1
?/p>
1
?/p>
检测题
(共
100
分,
120
分钟?/p>
一、填空题?/p>
(每?/p>
0.5
分,?/p>
25
分)
1
?/p>
N
型半导体是在本征半导体中掺入极微量的
?/p>
价元素组成的?/p>
这种半导体内?/p>
多数载流子为
自由电子
,少数载流子?/p>
空穴
,不能移动的杂质离子?/p>
?/p>
电?/p>
P
?/p>
半导体是在本征半导体中掺入极微量?/p>
?/p>
价元素组成的。这种半导体内的多数载流?/p>
?/p>
空穴
,少数载流子?/p>
自由电子
,不能移动的杂质离子?/p>
?/p>
电?/p>
2
、三极管的内部结构是?/p>
发射
区?/p>
?/p>
区?/p>
集电?/p>
区及
发射
结和
集电
?/p>
组成的。三极管对外引出的电极分别是
发射
极?/p>
?/p>
极和
集电
极?/p>
3
?/p>
PN
结正向偏置时?/p>
外电场的方向与内电场的方?/p>
相反
?/p>
有利?/p>
多数载流?/p>
?/p>
扩散
运动而不利于
少数载流?/p>
?/p>
漂移
?/p>
PN
结反向偏置时,外电场的方向与内电
场的方向
一?/p>
?/p>
有利?/p>
少子
?/p>
漂移
运动而不利于
多子
?/p>
扩散
?/p>
这种情况
下的电流称为
反向饱和
电流?/p>
4
?/p>
PN
结形成的过程中,
P
型半导体中的多数载流子由
P
?/p>
N
区进行扩散,
N
?/p>
半导体中的多数载流子?/p>
N
?/p>
P
区进行扩散?/p>
扩散的结果使它们的交界处建立?/p>
一?/p>
空间电荷?/p>
,其方向?/p>
N
区指?/p>
P
区?/p>
空间电荷?/p>
的建立,对多数载流子?/p>
扩散
起削弱作用,对少子的
漂移
起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时?/p>
PN
?/p>
形成?/p>
5
、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的
R
×
1K
档位,当检测时表针偏转度较
大时?/p>
与红表棒相接触的电极是二极管?/p>
?/p>
极;
与黑表棒相接触的电极是二极管?/p>
?/p>
极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管?/p>
经被
击穿
?/p>
两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时?/p>
说明该二极管已经
绝缘?/p>
化不?/p>
?/p>
6
、单极型晶体管又称为
场效应(
MOS
?/p>
管。其导电沟道分有
N
沟道?/p>
P
沟道?/p>
7
、稳压管是一种特殊物质制造的
?/p>
接触?/p>
硅晶?/p>
二极管,正常工作应在特性曲
线的
反向击穿
区?/p>
8
?/p>
MOS
管在不使用时应避?/p>
?/p>
极悬空,务必将各电极短接?/p>
二、判断正误:
(每小题
1
分,?/p>
10
分)
1
?/p>
P
型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明
P
型半导体呈负电性?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
2
、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
3
、用万用表测试晶体管时,选择欧姆?/p>
R×
10K
档位?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
4
?/p>
PN
结正向偏置时,其内外电场方向一致?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
5
、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力?/p>
?/p>
?/p>
?/p>
6
、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件?/p>
?/p>
?/p>
?/p>