射频
MOS
功率放大电路模拟器的设计方案分析?/p>
射频功率放大器的特性与
使用好坏分析
射频
MOS
功率放大电路模拟器的设计方案分析
1.
引言
本文设计?/p>
50MHz/250W
功率放大器采用美?/p>
APT
公司生产的推挽式射频功率
MOSFET
?/p>
ARF448A/B
进行设计?/p>
APT
公司在其生产的射频功?/p>
MOSFET
的内部结构和封装形式
上都进行了优化设计,使之更适用于射频功率放大器?/p>
下面介绍该型号功率放大器的电?/p>
结构和设计步骤?/p>
2
?/p>
50MHz/250W
射频功率放大器的设计
高压射频功率放大器的设计与传统低压固态射频功率放大器的设计过程有着显著的不同,
以下
50MHz/250W
功率放大器的设计过程将有助于工程技术人员更好的掌握高压射频?/p>
率放大器的设计方法?/p>
2.1
射频功率
MOSFET
?/p>
ARF448A/B
的特?/p>
ARF448A
?/p>
ARF448B
是配对使用的射频功率
MOSFET
,反向耐压
450V
,采?/p>
TO-247
封装,适用于输入电压范围为
75V
?/p>
150V
的单?/p>
C
类功率放大器,其工作频率可设置为
13.56MHz
?/p>
27.12MHz
?/p>
40.68 MHz
?/p>
ARF448A/B
的高频增益特性如?/p>
1
所示。从图中?/p>
以看出,当频率达?/p>
50MHz
时,
ARF448
的增益约?/p>
17dB
?/p>
2.2
设计指标
50MHz/250W
功率放大器的设计指标如下?/p>
?/p>
1
)工作电压:
?/p>
100V
?/p>
?/p>
2
)工作频率:
50MHz
?/p>
?/p>
3
)增益:
?/p>
15dB
?/p>
?/p>
4
)输出功率:
250W
?/p>
?/p>
5
)效率:
?/p>
70%
?/p>
?/p>
6
)驻波比?/p>
?/p>
20:1
?/p>
2.3
设计过程
功率放大器的输入阻抗可以用一?/p>
Q
值很高的电容来表示?/p>
输入电容的取值可以参照相?/p>
的设计表格,从中可以查出对应不同漏极电压时的电容取值。当
ARF448
的漏极电压为
125V
时,对应的输入电容值为
1400pF
。输入阻抗取决于输入功率、漏极电压以及功率放