧)
,会使得?/p>
线性系数越高,
钳制电压越低?/p>
晶粒体的电阻越小通流能力增大?/p>
延长保温时间和提高烧?/p>
温度的影响一致,但效果没那么明显?/p>
5
?/p>
刷银
刷银的重要参数是印银直径,最小自由边和银层厚度。因银层很薄,沿径向的电阻不?/p>
忽略?/p>
焊接时有一些银会被焊料熔掉。当有浪涌电流时?/p>
电流顺着引线流入银层?/p>
从和引线