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检测题

 

(共

100

分,

120

分钟?/p>

 

一、填空题?/p>

(每?/p>

0.5

分,?/p>

25

分)

 

1

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N

型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

 

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价元素组成的?/p>

这种半导体内?/p>

多数载流子为

 

自由电子

 

,少数载流子?/p>

 

空穴

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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电?/p>

P

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半导体是在本征半导体中掺入极微量?/p>

 

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价元素组成的。这种半导体内的多数载流?/p>

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空穴

 

,少数载流子?/p>

 

自由电子

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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电?/p>

 

2

、三极管的内部结构是?/p>

 

发射

 

区?/p>

 

 

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区?/p>

 

集电?/p>

 

区及

 

发射

 

结和

 

集电

 

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组成的。三极管对外引出的电极分别是

 

发射

 

极?/p>

 

?/p>

 

极和

 

集电

 

极?/p>

 

3

?/p>

PN

结正向偏置时?/p>

外电场的方向与内电场的方?/p>

 

相反

 

?/p>

有利?/p>

 

多数载流?/p>

 

?/p>

 

 

扩散

 

运动而不利于

 

少数载流?/p>

 

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漂移

 

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PN

结反向偏置时,外电场的方向与内电

场的方向

 

一?/p>

 

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有利?/p>

 

少子

 

?/p>

 

 

漂移

 

 

运动而不利于

 

 

多子

 

 

?/p>

 

 

扩散

 

?/p>

这种情况

下的电流称为

 

反向饱和

 

电流?/p>

 

4

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PN

结形成的过程中,

P

型半导体中的多数载流子由

 

P

 

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N

 

区进行扩散,

N

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半导体中的多数载流子?/p>

 

 

N

 

 

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P

 

 

区进行扩散?/p>

扩散的结果使它们的交界处建立?/p>

一?/p>

 

空间电荷?/p>

 

,其方向?/p>

 

N

 

区指?/p>

 

P

 

区?/p>

 

空间电荷?/p>

 

的建立,对多数载流子?/p>

 

扩散

 

起削弱作用,对少子的

 

漂移

 

起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时?/p>

 

PN

?/p>

 

形成?/p>

 

5

、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的

 

R

×

1K

 

档位,当检测时表针偏转度较

大时?/p>

与红表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

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极;

与黑表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

?/p>

 

极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管?/p>

经被

 

击穿

 

?/p>

两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时?/p>

说明该二极管已经

 

绝缘?/p>

化不?/p>

 

?/p>

 

6

、单极型晶体管又称为

 

场效应(

MOS

?/p>

 

管。其导电沟道分有

 

N

 

沟道?/p>

 

P

 

沟道?/p>

 

7

、稳压管是一种特殊物质制造的

 

?/p>

 

接触?/p>

 

硅晶?/p>

 

二极管,正常工作应在特性曲

线的

 

反向击穿

 

区?/p>

 

8

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MOS

管在不使用时应避?/p>

 

?/p>

 

极悬空,务必将各电极短接?/p>

 

二、判断正误:

(每小题

1

分,?/p>

10

分)

 

1

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P

型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明

P

型半导体呈负电性?/p>

 

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2

、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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3

、用万用表测试晶体管时,选择欧姆?/p>

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10K

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结正向偏置时,其内外电场方向一致?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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5

、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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6

、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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检测题

 

(共

100

分,

120

分钟?/p>

 

一、填空题?/p>

(每?/p>

0.5

分,?/p>

25

分)

 

1

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N

型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

 

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价元素组成的?/p>

这种半导体内?/p>

多数载流子为

 

自由电子

 

,少数载流子?/p>

 

空穴

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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半导体是在本征半导体中掺入极微量?/p>

 

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价元素组成的。这种半导体内的多数载流?/p>

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空穴

 

,少数载流子?/p>

 

自由电子

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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2

、三极管的内部结构是?/p>

 

发射

 

区?/p>

 

 

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区及

 

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结和

 

集电

 

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组成的。三极管对外引出的电极分别是

 

发射

 

极?/p>

 

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极和

 

集电

 

极?/p>

 

3

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PN

结正向偏置时?/p>

外电场的方向与内电场的方?/p>

 

相反

 

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有利?/p>

 

多数载流?/p>

 

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扩散

 

运动而不利于

 

少数载流?/p>

 

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一?/p>

 

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有利?/p>

 

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运动而不利于

 

 

多子

 

 

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扩散

 

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这种情况

下的电流称为

 

反向饱和

 

电流?/p>

 

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PN

结形成的过程中,

P

型半导体中的多数载流子由

 

P

 

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N

 

区进行扩散,

N

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半导体中的多数载流子?/p>

 

 

N

 

 

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区进行扩散?/p>

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一?/p>

 

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,其方向?/p>

 

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空间电荷?/p>

 

的建立,对多数载流子?/p>

 

扩散

 

起削弱作用,对少子的

 

漂移

 

起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时?/p>

 

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形成?/p>

 

5

、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的

 

R

×

1K

 

档位,当检测时表针偏转度较

大时?/p>

与红表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

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极;

与黑表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

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极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管?/p>

经被

 

击穿

 

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两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时?/p>

说明该二极管已经

 

绝缘?/p>

化不?/p>

 

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6

、单极型晶体管又称为

 

场效应(

MOS

?/p>

 

管。其导电沟道分有

 

N

 

沟道?/p>

 

P

 

沟道?/p>

 

7

、稳压管是一种特殊物质制造的

 

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接触?/p>

 

硅晶?/p>

 

二极管,正常工作应在特性曲

线的

 

反向击穿

 

区?/p>

 

8

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MOS

管在不使用时应避?/p>

 

?/p>

 

极悬空,务必将各电极短接?/p>

 

二、判断正误:

(每小题

1

分,?/p>

10

分)

 

1

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P

型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明

P

型半导体呈负电性?/p>

 

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2

、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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3

、用万用表测试晶体管时,选择欧姆?/p>

R×

10K

档位?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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结正向偏置时,其内外电场方向一致?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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6

、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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检测题

 

(共

100

分,

120

分钟?/p>

 

一、填空题?/p>

(每?/p>

0.5

分,?/p>

25

分)

 

1

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N

型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

 

?/p>

 

价元素组成的?/p>

这种半导体内?/p>

多数载流子为

 

自由电子

 

,少数载流子?/p>

 

空穴

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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电?/p>

P

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半导体是在本征半导体中掺入极微量?/p>

 

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价元素组成的。这种半导体内的多数载流?/p>

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空穴

 

,少数载流子?/p>

 

自由电子

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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2

、三极管的内部结构是?/p>

 

发射

 

区?/p>

 

 

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集电?/p>

 

区及

 

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结和

 

集电

 

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组成的。三极管对外引出的电极分别是

 

发射

 

极?/p>

 

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集电

 

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结正向偏置时?/p>

外电场的方向与内电场的方?/p>

 

相反

 

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运动而不利于

 

少数载流?/p>

 

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场的方向

 

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运动而不利于

 

 

多子

 

 

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扩散

 

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这种情况

下的电流称为

 

反向饱和

 

电流?/p>

 

4

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PN

结形成的过程中,

P

型半导体中的多数载流子由

 

P

 

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N

 

区进行扩散,

N

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半导体中的多数载流子?/p>

 

 

N

 

 

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P

 

 

区进行扩散?/p>

扩散的结果使它们的交界处建立?/p>

一?/p>

 

空间电荷?/p>

 

,其方向?/p>

 

N

 

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P

 

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空间电荷?/p>

 

的建立,对多数载流子?/p>

 

扩散

 

起削弱作用,对少子的

 

漂移

 

起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时?/p>

 

PN

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形成?/p>

 

5

、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的

 

R

×

1K

 

档位,当检测时表针偏转度较

大时?/p>

与红表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

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极;

与黑表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

?/p>

 

极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管?/p>

经被

 

击穿

 

?/p>

两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时?/p>

说明该二极管已经

 

绝缘?/p>

化不?/p>

 

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6

、单极型晶体管又称为

 

场效应(

MOS

?/p>

 

管。其导电沟道分有

 

N

 

沟道?/p>

 

P

 

沟道?/p>

 

7

、稳压管是一种特殊物质制造的

 

?/p>

 

接触?/p>

 

硅晶?/p>

 

二极管,正常工作应在特性曲

线的

 

反向击穿

 

区?/p>

 

8

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MOS

管在不使用时应避?/p>

 

?/p>

 

极悬空,务必将各电极短接?/p>

 

二、判断正误:

(每小题

1

分,?/p>

10

分)

 

1

?/p>

P

型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明

P

型半导体呈负电性?/p>

 

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2

、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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3

、用万用表测试晶体管时,选择欧姆?/p>

R×

10K

档位?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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结正向偏置时,其内外电场方向一致?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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5

、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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6

、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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电子技术基础-检测题习题解析 - 百度文库
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检测题

 

(共

100

分,

120

分钟?/p>

 

一、填空题?/p>

(每?/p>

0.5

分,?/p>

25

分)

 

1

?/p>

N

型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

 

?/p>

 

价元素组成的?/p>

这种半导体内?/p>

多数载流子为

 

自由电子

 

,少数载流子?/p>

 

空穴

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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电?/p>

P

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半导体是在本征半导体中掺入极微量?/p>

 

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价元素组成的。这种半导体内的多数载流?/p>

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空穴

 

,少数载流子?/p>

 

自由电子

 

,不能移动的杂质离子?/p>

 

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电?/p>

 

2

、三极管的内部结构是?/p>

 

发射

 

区?/p>

 

 

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区及

 

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集电

 

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发射

 

极?/p>

 

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3

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PN

结正向偏置时?/p>

外电场的方向与内电场的方?/p>

 

相反

 

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有利?/p>

 

多数载流?/p>

 

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扩散

 

运动而不利于

 

少数载流?/p>

 

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场的方向

 

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运动而不利于

 

 

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扩散

 

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这种情况

下的电流称为

 

反向饱和

 

电流?/p>

 

4

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PN

结形成的过程中,

P

型半导体中的多数载流子由

 

P

 

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N

 

区进行扩散,

N

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半导体中的多数载流子?/p>

 

 

N

 

 

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P

 

 

区进行扩散?/p>

扩散的结果使它们的交界处建立?/p>

一?/p>

 

空间电荷?/p>

 

,其方向?/p>

 

N

 

区指?/p>

 

P

 

区?/p>

 

空间电荷?/p>

 

的建立,对多数载流子?/p>

 

扩散

 

起削弱作用,对少子的

 

漂移

 

起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时?/p>

 

PN

?/p>

 

形成?/p>

 

5

、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的

 

R

×

1K

 

档位,当检测时表针偏转度较

大时?/p>

与红表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

?/p>

 

极;

与黑表棒相接触的电极是二极管?/p>

 

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极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管?/p>

经被

 

击穿

 

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两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时?/p>

说明该二极管已经

 

绝缘?/p>

化不?/p>

 

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6

、单极型晶体管又称为

 

场效应(

MOS

?/p>

 

管。其导电沟道分有

 

N

 

沟道?/p>

 

P

 

沟道?/p>

 

7

、稳压管是一种特殊物质制造的

 

?/p>

 

接触?/p>

 

硅晶?/p>

 

二极管,正常工作应在特性曲

线的

 

反向击穿

 

区?/p>

 

8

?/p>

MOS

管在不使用时应避?/p>

 

?/p>

 

极悬空,务必将各电极短接?/p>

 

二、判断正误:

(每小题

1

分,?/p>

10

分)

 

1

?/p>

P

型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明

P

型半导体呈负电性?/p>

 

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2

、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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3

、用万用表测试晶体管时,选择欧姆?/p>

R×

10K

档位?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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PN

结正向偏置时,其内外电场方向一致?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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5

、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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6

、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件?/p>

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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