四川大学期末考试试题
(闭卷)
?/p>
2013
—?/p>
2014
学年第二学期?/p>
课程号:
205047040
课序号:
01,02,03,04,05
课程名称:模拟电子技术(
I
)任课教师:胡仲霞等
成绩?/p>
适用专业年级?/p>
12
?/p>
学生人数?/p>
360
印题份数?/p>
390
学号?/p>
姓名?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
四川大学学生参加由学校组织或由学校承办的各级各类考试,必须严格执行《四川大学考试工作
管理办法》和《四川大学考场规则?/p>
。有考试违纪作弊行为的,一律按照《四川大学学生考试违纪?/p>
弊处罚条例》进行处理?/p>
四川大学各级各类考试的监考人员,必须严格执行《四川大学考试工作管理办法?/p>
?/p>
《四川大学?/p>
场规则》和《四川大学监考人员职责?/p>
。有违反学校有关规定的,严格按照《四川大学教学事故认?/p>
及处理办法》进行处理?/p>
一?/p>
请从每小题的四个备选答案中选出一个正确的答案,填入括号中(每小题
2
分,?/p>
40
?/p>
?/p>
1.
N型半导体带?/p>
?/p>
A.
正电
B.
负电
C.
呈中?/p>
D.
无法确定
2.
正向偏置二极管的交流电阻
r
d
随正向电?/p>
i
D
的增大将会(
?/p>
A.
线性增?/p>
B.
线性减?/p>
C.
非线性增?/p>
D.
非线性减?/p>
3.
测得某放大电路中晶体管各电极电位分别?/p>
1
V
?/p>
7V
?/p>
2
V
?/p>
7.7V
?/p>
3
V
?/p>
4V
,则该管?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
A.NPN
型硅?/p>
B.PNP
型硅?/p>
C.NPN
型锗?/p>
D.PNP
型锗?/p>
4.
如图
1
所示电路中?/p>
V
CC
=12V
?/p>
R
c
=3KΩ
,静态管压降
U
CEQ
=6V
?/p>
R
L
=3KΩ
。忽略管?/p>
和压降?/p>
(1)
?/p>
mV
U
i
1
?/p>
时,?/p>
w
R
调到输出电压刚好不失真,若此时增大输入电压,则输出波?/p>
将首先出现(
?/p>
A.
顶部失真
B.
底部失真
C.
为正弦波
D.
两种失真都有
(2)
若发现电路出现饱和失真,则为消除失真?/p>
可将?/p>
?/p>
A.
w
R
减小
B.R
c
减小
C. V
cc
减小
D.R
L
减小
图1
5.
下列说法错误的是?/p>
?/p>
?/p>
A. FET
是电压控制型器件
B. BJT
为电流控制型器件
C. FET
的漏极与源极不能交换使用
D.BJT
的发射极与集电极不能交换使用
注:
1
试题字迹务必清晰,书写工整?/p>
本题
4
页,本页为第
1
?/p>
2
题间不留空,一般应题卷分开
教务处试题编号:
3
务必?/p>
A4
纸打?/p>
_
+
u
i
C
1
C
2
R
b
R
w
R
c
+V
cc
R
L
T
+
_
u
o