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第四?/p>

 

存储?/p>

 

一?/p>

 

填空?/p>

 

1. 

计算机中的存储器是用来存?/p>

    

的,随机访问存储器的访问速度?/p>

    

?/p>

关?/p>

?/p>

 

2.  

主存储器的性能指标主要?/p>

      

?/p>

       

存储周期和存储器带宽?/p>

?/p>

 

3. 

存储器中?/p>

    

来区分不同的存储单元?/p>

1GB=     KB

?/p>

?/p>

 

4. 

半导体存储器分为

    

?/p>

    

、只读存储器?/p>

ROM

)和相联存储器等?/p>

?/p>

 

5. 

地址译码分为

    

方式?/p>

    

方式?/p>

?/p>

 

6. 

双译码方式采?/p>

     

个地址译码器,分别产生

    

?/p>

    

信号?/p>

?/p>

 

7. 

?/p>

RAM

芯片内有

1024

个单元,用单译码方式,地址译码器将?/p>

    

条输出线?/p>

用双译码方式,地址译码器有

    

条输出线?/p>

?/p>

 

8. 

静态存储单元是由晶体管构成?/p>

    

,保证记忆单元始终处于稳定状态,?/p>

储的信息不需?/p>

    

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?/p>

 

9. 

存储器芯片并联的目的是为?/p>

    

,串联的目的是为?/p>

    

?/p>

 

10. 

计算机的主存容量?/p>

    

有关,其容量?/p>

    

?/p>

 

11. 

要组成容量为

4M

×

8

位的存储器,

需?/p>

    

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×

1

位的存储器芯片并联,

?/p>

者需?/p>

    

?/p>

1M

×

8

位的存储器芯片串联?/p>

 

12. 

内存储器容量?/p>

6K

时,

若首地址?/p>

00000H

?/p>

那么末地址的十六进制表示是

  

?/p>

 

13 

主存储器一般采?/p>

    

存储器件,它与外存比较存取速度

    

、成?/p>

    

?/p>

 

14 

三级存储器系统是?/p>

 

这三?/p>

     

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?/p>

        

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15 

表示存储器容量时

KB=    

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MB=    

;表示硬盘容量时?/p>

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16

一?/p>

512KB

的存储器,其地址线和数据线的总和?/p>

          

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17 

只读存储?/p>

ROM

可分?/p>

    

?/p>

    

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四种?/p>

 

18 SRAM

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DRAM

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ROM

?/p>

    

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EPROM

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19

半导?/p>

SRAM

?/p>

    

存储信息,半导体

DRAM

则是?/p>

    

存储信息?/p>

 

20

半导体动?/p>

RAM

和静?/p>

RAM

的主要区别是

         

?/p>

 

21MOS

半导体存储器可分?/p>

     

?/p>

    

两种类型,其?/p>

    

需要刷新?/p>

 

22 

广泛使用?/p>

    

?/p>

    

都是半导?/p>

 

?/p>

 

存储器。前者的速度比后者快,但

    

不如后者高,它们的共同缺点是断电后

    

保存信息?/p>

 

23 EPROM

属于

    

的可编程

ROM

,擦除时一般使?/p>

    

,写入时使用高压脉冲?/p>

 

24 

单管动?/p>

MOS

型半导体存储单元是由一?/p>

    

和一?/p>

    

构成的?/p>

 

25 

动态半导体存储器的刷新一般有

    

?/p>

    

?/p>

    

三种方式?/p>

 

【答案?/p>

 

?/p>

 

集中?/p>

 

?/p>

 

分散?/p>

 

?/p>

 

异步?/p>

 

26 

动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在

    

,因

此需要定期的不断地进?/p>

    

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1. 

计算机中的存储器是用来存?/p>

    

的,随机访问存储器的访问速度?/p>

    

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关?/p>

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2.  

主存储器的性能指标主要?/p>

      

?/p>

       

存储周期和存储器带宽?/p>

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3. 

存储器中?/p>

    

来区分不同的存储单元?/p>

1GB=     KB

?/p>

?/p>

 

4. 

半导体存储器分为

    

?/p>

    

、只读存储器?/p>

ROM

)和相联存储器等?/p>

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5. 

地址译码分为

    

方式?/p>

    

方式?/p>

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6. 

双译码方式采?/p>

     

个地址译码器,分别产生

    

?/p>

    

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7. 

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RAM

芯片内有

1024

个单元,用单译码方式,地址译码器将?/p>

    

条输出线?/p>

用双译码方式,地址译码器有

    

条输出线?/p>

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8. 

静态存储单元是由晶体管构成?/p>

    

,保证记忆单元始终处于稳定状态,?/p>

储的信息不需?/p>

    

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9. 

存储器芯片并联的目的是为?/p>

    

,串联的目的是为?/p>

    

?/p>

 

10. 

计算机的主存容量?/p>

    

有关,其容量?/p>

    

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11. 

要组成容量为

4M

×

8

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需?/p>

    

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1

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者需?/p>

    

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1M

×

8

位的存储器芯片串联?/p>

 

12. 

内存储器容量?/p>

6K

时,

若首地址?/p>

00000H

?/p>

那么末地址的十六进制表示是

  

?/p>

 

13 

主存储器一般采?/p>

    

存储器件,它与外存比较存取速度

    

、成?/p>

    

?/p>

 

14 

三级存储器系统是?/p>

 

这三?/p>

     

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?/p>

        

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15 

表示存储器容量时

KB=    

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MB=    

;表示硬盘容量时?/p>

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16

一?/p>

512KB

的存储器,其地址线和数据线的总和?/p>

          

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17 

只读存储?/p>

ROM

可分?/p>

    

?/p>

    

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四种?/p>

 

18 SRAM

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19

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20

半导体动?/p>

RAM

和静?/p>

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的主要区别是

         

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21MOS

半导体存储器可分?/p>

     

?/p>

    

两种类型,其?/p>

    

需要刷新?/p>

 

22 

广泛使用?/p>

    

?/p>

    

都是半导?/p>

 

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存储器。前者的速度比后者快,但

    

不如后者高,它们的共同缺点是断电后

    

保存信息?/p>

 

23 EPROM

属于

    

的可编程

ROM

,擦除时一般使?/p>

    

,写入时使用高压脉冲?/p>

 

24 

单管动?/p>

MOS

型半导体存储单元是由一?/p>

    

和一?/p>

    

构成的?/p>

 

25 

动态半导体存储器的刷新一般有

    

?/p>

    

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三种方式?/p>

 

【答案?/p>

 

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集中?/p>

 

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分散?/p>

 

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异步?/p>

 

26 

动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在

    

,因

此需要定期的不断地进?/p>

    

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1. 

计算机中的存储器是用来存?/p>

    

的,随机访问存储器的访问速度?/p>

    

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2.  

主存储器的性能指标主要?/p>

      

?/p>

       

存储周期和存储器带宽?/p>

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3. 

存储器中?/p>

    

来区分不同的存储单元?/p>

1GB=     KB

?/p>

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4. 

半导体存储器分为

    

?/p>

    

、只读存储器?/p>

ROM

)和相联存储器等?/p>

?/p>

 

5. 

地址译码分为

    

方式?/p>

    

方式?/p>

?/p>

 

6. 

双译码方式采?/p>

     

个地址译码器,分别产生

    

?/p>

    

信号?/p>

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7. 

?/p>

RAM

芯片内有

1024

个单元,用单译码方式,地址译码器将?/p>

    

条输出线?/p>

用双译码方式,地址译码器有

    

条输出线?/p>

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8. 

静态存储单元是由晶体管构成?/p>

    

,保证记忆单元始终处于稳定状态,?/p>

储的信息不需?/p>

    

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9. 

存储器芯片并联的目的是为?/p>

    

,串联的目的是为?/p>

    

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10. 

计算机的主存容量?/p>

    

有关,其容量?/p>

    

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11. 

要组成容量为

4M

×

8

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需?/p>

    

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者需?/p>

    

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1M

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12. 

内存储器容量?/p>

6K

时,

若首地址?/p>

00000H

?/p>

那么末地址的十六进制表示是

  

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13 

主存储器一般采?/p>

    

存储器件,它与外存比较存取速度

    

、成?/p>

    

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14 

三级存储器系统是?/p>

 

这三?/p>

     

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15 

表示存储器容量时

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?/p>

MB=    

;表示硬盘容量时?/p>

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?/p>

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16

一?/p>

512KB

的存储器,其地址线和数据线的总和?/p>

          

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17 

只读存储?/p>

ROM

可分?/p>

    

?/p>

    

?/p>

    

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四种?/p>

 

18 SRAM

?/p>

    

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EPROM

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19

半导?/p>

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?/p>

    

存储信息,半导体

DRAM

则是?/p>

    

存储信息?/p>

 

20

半导体动?/p>

RAM

和静?/p>

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的主要区别是

         

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21MOS

半导体存储器可分?/p>

     

?/p>

    

两种类型,其?/p>

    

需要刷新?/p>

 

22 

广泛使用?/p>

    

?/p>

    

都是半导?/p>

 

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存储器。前者的速度比后者快,但

    

不如后者高,它们的共同缺点是断电后

    

保存信息?/p>

 

23 EPROM

属于

    

的可编程

ROM

,擦除时一般使?/p>

    

,写入时使用高压脉冲?/p>

 

24 

单管动?/p>

MOS

型半导体存储单元是由一?/p>

    

和一?/p>

    

构成的?/p>

 

25 

动态半导体存储器的刷新一般有

    

?/p>

    

?/p>

    

三种方式?/p>

 

【答案?/p>

 

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集中?/p>

 

?/p>

 

分散?/p>

 

?/p>

 

异步?/p>

 

26 

动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在

    

,因

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第四?存储器习?- 百度文库
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存储?/p>

 

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1. 

计算机中的存储器是用来存?/p>

    

的,随机访问存储器的访问速度?/p>

    

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关?/p>

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2.  

主存储器的性能指标主要?/p>

      

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存储周期和存储器带宽?/p>

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3. 

存储器中?/p>

    

来区分不同的存储单元?/p>

1GB=     KB

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?/p>

 

4. 

半导体存储器分为

    

?/p>

    

、只读存储器?/p>

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?/p>

 

5. 

地址译码分为

    

方式?/p>

    

方式?/p>

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6. 

双译码方式采?/p>

     

个地址译码器,分别产生

    

?/p>

    

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7. 

?/p>

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芯片内有

1024

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8. 

静态存储单元是由晶体管构成?/p>

    

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储的信息不需?/p>

    

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9. 

存储器芯片并联的目的是为?/p>

    

,串联的目的是为?/p>

    

?/p>

 

10. 

计算机的主存容量?/p>

    

有关,其容量?/p>

    

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11. 

要组成容量为

4M

×

8

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需?/p>

    

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者需?/p>

    

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位的存储器芯片串联?/p>

 

12. 

内存储器容量?/p>

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时,

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13 

主存储器一般采?/p>

    

存储器件,它与外存比较存取速度

    

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14 

三级存储器系统是?/p>

 

这三?/p>

     

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15 

表示存储器容量时

KB=    

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MB=    

;表示硬盘容量时?/p>

KB=    

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MB=    

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16

一?/p>

512KB

的存储器,其地址线和数据线的总和?/p>

          

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17 

只读存储?/p>

ROM

可分?/p>

    

?/p>

    

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四种?/p>

 

18 SRAM

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19

半导?/p>

SRAM

?/p>

    

存储信息,半导体

DRAM

则是?/p>

    

存储信息?/p>

 

20

半导体动?/p>

RAM

和静?/p>

RAM

的主要区别是

         

?/p>

 

21MOS

半导体存储器可分?/p>

     

?/p>

    

两种类型,其?/p>

    

需要刷新?/p>

 

22 

广泛使用?/p>

    

?/p>

    

都是半导?/p>

 

?/p>

 

存储器。前者的速度比后者快,但

    

不如后者高,它们的共同缺点是断电后

    

保存信息?/p>

 

23 EPROM

属于

    

的可编程

ROM

,擦除时一般使?/p>

    

,写入时使用高压脉冲?/p>

 

24 

单管动?/p>

MOS

型半导体存储单元是由一?/p>

    

和一?/p>

    

构成的?/p>

 

25 

动态半导体存储器的刷新一般有

    

?/p>

    

?/p>

    

三种方式?/p>

 

【答案?/p>

 

?/p>

 

集中?/p>

 

?/p>

 

分散?/p>

 

?/p>

 

异步?/p>

 

26 

动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上,由于电路中存在

    

,因

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