2
半导体三极管
自我检测题
一.选择和填?/p>
1.
三极管工作在放大区时,发射结?/p>
_A_
,集电结?/p>
_B_
,工作在饱和区时,发射结?/p>
_A_
,集电结?/p>
_A_
?/p>
?/p>
A
.正向偏置,
B
.反向偏置,
C
.零偏置?/p>
2.
NPN
?/p>
PNP
型三极管的区别取决于
D
?/p>
?/p>
A
.半导体材料硅和锗的不同?/p>
B
.掺杂元素的不同?/p>
C
.掺杂浓度的不同?/p>
D
?/p>
P
?/p>
?/p>
N
区的位置不同?/p>
3.
三极管的共射交流电流放大系数
?/p>
定义?/p>
I
C
变化量(或?/p>
I
C
)与
I
B
变化量(或?/p>
I
B
?/p>
之比,共基交流电流放大系?/p>
?/p>
定义?/p>
I
C
变化量(或?/p>
I
C
)与
I
E
变化量(或?/p>
I
E
)之比。已
知某三极管的
?/p>
?/p>
0.99
,那么该管的
99
?/p>
4.
三极管的
I
CBO
是指
_
发射
_
极开路时,集?/p>
_
极与
?/p>
极间的反向饱和电流;
I
CEO
是指
?/p>
极开路时?/p>
_
集电
_
极与
_
发射
__
极之间的穿透电流?/p>
5.
随着温度升高,三极管的电流放大系?/p>
?/p>
_A_
,穿透电?/p>
CEO
I
_A_
,在
I
B
不变的情?/p>
?/p>
b-e
结电?/p>
V
BE_
B
_
?/p>
?/p>
A
.增大,
B
.减小,
C
.不变)
6
?/p>
对于同一个三极管来说?/p>
CBO
I
A
CEO
I
?/p>
BR(CBO)
V
B
BR(CEO)
V
?/p>
?/p>
A
.小于,
B
.大于,
C
.等于)
7.
随着温度升高,三极管的共射正向输入特性曲线将
C
,输出特性曲线将
A
,输?/p>
特性曲线的间隔?/p>
E
?/p>
?/p>
A
.上移,
B
.下移,
C
.左移,
D
.右移,
E
.增大,
F
.减小,
G
.不变)
8.
已知某三极管?/p>
P
CM
?/p>
800mW
?/p>
I
CM
?/p>
500mA,
?/p>
BR(CEO)
V
?/p>
30V
?/p>
若该管子在电路中?/p>
作电?/p>
V
CE
?/p>
10V
,则工作电流
I
C
不应超过
80 mA
;若
V
CE
?/p>
1V
,则
I
C
不应超过
500 mA
?/p>
若管子的工作电流
I
C
?/p>
10mA
,则工作电压
V
CE
不应超过
30 V
;若
I
C
?/p>
200mA
,则
V
CE
不应
超过
4 V
?/p>
二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×?/p>
1
?/p>
NPN
型和
PNP
型三极管都有三个电极、两?/p>
PN
结,正常工作时外加电压的要求?/p>
同?/p>
?/p>
×
?/p>
2
?/p>
三极管工作在放大状态时?/p>
集电极电流是由多子漂移形成的?/p>
?/p>
×
?/p>
3
?/p>
三极管具有两?/p>
PN
结,
因此把两个二极管反向串联起来?/p>
也能具有放大能力?/p>
?/p>
×
?/p>
4.
三极管的外部电流关系?/p>
B
C
i
i
?/p>
?/p>
,这是一个线性方程,所以三极管是线性器件?/p>
?/p>
×
?/p>
5
?/p>
三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
6
?/p>
测出某三极管的共基电流放大系?/p>
?/p>
小于
1
,表明该管子没有放大能力?/p>
?/p>
×
?/p>
7
?/p>
由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以发射极和集电极互换后电流放
大能力大大减小?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
8.
只要是硅三极管,无论?/p>
NPN
还是
PNP
型,正常工作时,发射结的工作电压
BE
v
?/p>
?/p>
0.7V
左右?/p>
?/p>
×
?/p>