一?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
(
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
×
)
?/p>
2
?/p>
×
1
0
?/p>
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(1)
在半导体内部,只有电子是载流子?/p>
(2)
?/p>
N
型半导体中,多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子?/p>
(3
)一般来说,硅晶体二极管的死区电?/p>
(
门槛电压
)
小子锗晶体二极管的死区电压?/p>
(4)
在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流?/p>
(5)
晶体三极管出现饱和失真是由于静态电?/p>
I
CQ
选得偏低?/p>
(6)
用万用表测某晶体二极管的正向电阻时,插在万用表标有“十”号插孔中的测试?/p>
(
通常是红色棒
)
所连接的二极管的管脚是二极?/p>
的正极,另一电极是负极?/p>
(7)
三极管放大电路工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量;直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况?/p>
(8)
在单管放大电路中,若
V
G
不变,只要改变集电极电阻
Rc
的值就可改变集电极电流
Ic
的值?/p>
(9)
两个放大器单独使用时,电压放大倍数分别?/p>
A
v1
?/p>
A
v2
,这两个放大器连成两级放大器后,总的放大倍数?/p>
A
v
?/p>
A
v
= A
v1
+A
v2
?/p>
(10)
晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时,反向电流极小;当反向电压大于反向击穿电压后,反向电流会迅速增大?/p>
二.选择?/p>
?/p>
2
’?/p>
10
?/p>
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(1)
当晶体二极管?/p>
PN
结导通后,则参加导电的是
( )
?/p>
A
.少数载流子
B
.多数载流子
C
.既有少数载流子又有多数载流?/p>
(2)
在共发射极单管低频电压放大电路中,输出电压应视为
( )
?/p>
A
?/p>
v
o
?/p>
i
c
R
c
B
?/p>
v
o
?/p>
-R
c
i
c
C
?/p>
v
o
?/p>
-I
c
R
c
(3)
用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拔?/p>
( )
?/p>
A
?/p>
R
×
100
Ω?/p>
R
×
1000
Ω?/p>
B
?/p>
R
×
1
Ω
C
?/p>
R
×
10K
Ω?/p>
(4)
当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区,而且所受正向电压大于其门槛电压时,则晶体二极管相当?/p>
()
?/p>
A
.大电阻
B
.断开的开?/p>
C
.接通的开?/p>
(5)
晶体三极管工作在饱和状态时,它?/p>
I
C
?/p>
( )
?/p>
A
.随
I
B
增加而增?/p>
B
.随
I
B
增加而减?/p>
C
.与
I
B
无关,只决定?/p>
R
C
?/p>
V
G
(6)
共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系?/p>
( )
?/p>
A
.同相位
B
.相位差
90
°
C
.相位差
180
°
(7)NPN
型三极管放大电路中,当集电极电流增大时,则晶体三极管
( )
?/p>
A
.基极电流不变;
B
.集电极对发射极电压
V
CE
下降?/p>
C
.集电极对发射极电压
V
CE
上升
(8)
当晶体三极管发射结反偏时,则晶体三极管的集电极电流将
( )
?/p>
A
.增?/p>
B
.反?/p>
C
.中?/p>
?/p>
9
)在基本放大电路中,基极电阻
R
B
的作用是
( )
?/p>
A
.放大电?/p>
B
.调节偏置电?/p>
I
BQ
C
.把放大了的电流转换成电压;
D
.防止输入信导被短路?/p>
?/p>
10
)三极管的两?/p>
PN
结都反偏时,则三极管所处的状态是?/p>
?/p>
?/p>
A.
放大状?/p>
B.
饱和状?/p>
C.
截止状?/p>
三.填充?/p>
?/p>
2’?0
?/p>
(1)
晶体三极?/p>
I
E
?/p>
I
B
?/p>
I
C
之间的关系式?/p>
__________________
,△
I
C
/△
I
B
的比值叫
____________________
?/p>
(2)PN
结具?/p>
____________________
性能,即:加
____________________
电压?/p>
PN
结导通;?/p>
_______________
电压?/p>
PN
结截止?/p>
(3)
当晶体二极管导通后,则硅二极管的正向压降为
_________V
,锗二极管的正向压降?/p>
__________V
?/p>
(4)NPN
型晶体三极管的发射区?/p>
____________
型半导体,集电区?/p>
____________
型半导体,基区是
____________
型半导体?/p>
(5)
晶体二极管因所?/p>
_______________________
电压过大?/p>
__________________
,并且出?/p>
__________________
的现象,称为热击穿?/p>
(6)
某固定偏置放大器中,实测得三极管集电极电?/p>
V
C
?/p>
V
G
,则该放大器的三极管处于
________________________
工作状态?/p>
(7)
晶体三极管的穿透电?/p>
I
CEO
随温度的升高而增大,由于锗三极管的穿透电流比硅三极管
_____________
,所以热稳定?/p>
____________
三极管较好?/p>
(8)
一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加?/p>
_________________________
?/p>
(9)
放大器的静态是?/p>
_____________________________
时的工作状态?/p>
(10)
共发射极电路的输出电压与输入电压?/p>
_____________________
的相位关系,所以该电路有时被称?/p>
_________________________
?/p>
四.问答?/p>
(2
×
10
?