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晶圆?/p>

Wafer

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晶圆?/p>

Wafer

)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原?/p>

 

冶炼级的硅,?/p>

经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多

晶硅?/p>

。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一?/p>

85

公分长,?/p>

76.6

公斤?/p>

8

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硅晶棒,约需

2

天半时间长成。经研磨、拋光、切片后,即?/p>

半导体之原料晶圆片?/p>

  

 

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?/p>

  

光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻

 

下面的薄膜层?/p>

硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准?/p>

 

曝光和显影等程序。小尺寸?/p>

显像分辨率,更在

 IC 

制程的进步上,扮演着

 

最关键的角色。由于光学上的需要,此段?/p>

程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为

 

黄光区?/p>

 

 

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蚀

 

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技

 

?/p>

  

在半导体的制程中?/p>

蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除?/p>

干式蚀?/p>

(又称为电浆蚀刻)

是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应?/p>

  

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响?/p>

首先?/p>

电浆会将蚀刻气体分子分解,

产生

能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷?/p>

  

晶圆系置于带负电的阴极之上,

因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,

会以垂直角度撞击到晶圆表面?/p>

芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,

而后?/p>

也是干式蚀刻的重要角色?/p>

  

基本上,

随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同?/p>

蚀刻由下列两种模式单独?/p>

混会进行?/p>

  

1. 

电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面?/p>

质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出?/p>

  

2. 

电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一

个个的打击或溅击?/p>

sputtering

)出来?/p>

  

 

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技

 

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化学气相沉积是制造微电子组件时,

被用来沉积出某种薄膜

(film)

的技术,

所沉积出的薄膜

可能是介电材?/p>

(

绝缘?/p>

)(dielectrics)

、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,

包含有被沉积材料之原子的气体?/p>

会被导入受到严密控制的制程反应室内?/p>

当这些原子在?/p>

热的昌圆表面上起化学反应时,

会在晶圆表面产生一层固态薄膜?/p>

而此一化学反应通常必须

使用单一或多种能量源

(

例如热能或无线电频率功率

)

?/p>

  

CVD

制程产生的薄膜厚度从低于

0.5

微米到数微米都有?/p>

不过最重要的是其厚度都必须足够

均匀。较为常见的

CVD

薄膜包括有:

  

?/p>

 

二气化硅(通常直接称为氧化层)

  

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氮化?/p>

  

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多晶?/p>

  

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耐火金属与这类金属之其硅化物

  

可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(

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晶圆?/p>

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晶圆?/p>

Wafer

)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原?/p>

 

冶炼级的硅,?/p>

经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多

晶硅?/p>

。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一?/p>

85

公分长,?/p>

76.6

公斤?/p>

8

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硅晶棒,约需

2

天半时间长成。经研磨、拋光、切片后,即?/p>

半导体之原料晶圆片?/p>

  

 

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光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻

 

下面的薄膜层?/p>

硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准?/p>

 

曝光和显影等程序。小尺寸?/p>

显像分辨率,更在

 IC 

制程的进步上,扮演着

 

最关键的角色。由于光学上的需要,此段?/p>

程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为

 

黄光区?/p>

 

 

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技

 

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在半导体的制程中?/p>

蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除?/p>

干式蚀?/p>

(又称为电浆蚀刻)

是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应?/p>

  

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响?/p>

首先?/p>

电浆会将蚀刻气体分子分解,

产生

能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷?/p>

  

晶圆系置于带负电的阴极之上,

因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,

会以垂直角度撞击到晶圆表面?/p>

芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,

而后?/p>

也是干式蚀刻的重要角色?/p>

  

基本上,

随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同?/p>

蚀刻由下列两种模式单独?/p>

混会进行?/p>

  

1. 

电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面?/p>

质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出?/p>

  

2. 

电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一

个个的打击或溅击?/p>

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化学气相沉积是制造微电子组件时,

被用来沉积出某种薄膜

(film)

的技术,

所沉积出的薄膜

可能是介电材?/p>

(

绝缘?/p>

)(dielectrics)

、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,

包含有被沉积材料之原子的气体?/p>

会被导入受到严密控制的制程反应室内?/p>

当这些原子在?/p>

热的昌圆表面上起化学反应时,

会在晶圆表面产生一层固态薄膜?/p>

而此一化学反应通常必须

使用单一或多种能量源

(

例如热能或无线电频率功率

)

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CVD

制程产生的薄膜厚度从低于

0.5

微米到数微米都有?/p>

不过最重要的是其厚度都必须足够

均匀。较为常见的

CVD

薄膜包括有:

  

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二气化硅(通常直接称为氧化层)

  

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氮化?/p>

  

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多晶?/p>

  

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耐火金属与这类金属之其硅化物

  

可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(

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晶圆?/p>

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)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原?/p>

 

冶炼级的硅,?/p>

经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多

晶硅?/p>

。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一?/p>

85

公分长,?/p>

76.6

公斤?/p>

8

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硅晶棒,约需

2

天半时间长成。经研磨、拋光、切片后,即?/p>

半导体之原料晶圆片?/p>

  

 

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光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻

 

下面的薄膜层?/p>

硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准?/p>

 

曝光和显影等程序。小尺寸?/p>

显像分辨率,更在

 IC 

制程的进步上,扮演着

 

最关键的角色。由于光学上的需要,此段?/p>

程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为

 

黄光区?/p>

 

 

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蚀

 

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技

 

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在半导体的制程中?/p>

蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除?/p>

干式蚀?/p>

(又称为电浆蚀刻)

是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应?/p>

  

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响?/p>

首先?/p>

电浆会将蚀刻气体分子分解,

产生

能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷?/p>

  

晶圆系置于带负电的阴极之上,

因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,

会以垂直角度撞击到晶圆表面?/p>

芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,

而后?/p>

也是干式蚀刻的重要角色?/p>

  

基本上,

随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同?/p>

蚀刻由下列两种模式单独?/p>

混会进行?/p>

  

1. 

电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面?/p>

质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出?/p>

  

2. 

电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一

个个的打击或溅击?/p>

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技

 

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化学气相沉积是制造微电子组件时,

被用来沉积出某种薄膜

(film)

的技术,

所沉积出的薄膜

可能是介电材?/p>

(

绝缘?/p>

)(dielectrics)

、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,

包含有被沉积材料之原子的气体?/p>

会被导入受到严密控制的制程反应室内?/p>

当这些原子在?/p>

热的昌圆表面上起化学反应时,

会在晶圆表面产生一层固态薄膜?/p>

而此一化学反应通常必须

使用单一或多种能量源

(

例如热能或无线电频率功率

)

?/p>

  

CVD

制程产生的薄膜厚度从低于

0.5

微米到数微米都有?/p>

不过最重要的是其厚度都必须足够

均匀。较为常见的

CVD

薄膜包括有:

  

?/p>

 

二气化硅(通常直接称为氧化层)

  

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氮化?/p>

  

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多晶?/p>

  

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耐火金属与这类金属之其硅化物

  

可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(

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晶圆?/p>

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)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原?/p>

 

冶炼级的硅,?/p>

经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多

晶硅?/p>

。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一?/p>

85

公分长,?/p>

76.6

公斤?/p>

8

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硅晶棒,约需

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半导体之原料晶圆片?/p>

  

 

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光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序,把光罩上的图形转换到光阻

 

下面的薄膜层?/p>

硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准?/p>

 

曝光和显影等程序。小尺寸?/p>

显像分辨率,更在

 IC 

制程的进步上,扮演着

 

最关键的角色。由于光学上的需要,此段?/p>

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黄光区?/p>

 

 

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技

 

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在半导体的制程中?/p>

蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除?/p>

干式蚀?/p>

(又称为电浆蚀刻)

是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应?/p>

  

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响?/p>

首先?/p>

电浆会将蚀刻气体分子分解,

产生

能够快速蚀去材料的高活性分子。此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷?/p>

  

晶圆系置于带负电的阴极之上,

因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,

会以垂直角度撞击到晶圆表面?/p>

芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,

而后?/p>

也是干式蚀刻的重要角色?/p>

  

基本上,

随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同?/p>

蚀刻由下列两种模式单独?/p>

混会进行?/p>

  

1. 

电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面?/p>

质起化学反应而使之气化。如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出?/p>

  

2. 

电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一

个个的打击或溅击?/p>

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化学气相沉积是制造微电子组件时,

被用来沉积出某种薄膜

(film)

的技术,

所沉积出的薄膜

可能是介电材?/p>

(

绝缘?/p>

)(dielectrics)

、导体、或半导体。在进行化学气相沉积制程时,

包含有被沉积材料之原子的气体?/p>

会被导入受到严密控制的制程反应室内?/p>

当这些原子在?/p>

热的昌圆表面上起化学反应时,

会在晶圆表面产生一层固态薄膜?/p>

而此一化学反应通常必须

使用单一或多种能量源

(

例如热能或无线电频率功率

)

?/p>

  

CVD

制程产生的薄膜厚度从低于

0.5

微米到数微米都有?/p>

不过最重要的是其厚度都必须足够

均匀。较为常见的

CVD

薄膜包括有:

  

?/p>

 

二气化硅(通常直接称为氧化层)

  

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氮化?/p>

  

?/p>

 

多晶?/p>

  

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耐火金属与这类金属之其硅化物

  

可作为半导体组件绝缘体的二氧化硅薄膜与电浆氮化物介电层(

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