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晶圆?/p>
Wafer
?/p>
晶圆?/p>
Wafer
)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原?/p>
冶炼级的硅,?/p>
经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多
晶硅?/p>
。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一?/p>
85
公分长,?/p>
76.6
公斤?/p>
8
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硅晶棒,约需
2
天半时间长成。经研磨、拋光、切片后,即?/p>
半导体之原料晶圆片?/p>
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?/p>
?/p>
光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻
下面的薄膜层?/p>
硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准?/p>
曝光和显影等程序。小尺寸?/p>
显像分辨率,更在
IC
制程的进步上,扮演着
最关键的角色。由于光学上的需要,此段?/p>
程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为
黄光区?/p>
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?/p>
蚀
?/p>
技
?/p>
在半导体的制程中?/p>
蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除?/p>
干式蚀?/p>
(又称为电浆蚀刻)
是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应?/p>
电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响?/p>
首先?/p>
电浆会将蚀刻气体分子分解,
产生
能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷?/p>
晶圆系置于带负电的阴极之上,
因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,
会以垂直角度撞击到晶圆表面?/p>
芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,
而后?/p>
也是干式蚀刻的重要角色?/p>
基本上,
随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同?/p>
蚀刻由下列两种模式单独?/p>
混会进行?/p>
1.
电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面?/p>
质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出?/p>
2.
电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一
个个的打击或溅击?/p>
sputtering
)出来?/p>
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?/p>
?/p>
?/p>
技
?/p>
化学气相沉积是制造微电子组件时,
被用来沉积出某种薄膜
(film)
的技术,
所沉积出的薄膜
可能是介电材?/p>
(
绝缘?/p>
)(dielectrics)
、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,
包含有被沉积材料之原子的气体?/p>
会被导入受到严密控制的制程反应室内?/p>
当这些原子在?/p>
热的昌圆表面上起化学反应时,
会在晶圆表面产生一层固态薄膜?/p>
而此一化学反应通常必须
使用单一或多种能量源
(
例如热能或无线电频率功率
)
?/p>
CVD
制程产生的薄膜厚度从低于
0.5
微米到数微米都有?/p>
不过最重要的是其厚度都必须足够
均匀。较为常见的
CVD
薄膜包括有:
?/p>
二气化硅(通常直接称为氧化层)
?/p>
氮化?/p>
?/p>
多晶?/p>
?/p>
耐火金属与这类金属之其硅化物
可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(
plasmas nitride dielect