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三元化合物半导体文献综述

 

专业:材料科学与工程

   

姓名?/p>

 

蒋雯

   

学号?/p>

 1120102282 

 

?/p>

 

 

?/p>

:本文通过广泛查阅资料,对目前报道比较少的三元化合物半导体文献进行了相关综述。首先介

绍了三元化合物半导体的分类以及它与二元化合物半导体的区别?/p>

之后重点阐述了目前常见的三元化合

物半导体?/p>

CuInS

2

半导体?/p>

CZT

半导体和

ZnO

基三元合金的相关物理性能,间隙能以及晶体结构

等基本情况。最后简单阐述了目前制备三元化合物半导体的方法?/p>

 

 

关键?/p>

?/p>

 

三元化合物半导体?/p>

CuInS

2

?/p>

 CZT

半导体;

ZnO

基三元合金;制备方法

 

 

1 

引言

 

半导体科学的发展,对电子技术、信息技术等高技术的发展和人类社会的进步起着重要?/p>

作用,而半导体材料是半导体科学发展的物质基础。因此,半导体材料在半导体科学中占有?/p>

为重要的作用?/p>

 

半导体材料的发现可以追溯?/p>

19

世纪?/p>

1833

年英国的法拉第(

Michael 

Faraday

)最先发

现了硫化银材料有半导体特有的导电现象。之后的科学家又陆续发现了半导体的光生伏特效应?/p>

光电导现象、整流效应?/p>

 

?/p>

20

世纪初,

人们已经应用半导体材料先后制成了氧化亚铜低功率整流器和硒整流器等?/p>

20

世纪

50

年代初,科学家开始对化合物半导体?/p>

GaAs

?/p>

InP

等材料进行了研究?/p>

20

世纪

60

年代初的水平布里奇曼?/p>

Bridgman

)方法(

HB

)和液封直拉法(

LEC

?/p>

,以及后来发展起来的?/p>

直梯度凝固法?/p>

VGF

)和气相外延?/p>

CVD

)生长技术的发展,促进了化合物半导体材料在微波和

光电领域的应用?/p>

 

随着信息载体从电子向光电子和光子转换步伐的加快,半导体材料除硅和硅基材料作为?/p>

代微电子技术的基础?/p>

21

世纪中叶之前不会改变外,化合物半导体微结构材料以优异的光?/p>

性质在很多方面都发挥着越来越重要的作用

[1]

。目前的化合物半导体主要是二元化合物半导?

如Ⅲ—Ⅳ族?/p>

Ⅱ—Ⅵ族等?/p>

随着电光半导体装置?/p>

红外检测器?/p>

固体激光器等器件的广泛应用?/p>

对半导体的帯隙能

E

g

提出了新的要求。然而,已有的二元化合物半导体Ⅲ

-

Ⅴ族或者Ⅱ

-

Ⅳ族?/p>

经难以满足这些要求。因此,三元化合物半导体的研究引起了越来越多人的关注,人们期望?/p>

过三元化合物半导体获得理想的

E

g

值,以实现提高有关装置的性能。但是,三元化合物半导体

的研究由于刚刚起步,其成果远不如二元化合物半导体成熟,国内有关研究的报道也十分稀?

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三元化合物半导体文献综述

 

专业:材料科学与工程

   

姓名?/p>

 

蒋雯

   

学号?/p>

 1120102282 

 

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:本文通过广泛查阅资料,对目前报道比较少的三元化合物半导体文献进行了相关综述。首先介

绍了三元化合物半导体的分类以及它与二元化合物半导体的区别?/p>

之后重点阐述了目前常见的三元化合

物半导体?/p>

CuInS

2

半导体?/p>

CZT

半导体和

ZnO

基三元合金的相关物理性能,间隙能以及晶体结构

等基本情况。最后简单阐述了目前制备三元化合物半导体的方法?/p>

 

 

关键?/p>

?/p>

 

三元化合物半导体?/p>

CuInS

2

?/p>

 CZT

半导体;

ZnO

基三元合金;制备方法

 

 

1 

引言

 

半导体科学的发展,对电子技术、信息技术等高技术的发展和人类社会的进步起着重要?/p>

作用,而半导体材料是半导体科学发展的物质基础。因此,半导体材料在半导体科学中占有?/p>

为重要的作用?/p>

 

半导体材料的发现可以追溯?/p>

19

世纪?/p>

1833

年英国的法拉第(

Michael 

Faraday

)最先发

现了硫化银材料有半导体特有的导电现象。之后的科学家又陆续发现了半导体的光生伏特效应?/p>

光电导现象、整流效应?/p>

 

?/p>

20

世纪初,

人们已经应用半导体材料先后制成了氧化亚铜低功率整流器和硒整流器等?/p>

20

世纪

50

年代初,科学家开始对化合物半导体?/p>

GaAs

?/p>

InP

等材料进行了研究?/p>

20

世纪

60

年代初的水平布里奇曼?/p>

Bridgman

)方法(

HB

)和液封直拉法(

LEC

?/p>

,以及后来发展起来的?/p>

直梯度凝固法?/p>

VGF

)和气相外延?/p>

CVD

)生长技术的发展,促进了化合物半导体材料在微波和

光电领域的应用?/p>

 

随着信息载体从电子向光电子和光子转换步伐的加快,半导体材料除硅和硅基材料作为?/p>

代微电子技术的基础?/p>

21

世纪中叶之前不会改变外,化合物半导体微结构材料以优异的光?/p>

性质在很多方面都发挥着越来越重要的作用

[1]

。目前的化合物半导体主要是二元化合物半导?

如Ⅲ—Ⅳ族?/p>

Ⅱ—Ⅵ族等?/p>

随着电光半导体装置?/p>

红外检测器?/p>

固体激光器等器件的广泛应用?/p>

对半导体的帯隙能

E

g

提出了新的要求。然而,已有的二元化合物半导体Ⅲ

-

Ⅴ族或者Ⅱ

-

Ⅳ族?/p>

经难以满足这些要求。因此,三元化合物半导体的研究引起了越来越多人的关注,人们期望?/p>

过三元化合物半导体获得理想的

E

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值,以实现提高有关装置的性能。但是,三元化合物半导体

的研究由于刚刚起步,其成果远不如二元化合物半导体成熟,国内有关研究的报道也十分稀?

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三元化合物半导体文献综述

 

专业:材料科学与工程

   

姓名?/p>

 

蒋雯

   

学号?/p>

 1120102282 

 

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:本文通过广泛查阅资料,对目前报道比较少的三元化合物半导体文献进行了相关综述。首先介

绍了三元化合物半导体的分类以及它与二元化合物半导体的区别?/p>

之后重点阐述了目前常见的三元化合

物半导体?/p>

CuInS

2

半导体?/p>

CZT

半导体和

ZnO

基三元合金的相关物理性能,间隙能以及晶体结构

等基本情况。最后简单阐述了目前制备三元化合物半导体的方法?/p>

 

 

关键?/p>

?/p>

 

三元化合物半导体?/p>

CuInS

2

?/p>

 CZT

半导体;

ZnO

基三元合金;制备方法

 

 

1 

引言

 

半导体科学的发展,对电子技术、信息技术等高技术的发展和人类社会的进步起着重要?/p>

作用,而半导体材料是半导体科学发展的物质基础。因此,半导体材料在半导体科学中占有?/p>

为重要的作用?/p>

 

半导体材料的发现可以追溯?/p>

19

世纪?/p>

1833

年英国的法拉第(

Michael 

Faraday

)最先发

现了硫化银材料有半导体特有的导电现象。之后的科学家又陆续发现了半导体的光生伏特效应?/p>

光电导现象、整流效应?/p>

 

?/p>

20

世纪初,

人们已经应用半导体材料先后制成了氧化亚铜低功率整流器和硒整流器等?/p>

20

世纪

50

年代初,科学家开始对化合物半导体?/p>

GaAs

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InP

等材料进行了研究?/p>

20

世纪

60

年代初的水平布里奇曼?/p>

Bridgman

)方法(

HB

)和液封直拉法(

LEC

?/p>

,以及后来发展起来的?/p>

直梯度凝固法?/p>

VGF

)和气相外延?/p>

CVD

)生长技术的发展,促进了化合物半导体材料在微波和

光电领域的应用?/p>

 

随着信息载体从电子向光电子和光子转换步伐的加快,半导体材料除硅和硅基材料作为?/p>

代微电子技术的基础?/p>

21

世纪中叶之前不会改变外,化合物半导体微结构材料以优异的光?/p>

性质在很多方面都发挥着越来越重要的作用

[1]

。目前的化合物半导体主要是二元化合物半导?

如Ⅲ—Ⅳ族?/p>

Ⅱ—Ⅵ族等?/p>

随着电光半导体装置?/p>

红外检测器?/p>

固体激光器等器件的广泛应用?/p>

对半导体的帯隙能

E

g

提出了新的要求。然而,已有的二元化合物半导体Ⅲ

-

Ⅴ族或者Ⅱ

-

Ⅳ族?/p>

经难以满足这些要求。因此,三元化合物半导体的研究引起了越来越多人的关注,人们期望?/p>

过三元化合物半导体获得理想的

E

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值,以实现提高有关装置的性能。但是,三元化合物半导体

的研究由于刚刚起步,其成果远不如二元化合物半导体成熟,国内有关研究的报道也十分稀?

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专业:材料科学与工程

   

姓名?/p>

 

蒋雯

   

学号?/p>

 1120102282 

 

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:本文通过广泛查阅资料,对目前报道比较少的三元化合物半导体文献进行了相关综述。首先介

绍了三元化合物半导体的分类以及它与二元化合物半导体的区别?/p>

之后重点阐述了目前常见的三元化合

物半导体?/p>

CuInS

2

半导体?/p>

CZT

半导体和

ZnO

基三元合金的相关物理性能,间隙能以及晶体结构

等基本情况。最后简单阐述了目前制备三元化合物半导体的方法?/p>

 

 

关键?/p>

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三元化合物半导体?/p>

CuInS

2

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 CZT

半导体;

ZnO

基三元合金;制备方法

 

 

1 

引言

 

半导体科学的发展,对电子技术、信息技术等高技术的发展和人类社会的进步起着重要?/p>

作用,而半导体材料是半导体科学发展的物质基础。因此,半导体材料在半导体科学中占有?/p>

为重要的作用?/p>

 

半导体材料的发现可以追溯?/p>

19

世纪?/p>

1833

年英国的法拉第(

Michael 

Faraday

)最先发

现了硫化银材料有半导体特有的导电现象。之后的科学家又陆续发现了半导体的光生伏特效应?/p>

光电导现象、整流效应?/p>

 

?/p>

20

世纪初,

人们已经应用半导体材料先后制成了氧化亚铜低功率整流器和硒整流器等?/p>

20

世纪

50

年代初,科学家开始对化合物半导体?/p>

GaAs

?/p>

InP

等材料进行了研究?/p>

20

世纪

60

年代初的水平布里奇曼?/p>

Bridgman

)方法(

HB

)和液封直拉法(

LEC

?/p>

,以及后来发展起来的?/p>

直梯度凝固法?/p>

VGF

)和气相外延?/p>

CVD

)生长技术的发展,促进了化合物半导体材料在微波和

光电领域的应用?/p>

 

随着信息载体从电子向光电子和光子转换步伐的加快,半导体材料除硅和硅基材料作为?/p>

代微电子技术的基础?/p>

21

世纪中叶之前不会改变外,化合物半导体微结构材料以优异的光?/p>

性质在很多方面都发挥着越来越重要的作用

[1]

。目前的化合物半导体主要是二元化合物半导?

如Ⅲ—Ⅳ族?/p>

Ⅱ—Ⅵ族等?/p>

随着电光半导体装置?/p>

红外检测器?/p>

固体激光器等器件的广泛应用?/p>

对半导体的帯隙能

E

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提出了新的要求。然而,已有的二元化合物半导体Ⅲ

-

Ⅴ族或者Ⅱ

-

Ⅳ族?/p>

经难以满足这些要求。因此,三元化合物半导体的研究引起了越来越多人的关注,人们期望?/p>

过三元化合物半导体获得理想的

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值,以实现提高有关装置的性能。但是,三元化合物半导体

的研究由于刚刚起步,其成果远不如二元化合物半导体成熟,国内有关研究的报道也十分稀?



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